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MPS快恢复二极管正向压降的研究
被引量：
1
1
作者
陈天
杨晓鸾
季顺黄
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期598-602,共5页
介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿...
介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。
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关键词
混合pin/肖特基(MPS)二极管
快恢复二极管
正向压降
正温度系数
负温度系数
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职称材料
1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究
被引量：
1
2
作者
陈天
杨晓鸾
季顺黄
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期111-119,共9页
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因...
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
短路耐量
沟槽栅
平面栅
场截止
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职称材料
题名
MPS快恢复二极管正向压降的研究
被引量：
1
1
作者
陈天
杨晓鸾
季顺黄
机构
无锡凤凰半导体科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期598-602,共5页
基金
工业和信息化部新型电力电子器件研发及产业化资助项目(2010301)
文摘
介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。
关键词
混合pin/肖特基(MPS)二极管
快恢复二极管
正向压降
正温度系数
负温度系数
Keywords
merged pin/Schottky （MPS） diode
fast recovery diode
forward voltage drop
positive temperature coefficient
negative temperature coefficient
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究
被引量：
1
2
作者
陈天
杨晓鸾
季顺黄
机构
无锡凤凰半导体科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期111-119,共9页
基金
国家工信部新型电力电子器件研发及产业化资助项目(2010)
文摘
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
短路耐量
沟槽栅
平面栅
场截止
Keywords
IGBT
short-circuit capability
trench gate
planar gate
field-stop
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MPS快恢复二极管正向压降的研究
陈天
杨晓鸾
季顺黄
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
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职称材料
2
1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究
陈天
杨晓鸾
季顺黄
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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