电子辐照PDMS力学性能影响实验研究

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作者 邱剑 吕世豪 +2 位作者 玛丽娅 师岩 高存法 《应用力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1007-1013,共7页

聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受... 聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受电子辐照作用后的力学性能变化开展研究:(1)首先将树脂和固化剂按不同配比混合,按国标进行了哑铃状PDMS拉伸试样的制备,进行了单轴拉伸试验;(2)将不同配比PDMS拉伸样品进行了不同剂量的电子辐照试验,并对辐照后样品进行了拉伸试验。采用扫描电子显微镜对辐照前后样品断口形貌进行了观测,并进行了元素成分分析;(3)基于Neo-Hookean模型对单轴拉伸的应力应变关系进行了推导,并与实验数据进行了对比。结果表明,电子辐照能显著影响PDMS的力学性能和表面形貌。辐照后的PDMS试样呈现硬化,弹性模量随辐照剂量增加而提高,而断裂伸长率随辐照剂量增加而减少。 展开更多

关键词 辐照 PDMS 拉伸试验 Neo-Hookean模型

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CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 被引量：3

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作者 玛丽娅 李豫东 +3 位作者 郭旗 刘昌举 文林 汪波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期182-187,共6页

对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量... 对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火时间的延长而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷导致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增大导致产生-复合中心的增加所引起。 展开更多

关键词 电子辐照 CMOS有源像素传感器 暗信号

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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 被引量：2

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作者 崔江维 郑齐文 +6 位作者 余德昭 周航 苏丹丹 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1128-1132,共5页

随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应... 随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考. 展开更多

关键词 65nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度

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电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

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作者 武大猷 文林 +6 位作者 汪朝敏 何承发 郭旗 李豫东 曾俊哲 汪波 刘元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期711-719,共9页

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压... 对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计

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质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 被引量：5

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作者 汪波 文林 +6 位作者 李豫东 郭旗 汪朝敏 王帆 任迪远 曾骏哲 武大猷 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第B12期35-40,共6页

对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保... 对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 高能粒子辐照 饱和输出电压 电离总剂量效应

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聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的研究进展 被引量：9

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作者 罗倩 谢永新 +1 位作者 陈朝阳 闫世友 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期10-12,共3页

概述了聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的消泡机理以及特点,综合介绍了聚醚改性聚硅氧烷的分类、合成工艺条件,以及其复合消泡剂复配过程主要成分选择的一般规律,并对聚醚改性聚硅氧烷消泡剂的研究进展及市场前景做了简要展望。

关键词 聚醚改性聚硅氧烷 机理 复合消泡剂

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电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 被引量：2

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作者 汪波 李豫东 +2 位作者 郭旗 汪朝敏 文林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期44-49,共6页

为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由... 为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中子辐照产生的体缺陷能级在耗尽层中充当复合-产生中心,增大了热载流子的产生率所致,而各像素单元暗信号退化的不一致性使暗信号非均匀性增大;电荷转移效率显著减小则是由于中子辐照在转移沟道中产生的体缺陷不断捕获、发射电子所引起。在整个实验过程中,饱和输出电压的退化可以忽略不计,表现出较好的抗位移损伤能力。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号

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基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 被引量：2

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作者 荀明珠 李豫东 +5 位作者 郭旗 何承发 于新 于钢 文林 张兴尧 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期828-834,共7页

基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数... 基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取试验装置,兼备晶圆级器件电离总剂量辐照、器件参数在线测试分析功能,并且具有通用性强、测量范围宽、结构一体化、操作自动化等特点。对设备在50 kV管压下产生的X射线能谱、剂量率、束斑的测量以及对晶圆级MOS器件进行I-V、C-V、低频噪声特性的测试分析结果表明,该设备符合ASTM F1467测试标准,且能满足晶圆级器件辐射效应参数提取要求,可为大规模集成电路抗辐射设计加固提供良好的试验条件。 展开更多

关键词 抗辐射加固 试验装置 晶圆级器件 X射线辐照 辐射效应 参数提取

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高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制 被引量：2

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作者 慎小宝 李豫东 +7 位作者 玛丽娅·黑尼 赵晓凡 莫敏·赛来 许焱 雷琪琪 艾尔肯·阿不都瓦衣提 郭旗 陆书龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1115-1122,共8页

为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析... 为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论。结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压V oc、短路电流I sc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×10 16 e/cm 2时,电池光电转化效率为零,电池失效。光谱响应方面,注量小于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同。辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因。 展开更多

关键词 InGaAs单结太阳电池 高注量电子 位移损伤 载流子寿命 载流子去除效应

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22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 被引量：1

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作者 王保顺 崔江维 +4 位作者 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第5期384-388,共5页

为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器... 为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器件热载流子退化减弱;总剂量辐照后,器件电学参数发生退化,主要表现为阈值电压正向漂移及饱和电流增大,这些参数变化主要与辐照在FinFET氧化物中引入的陷阱电荷相关。 展开更多

关键词 鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应

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TPS61322集成式升压DC-DC电源变换器的总剂量效应研究

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作者 徐锐 周东 +5 位作者 刘炳凯 李豫东 王信 刘海涛 文林 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期422-428,共7页

对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出电压随总剂量的变化关系;揭示了升压型器件在高剂量率条件下输出电压瞬间损伤退化机理;分析了器件在关机模... 对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出电压随总剂量的变化关系;揭示了升压型器件在高剂量率条件下输出电压瞬间损伤退化机理;分析了器件在关机模式(Shutdown mode)条件下关机电流变化规律。详细研究了负载电流对输出电压的影响,实验结果表明,相同辐照剂量,输出电压的退化程度随负载电流的增加而增大,满载条件下,输出电压退化最严重。关机电流在关机模式条件下出现显著退化,可以作为评估器件抗辐射性能的敏感参数。此外,发现Boost器件满载条件下高剂量率损伤效应,高剂量率条件下的输出电压瞬间损伤退化显著大于低剂量率下的输出电压退化。研究剂量率辐射效应对分析和评估应用于核电站环境下的DC-DC电源变换器辐射损伤具有重要意义。 展开更多

关键词 总剂量效应 Boost电源变换器 输出电压 负载电流损伤机理 高剂量率损伤效应

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浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究

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作者 任李贤 孙静 +1 位作者 何承发 荀明珠 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期281-286,共6页

对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明... 对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明,辐照导致浮栅晶体管中多晶硅浮动栅极存储电荷的丢失,界面处感生的陷阱电荷数量远少于氧化物陷阱电荷及浮栅中电荷丢失量,退火效应可恢复浮栅受辐射影响的存储能力。试验数据为浮栅晶体管在电离辐射环境的测试及应用提供参考。 展开更多

关键词 浮栅晶体管 总剂量效应 陷阱电荷分离 辐照响应分析

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丙二醇嵌段聚醚改性有机硅复配消泡剂的研制 被引量：13

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作者 罗倩 谢永新 +3 位作者 陈朝阳 闫世友 邓文叶 刘义 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1099-1102,共4页

研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件：聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2～3,HLB值范围在8.5... 研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件：聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2～3,HLB值范围在8.5～9.5的乳化剂用量为消泡剂总量的4～6%。 展开更多

关键词 丙二醇嵌段聚醚接枝聚硅氧烷 白炭黑硅膏 乳化剂 水 消泡剂

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温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 被引量：4

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作者 王帆 李豫东 +2 位作者 郭旗 汪波 张兴尧 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期332-337,共6页

为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高... 为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。 展开更多

关键词 CMOS图像传感器 转换增益 满阱容量 暗电流 温度

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纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法

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作者 崔江维 郑齐文 +5 位作者 余徳昭 周航 苏丹丹 马腾 郭旗 余学峰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期433-437,共5页

P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。... P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。 展开更多

关键词 纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏压温度不稳定性

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Bi过量对BiFeO_3薄膜禁带宽度及光伏性能的影响 被引量：1

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作者 徐方龙 赵鹏君 +1 位作者 张家齐 熊信谦 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期119-121,148,共4页

通过溶胶-凝胶法在掺氟的氧化锡(FTO)衬底上生长了前驱体溶液中Bi过量不同摩尔分数的铁酸铋(BiFeO3)多晶薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM),紫外-可见(UV-Vis)漫反射及光伏性能等测试手段进行表征,讨论了Bi过量对于BiFeO3... 通过溶胶-凝胶法在掺氟的氧化锡(FTO)衬底上生长了前驱体溶液中Bi过量不同摩尔分数的铁酸铋(BiFeO3)多晶薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM),紫外-可见(UV-Vis)漫反射及光伏性能等测试手段进行表征,讨论了Bi过量对于BiFeO3薄膜晶粒尺寸、光学带隙及光伏性能的影响。结果表明:样品的晶粒尺寸随着Bi含量的增加先减小后增大。当Bi过量10%(摩尔分数,下同)时,BiFeO3薄膜的禁带宽度最小(Eg=2.31eV)。光伏性能研究表明,当Bi过量6%时,薄膜具有最大的开路电压值(Voc=0.31V)。 展开更多

关键词 BIFEO3薄膜 Bi过量 光学带隙 光伏性能

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碳化硅功率MOSFET的阈值和开关响应的辐射损伤对比 被引量：1

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作者 冯皓楠 杨圣 +4 位作者 梁晓雯 孙静 张丹 蒲晓娟 余学峰 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期412-416,共5页

对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数(阈值电压)和动态参数(开关响应)的影响。实验结果表明,在经历一定时间的^(60)Coγ射线辐照过... 对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数(阈值电压)和动态参数(开关响应)的影响。实验结果表明,在经历一定时间的^(60)Coγ射线辐照过后,器件的各项静态参数发生了不同程度的退化,同时器件的开启延迟略微缩短,关断延迟骤增,总开关损耗增大。γ射线辐照导致器件静态特性退化的同时其动态特性也在改变,但两者退化规律具有一定的差异性。 展开更多

关键词 碳化硅 总剂量效应 静态参数 动态特性

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背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理

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作者 王海洋 郑齐文 +2 位作者 崔江维 李豫东 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第6期449-455,共7页

研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著... 研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 掩埋氧化物 背栅调控 总剂量辐照

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