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基于PREF的扫描磁铁电源设计与实现
1
作者
樊琪
臧航
+4 位作者
郭旗
燕宏斌
史成城
上官靖斌
张云
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期106-111,共6页
PREF装置是中国科学院新疆理化技术研究所与近代物理研究所联合设计建造的10~60 MeV质子同步加速器,属于国内唯一的位移损伤效应模拟试验专用装置。针对该装置的扫描磁铁电源输出电流频率200 Hz、跟踪误差小于≤±5×10^(-3)的...
PREF装置是中国科学院新疆理化技术研究所与近代物理研究所联合设计建造的10~60 MeV质子同步加速器,属于国内唯一的位移损伤效应模拟试验专用装置。针对该装置的扫描磁铁电源输出电流频率200 Hz、跟踪误差小于≤±5×10^(-3)的技术要求,采用三组H桥串联拓扑方案,通过移相控制,基于脉宽调制实现技术要求。经仿真与测试结果表明:电源能够输出峰-峰值为±420 A,幅值与频率均连续可调的高精度三角波电流,满足工程应用要求。
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关键词
扫描磁铁电源
跟踪误差
三组H桥串联
移相控制
脉宽调制
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职称材料
BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
2
作者
许世萍
崔江维
+7 位作者
郑齐文
刘刚
邢康伟
李小龙
施炜雷
王信
李豫东
郭旗
《强激光与粒子束》
2025年第5期86-93,共8页
针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升...
针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升的现象,同时发现总剂量辐射对输出电阻几乎无影响。对比两种栅极驱动器辐照前后的测试结果,证明环栅加固方法对抑制总剂量辐射引起的边缘漏电有一定的效果,但辐照总剂量达到500 krad(Si)时,加固器件发生功能失效。通过仿真模拟各级晶体管辐射损伤对器件最终输出结果的影响,确定初级施密特反相器内阈值电压漂移影响转换电压,而末级晶体管阈值电压漂移导致输出高电平下降。
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关键词
BCD工艺
栅极驱动器
总剂量效应
环栅加固器件
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职称材料
题名
基于PREF的扫描磁铁电源设计与实现
1
作者
樊琪
臧航
郭旗
燕宏斌
史成城
上官靖斌
张云
机构
新疆
大学电气工程学院
新疆极端环境电子学重点实验室
中国科学院近代物理研究所
西安交通大学核科学与技术学院
出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期106-111,共6页
基金
自治区天山英才计划-天山创新团队项目。
文摘
PREF装置是中国科学院新疆理化技术研究所与近代物理研究所联合设计建造的10~60 MeV质子同步加速器,属于国内唯一的位移损伤效应模拟试验专用装置。针对该装置的扫描磁铁电源输出电流频率200 Hz、跟踪误差小于≤±5×10^(-3)的技术要求,采用三组H桥串联拓扑方案,通过移相控制,基于脉宽调制实现技术要求。经仿真与测试结果表明:电源能够输出峰-峰值为±420 A,幅值与频率均连续可调的高精度三角波电流,满足工程应用要求。
关键词
扫描磁铁电源
跟踪误差
三组H桥串联
移相控制
脉宽调制
Keywords
scanning magnet power supply
tracking error
three stage H-bridge series
phase shift control
pulse width modulation
分类号
TL506 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
2
作者
许世萍
崔江维
郑齐文
刘刚
邢康伟
李小龙
施炜雷
王信
李豫东
郭旗
机构
新疆极端环境电子学重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
2025年第5期86-93,共8页
基金
新疆维吾尔自治区重点研发计划项目(2023B01008)
国家重点研发计划项目(2021YFB2401602)
+2 种基金
国家自然科学基金项目(12275352)
新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(2022D01E92)
中国科学院青年创新促进会项目。
文摘
针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升的现象,同时发现总剂量辐射对输出电阻几乎无影响。对比两种栅极驱动器辐照前后的测试结果,证明环栅加固方法对抑制总剂量辐射引起的边缘漏电有一定的效果,但辐照总剂量达到500 krad(Si)时,加固器件发生功能失效。通过仿真模拟各级晶体管辐射损伤对器件最终输出结果的影响,确定初级施密特反相器内阈值电压漂移影响转换电压,而末级晶体管阈值电压漂移导致输出高电平下降。
关键词
BCD工艺
栅极驱动器
总剂量效应
环栅加固器件
Keywords
BCD technology
gate driver
total ionizing dose effect
enclosed layout device
分类号
TN432 [电子电信]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
基于PREF的扫描磁铁电源设计与实现
樊琪
臧航
郭旗
燕宏斌
史成城
上官靖斌
张云
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
2
BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
许世萍
崔江维
郑齐文
刘刚
邢康伟
李小龙
施炜雷
王信
李豫东
郭旗
《强激光与粒子束》
2025
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