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固定床直接法合成三乙氧基硅烷的研究 被引量:1
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作者 徐茂兰 籍煜雯 +5 位作者 郭瑞丽 张建树 张金利 高娟 刘富贵 万伟 《石河子大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第6期670-676,共7页
本文通过真空蒸发沉积预处理增强CuCl与硅颗粒之间的相互作用,从而提高直接合成三乙氧基硅烷的反应效率。真空蒸发沉积法有利于促进氯化亚铜沉积到硅颗粒表面,形成Cu_(3)Si活性相。在固定床反应器中,对预处理样品进行催化活性评价,研究... 本文通过真空蒸发沉积预处理增强CuCl与硅颗粒之间的相互作用,从而提高直接合成三乙氧基硅烷的反应效率。真空蒸发沉积法有利于促进氯化亚铜沉积到硅颗粒表面,形成Cu_(3)Si活性相。在固定床反应器中,对预处理样品进行催化活性评价,研究不同铜物种对直接合成三乙氧基硅烷的影响。考察了预处理温度、预处理时间、及不同反应温度等因素对硅粉转化率、三乙氧基硅烷选择性和收率的影响。在最优工艺条件,硅粉的最大转化率为5.79%,三乙氧基硅烷选择性为83.48%。采用XRD、SEM对预处理样品进行了表征,以及原子吸收测定预处理样品中不同铜物种的含量,结果表明Cu_(3)Si是催化合成三乙氧基硅烷的活性中心。 展开更多
关键词 三乙氧基硅烷 氯化亚铜 预处理 Cu_(3)Si 蒸发沉积
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多晶硅工艺中低聚氯硅烷催化裂解制单硅烷的研究 被引量:1
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作者 赵文龙 籍煜雯 +5 位作者 彭文才 张建树 张金利 王西玉 郑盛涛 万伟 《石河子大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第3期278-283,共6页
改良西门子法生产多晶硅的过程中会产生大量的副产物低聚氯硅烷。本文取自120~180℃沸程段的低聚氯硅烷采用GC和600 MHz液体核磁硅谱共振仪(;Si NMR)进行定性及定量分析,确定其含有0.53%的SiHCl_(3)、3.34%的SiCl;、7.56%的Si_(2)OCl_(6... 改良西门子法生产多晶硅的过程中会产生大量的副产物低聚氯硅烷。本文取自120~180℃沸程段的低聚氯硅烷采用GC和600 MHz液体核磁硅谱共振仪(;Si NMR)进行定性及定量分析,确定其含有0.53%的SiHCl_(3)、3.34%的SiCl;、7.56%的Si_(2)OCl_(6)、12.05%的Si_(2)HCl_(5)及76.53%的Si_(2)Cl_(5)(均以质量百分比计)。随后采用HCl做裂解气,N,N-二甲基苯胺做催化剂,发现Si_(2)HCl_(5)比Si_(2)Cl_(5)反应快,而Si_(2)OCl_(6)含量在反应前后基本保持不变。Si_(2)Cl_(5)的裂解率随催化剂添加量的增多而显著增大,表明该催化剂对低聚氯硅烷裂解反应具有良好的催化活性,在1.0%的N,N-二甲基苯胺、反应温度120℃、HCl气速30 mL/min及350 r/min下反应180 min,反应裂解率最高为89.13%,单硅烷收率为92.08%。 展开更多
关键词 多晶硅 低聚氯硅烷 催化裂解 N N-二甲基苯胺 HCL
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