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薄片陶瓷材料凝胶流延成型(Gel—Tape—Casting)工艺研究 被引量:5
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作者 向军辉 黄勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期105-107,共3页
利用有机单体的聚合原理,成功进行了陶瓷薄片材料的凝胶流延成型。通过对普通流延机设备的改进,克服了单体聚合反应中的氧气阻聚问题,浆料在一定温度和气氛条件下能够顺利完成聚合反应。所成型的坯体在1550℃经2h烧结,烧结样... 利用有机单体的聚合原理,成功进行了陶瓷薄片材料的凝胶流延成型。通过对普通流延机设备的改进,克服了单体聚合反应中的氧气阻聚问题,浆料在一定温度和气氛条件下能够顺利完成聚合反应。所成型的坯体在1550℃经2h烧结,烧结样品显微结构均匀,致密度达到97.7%。 展开更多
关键词 薄片陶瓷材料 凝胶流延成型工艺 显微结构 致密性
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铅系多层陶瓷电容器(MLCCs)三层镀失效机理的研究 被引量:1
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作者 王永力 李龙士 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期195-196,共2页
从电化学的角度,解释了铅系多层陶瓷电容器(MLCCs)三层镀后低压失效的机理。通过SEM、EDS等分析手段,分析了三层镀过程中氢的析出对铅基陶瓷的还原作用。实验结果表明,电镀过程中析出的活性很高的氢原子能够很容易地穿... 从电化学的角度,解释了铅系多层陶瓷电容器(MLCCs)三层镀后低压失效的机理。通过SEM、EDS等分析手段,分析了三层镀过程中氢的析出对铅基陶瓷的还原作用。实验结果表明,电镀过程中析出的活性很高的氢原子能够很容易地穿透疏松结构的银端电极,并对陶瓷基体产生还原作用,导致陶瓷材料中出现金属态的铅,从而使陶瓷材料中参与导电的电子数目增多,降低陶瓷材料的绝缘性能,引起低压失效。 展开更多
关键词 低压失效 多层陶瓷电容器 还原 铅基陶瓷
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Si3N4/BN纤维独石陶瓷阻力曲线的研究
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作者 李淑琴 黄勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期236-238,共3页
通过压痕小裂纹直接量测法获得Si3N4/BN纤维独石陶瓷的阻力曲线,采用指数经验公式拟合处理了实验数据解释了拟全参数的物理意义。对纤维独石陶瓷阻力曲线所具有的独特的阶梯状进行了分析。
关键词 阻力曲线 纤维独石陶瓷 氮化硅 氮化硼
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Φ2mm棒状压电陶瓷微马达的研究
4
作者 阎立 褚祥诚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期178-179,共2页
研制了一种成本低廉、结构简单的直径Φ2mm的摆头式棒状压电微马达。文中详细阐述了微马达的驱动机理、制作工艺及部分压电微马达的工作特性。该压电微马达的换能激振部分采用外形尺寸Φ2mm×8mm的压电陶瓷圆棒,马达整体... 研制了一种成本低廉、结构简单的直径Φ2mm的摆头式棒状压电微马达。文中详细阐述了微马达的驱动机理、制作工艺及部分压电微马达的工作特性。该压电微马达的换能激振部分采用外形尺寸Φ2mm×8mm的压电陶瓷圆棒,马达整体装配外形尺寸Φ2mm×12mm,重量不足0.25g,稳定工作频带宽,约为3kHz,最高空载转速不低于500r/min。 展开更多
关键词 微驱动器 压电陶瓷 压电超声微马达 微电机
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Improvement in Performance of Carbon-based Perovskite Solar Cells through Interface Modification with CTAC
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作者 SHEN Siming TIAN Chuanjin +5 位作者 JU Zhiyang ZHU Liangping JIANG Wenying WANG Chang'an XIE Zhipeng ZHAO Wenyan 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2024年第6期1136-1144,共9页
Carbon-based perovskite solar cells have attracted much attention,due to their low cost,simple preparation process and high chemical stability.However,the devices exhibit low photoelectric conversion efficiency,owing ... Carbon-based perovskite solar cells have attracted much attention,due to their low cost,simple preparation process and high chemical stability.However,the devices exhibit low photoelectric conversion efficiency,owing to the presence of defects and interface impedance between the perovskite active layer and the contact interface.In order to minimize the interfacial defects and improve the charge transfer performance between the perovskite layer and the contact interface,cetyltrimethylammonium chloride(CTAC)was introduced into the lower interface of HTL-free carbon-based perovskite solar cells,because CTAC can be used as interface modification material to passivate the buried interface of perovskite and promote grain growth.It was found that CTAC can not only passivate the interface defects of perovskite,but also improve the crystalline quality of perovskite.As a result,the photovoltaic conversion efficiency of reaches 17.18%,which is 12.5%higher than that of the control group.After 20 days in air with 60%RH humidity,the cell can still maintain more than 90%of the initial efficiency,which provides a new strategy for interfacial passivation of perovskite solar cells. 展开更多
关键词 carbon-based perovskite solar cells hole transport layer-free interface modification photovoltaic conversion efficiency stability
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分散剂对纳米碳化硅粉末在水中分散的影响 被引量:5
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作者 罗永明 潘伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期349-351,共3页
研究了pH2-12范围内分散剂-聚乙烯亚胺(PEI)的加入及其浓度对碳化硅粉末在水中的分散情况的影响。发现在浆料中加入分散剂时,碳化硅在pH=10.4时达到最佳分散,此时浆体呈现牛顿流体特征,表现出最小的沉降高度和最... 研究了pH2-12范围内分散剂-聚乙烯亚胺(PEI)的加入及其浓度对碳化硅粉末在水中的分散情况的影响。发现在浆料中加入分散剂时,碳化硅在pH=10.4时达到最佳分散,此时浆体呈现牛顿流体特征,表现出最小的沉降高度和最大的电位势。在酸性条件(hH=2-7)浆体产生很大的团聚,具有较大的沉降高度,较大的粒子尺寸,较低的电位值,呈现非牛顿体特征。对于碳化硅粉末适宜的分散条件是在碱性条件pH=8~10。 展开更多
关键词 PEI 分散剂 纳米碳化硅 陶瓷 分散性 胶态工艺
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TiCx在Ti3SiC2母相上的析出 被引量:2
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作者 汪长安 汤珂 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期256-258,共3页
从TiC和Ti3SiC2的晶体结构出发,分析了析出的TiCx晶粒与Ti3SiC2晶粒的位相匹配关系和析出行为,研究了TiCx晶粒的析出对Ti3SiC2材料力学性能的影响。研究发现,TiCx在Ti3SiC2的基面上析出... 从TiC和Ti3SiC2的晶体结构出发,分析了析出的TiCx晶粒与Ti3SiC2晶粒的位相匹配关系和析出行为,研究了TiCx晶粒的析出对Ti3SiC2材料力学性能的影响。研究发现,TiCx在Ti3SiC2的基面上析出,二者之间的界面分别为TiCx和Ti3SiC2中Ti原子的密排面,而且错配度较低。从TiCx与Ti3SiC2晶粒的位相匹配关系,推断出TiCx{111}∥Ti3SiC2{0001}、TiCx{111}∥Ti3SiC2{202^-5}、TiCx{001}∥Ti3SiCz{101^-5}。TiCx相的析出会降低Ti3SiC2材料硬度和韧性。 展开更多
关键词 TiCx TI3SIC2 Ti3SiC2材料 晶体结构
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高固相含量氮化硅水基浓悬浮体制备的研究 被引量:1
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作者 代建清 黄勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期89-91,共3页
运用一种特定的氮化硅粉料,研究了基悬浮特性很差的限制性因素,并通过酸洗和后续热氧化处理使其悬浮特性有了显著的提高。对改性后的氮化硅粉料,采用NH4PA高分子分散剂,研究了分散剂的用量和浆料的pH对含烧结助剂的氮化硅悬... 运用一种特定的氮化硅粉料,研究了基悬浮特性很差的限制性因素,并通过酸洗和后续热氧化处理使其悬浮特性有了显著的提高。对改性后的氮化硅粉料,采用NH4PA高分子分散剂,研究了分散剂的用量和浆料的pH对含烧结助剂的氮化硅悬浮体流变特性的影响。并在含烧结助剂的情况下,分别以TMAH和NH4PA为分散剂,制备出了低粘度的50vol%的氮化硅浓悬浮体。 展开更多
关键词 氮化硅 浓悬浮体 分散特性 陶瓷 胶态成型
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Ti3SiC2晶粒生成模型 被引量:1
9
作者 汤珂 汪长安 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期108-109,共2页
提出了关于Ti3SiC2晶粒生长的模型。在Tis3SiC2晶粒的生长中,Ti6C八面体可以作为一个独立的生长单元,Ti6C八面体的联接方式(如共面,共梭、共顶)将会对Ti3SiC2的生长形貌和生长行为产生很大的影响。... 提出了关于Ti3SiC2晶粒生长的模型。在Tis3SiC2晶粒的生长中,Ti6C八面体可以作为一个独立的生长单元,Ti6C八面体的联接方式(如共面,共梭、共顶)将会对Ti3SiC2的生长形貌和生长行为产生很大的影响。这个模型可以解释有关Ti3SiC2生长形貌的许多现象,如在使用CVD法制备Ti3SiC2时出现的{112^-0}织构。 展开更多
关键词 TI3SIC2 晶粒生长模型 陶瓷材料 晶体结构
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SrTiO3/Al2O3介电梯度功能材料的设计与制备
10
作者 陈健 张茁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期180-181,共2页
对SrTiO3/Al2O3介电梯度功能材料进行设计并对其制备工艺进行了研究。结果表明,通过采用适当的工艺,完全可以制备出SrTiO3/Al2O3介电梯度功能材料,对其介电常数的测定发现,介电常数从Al2O3到SrTi... 对SrTiO3/Al2O3介电梯度功能材料进行设计并对其制备工艺进行了研究。结果表明,通过采用适当的工艺,完全可以制备出SrTiO3/Al2O3介电梯度功能材料,对其介电常数的测定发现,介电常数从Al2O3到SrTiO3呈连续的梯度变化,EDAX分析发现成分也呈连续变化。 展开更多
关键词 介电常数 梯度材料 功能材料 SRTIO3 AliO3 制备
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Y—Al—Si—O—N氧氮玻璃的介电性质研究
11
作者 潘伟 侯丽坤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期204-206,共3页
用粉末烧结法制备出Y-Al-Si-O-N氧氮玻璃。测定了氧氮玻璃的介电常数和tanδ,以及钇对玻璃介电常数和tanδ的影响。发现氧氮玻璃的介电常数随钇含量的减少而减少。对制得的氧氮玻璃进行热处理,加热到970℃保温4... 用粉末烧结法制备出Y-Al-Si-O-N氧氮玻璃。测定了氧氮玻璃的介电常数和tanδ,以及钇对玻璃介电常数和tanδ的影响。发现氧氮玻璃的介电常数随钇含量的减少而减少。对制得的氧氮玻璃进行热处理,加热到970℃保温4h,再升温到1200℃保温1h,随炉冷却。测定并研究热处理后氧氮玻璃的介电性质,用XRD方法观测了热处理前后的玻璃结晶状况。 展开更多
关键词 氧氮玻璃 介电常数 热处理 结晶 粉末烧结
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分子动力学在玻璃科学中的应用
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作者 胡春平 潘伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期373-375,共3页
本文介绍了分子动力学的原理和算法,阐述了分子动力学这一计算机模拟工具在玻璃科学研究中的重要作用,介绍了国内外应用分子动力学研究玻璃科学的前沿进展情况,并对分子动力学在玻璃科学中的应用前景作了展望。
关键词 分子动力学 计算机模拟 玻璃科学 应用
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