薄介质MLCC的一种常见缺陷及其制备工艺优化

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作者 邓丽云 陈长云 邱小灵 《电子工艺技术》 2025年第3期60-62,共3页

MLCC在实际使用中发生的失效,除了常见的电应力失效之外,大部分情况是MLCC自身存在缺陷。其中薄介质MLCC的内电极堆积为影响其可靠性的常见问题,多为生产制程和过程管控不稳定导致出现部分内电极层堆积,引起电极的绝缘下降,影响了产品... MLCC在实际使用中发生的失效,除了常见的电应力失效之外,大部分情况是MLCC自身存在缺陷。其中薄介质MLCC的内电极堆积为影响其可靠性的常见问题,多为生产制程和过程管控不稳定导致出现部分内电极层堆积,引起电极的绝缘下降,影响了产品的可靠性能。对薄介质MLCC常见的内电极堆积问题和多层陶瓷电容器制备工艺深入开展了讨论与分析,并提出了相应的改善方案和预防措施。 展开更多

关键词 薄介质 MLCC 缺陷 内电极 堆积 制备工艺

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01005型MLCC关键制备工艺研究 被引量：8

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作者 卓金丽 安可荣 陆亨 《电子工艺技术》 2018年第1期46-48,57,共4页

为了提高01005型多层陶瓷电容器(MLCC)的切割合格率,对丝印、叠层等关键制备工艺进行了研究。通过试验发现:要获得良好的超小尺寸内电极印刷质量,有必要采用高目数的丝网,还可以适当地缩减电极图案区域以减少电极图案变形。采用具有辅... 为了提高01005型多层陶瓷电容器(MLCC)的切割合格率,对丝印、叠层等关键制备工艺进行了研究。通过试验发现:要获得良好的超小尺寸内电极印刷质量,有必要采用高目数的丝网,还可以适当地缩减电极图案区域以减少电极图案变形。采用具有辅助图案的丝网在介质膜片上印刷内电极,叠层后内电极对位可以满足精度要求。层压需要选择合适的压力和升压速率,防止膜坯巴块发生内部滑移和变形。上述关键工艺的优化为提高01005型MLCC的切割合格率提供了良好的前提条件。 展开更多

关键词 01005 多层陶瓷电容器 工艺 丝印 内电极 叠层 切割

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排胶工艺对MLCC热应力裂纹的影响 被引量：2

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作者 邓丽云 陈长云 +2 位作者 黄旭业 邱小灵 武垦生 《电子工艺技术》 2023年第6期41-43,共3页

NP0特性多层陶瓷电容器(MLCC)在电子产品中广泛使用,在使用过程中不可避免会出现温度变化,芯片内部易产生热应力。应力会使MLCC内部瓷介在最薄弱的地方产生微裂纹,影响产品的可靠性。研究了排胶工艺对NP0特性薄介质MLCC热应力裂纹的影... NP0特性多层陶瓷电容器(MLCC)在电子产品中广泛使用,在使用过程中不可避免会出现温度变化,芯片内部易产生热应力。应力会使MLCC内部瓷介在最薄弱的地方产生微裂纹,影响产品的可靠性。研究了排胶工艺对NP0特性薄介质MLCC热应力裂纹的影响。结果发现通过优化排胶工艺可以使得生坯中排胶后的残留碳减少,从而减少其在高温烧结过程中与内电极的氧化镍反应后导致瓷介存在的体积变化,可以有效预防NP0特性薄介质热应力裂纹的产生。 展开更多

关键词 NP0 MLCC 薄介质 排胶 碳残留 体积变化 热应力 裂纹

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制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响 被引量：5

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作者 陆亨 《电子工艺技术》 2022年第1期26-28,35,共4页

为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善... 为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度。设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围。生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105~143μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值。 展开更多

关键词 多层陶瓷电容器 薄介质 介电强度 击穿电压 预烧 碳残留 生倒

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高Q值铜内电极MLCC烧结工艺研究 被引量：4

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作者 胡霞 曾雨 《电子工艺技术》 2018年第6期359-362,共4页

提出了一种高Q值铜内电极多层陶瓷电容器(MLCC)的烧结工艺。研究了烧结工艺中烧结温度、保温时间以及烧结环境对高Q值铜内电极MLCC的损耗和绝缘性能的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分,同时可以防止铜内电极出现挥... 提出了一种高Q值铜内电极多层陶瓷电容器(MLCC)的烧结工艺。研究了烧结工艺中烧结温度、保温时间以及烧结环境对高Q值铜内电极MLCC的损耗和绝缘性能的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分,同时可以防止铜内电极出现挥铜现象。合适的保温时间可以在一定程度上改善瓷体颜色发白的现象。特殊的烧结环境可以使陶瓷芯片烧结更加致密,从根本上解决颜色发白的问题,从而解决铜内电极MLCC沉积后存在的损耗上升和绝缘性能下降的问题。 展开更多

关键词 铜内电极 Q值 损耗 绝缘 烧结温度 烧结环境 多层陶瓷电容器

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铜端头制备工艺对小尺寸MLCC可焊性的影响 被引量：1

6

作者 陆亨 《电子工艺技术》 2022年第5期282-285,共4页

为了保证小尺寸多层陶瓷电容器(MLCC)良好的可焊性,研究了铜端头制备工艺对小尺寸MLCC可焊性的影响。结果发现:铜端头的尺寸和形状的一致性是防止小尺寸MLCC回流焊发生立碑和移位的关键。封端前将陶瓷体作等离子预处理可以有效防止流挂... 为了保证小尺寸多层陶瓷电容器(MLCC)良好的可焊性,研究了铜端头制备工艺对小尺寸MLCC可焊性的影响。结果发现:铜端头的尺寸和形状的一致性是防止小尺寸MLCC回流焊发生立碑和移位的关键。封端前将陶瓷体作等离子预处理可以有效防止流挂现象,但还要配以合适的浸浆参数才能保证铜端头的一致性。烧端时采用加湿保护气氛进行排胶,并且加湿温度为40~45 ℃时,可以获得致密性好的无氧化的铜端头。致密的铜端头可有效抵挡镀液渗透,提高小尺寸MLCC的可焊性。 展开更多

关键词 铜端头 制备工艺 多层陶瓷电容器 小尺寸 可焊性 封端 烧端

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调制型Au/Sn薄膜微观形貌及合金化工艺

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作者 沓世我 李淑华 +2 位作者 李保昌 罗俊尧 杨曌 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期264-270,共7页

采用Au和Sn单质金属靶,通过直流磁控溅射法制备调制型Au/Sn薄膜(薄膜层数为3~21),经快速退火后,实现单质多层薄膜的合金化。主要研究了Au/Sn薄膜微观形貌和合金化工艺控制。结果表明,当固定薄膜总厚度为2μm时,320℃下退火10min后,膜层... 采用Au和Sn单质金属靶,通过直流磁控溅射法制备调制型Au/Sn薄膜(薄膜层数为3~21),经快速退火后,实现单质多层薄膜的合金化。主要研究了Au/Sn薄膜微观形貌和合金化工艺控制。结果表明,当固定薄膜总厚度为2μm时,320℃下退火10min后,膜层表面粗糙度与薄膜层数呈反比。薄膜层数较少(n=3)、调制周期厚度较大时,由于Au与Sn间扩散不完全,合金化不充分,造成薄膜表面起伏较大,其均值粗糙度最高达到188.5nm。随着薄膜层数不断增加,调制周期厚度减小到纳米级,薄膜也更加致密、平整,n=21时,320℃下退火10min后均值粗糙度仅为29.7nm。优化合金化工艺过程中,采用了不同的优化方法,包括增加退火温度、延长保温时间、降低薄膜总厚度和调制周期,最终在膜层厚度为700nm、退火温度为320℃、退火时间为10min的工艺条件下,获得了表面致密平整、合金化充分及金锡质量比约为80∶20的合金薄膜,均值粗糙度仅为23.5nm。 展开更多

关键词 Au/Sn薄膜 磁控溅射 微观形貌 合金化 调制型

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大功率三端子电容器的设计工艺优化

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作者 何彦颖 刘伟峰 陈长云 《电子工艺技术》 2022年第3期157-160,共4页

为开发大功率三端子电容器,对产品的设计及生产工艺进行了深入研究,优化了产品的内部结构及生产工艺。在电容器内部增加陶瓷缓冲层结构可解决电容器陶瓷体的开裂问题,增加镍浆的印刷厚度,并利用快速烧成窑炉改善内部镍金属电极的连续性... 为开发大功率三端子电容器,对产品的设计及生产工艺进行了深入研究,优化了产品的内部结构及生产工艺。在电容器内部增加陶瓷缓冲层结构可解决电容器陶瓷体的开裂问题,增加镍浆的印刷厚度,并利用快速烧成窑炉改善内部镍金属电极的连续性。通过改进工艺,改善了端电极铜层疏松多孔的结构。制出的三端子电容器可满足10 A额定电流的工作环境。 展开更多

关键词 三端子电容器 大功率 工艺优化

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磁控溅射制备铝、钛掺杂钽氮化合物薄膜的微观结构与电学性能研究 被引量：1

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作者 杨曌 曾璇 +4 位作者 李依麟 沈琦 宁洪龙 沓世我 姚日晖 《材料研究与应用》 CAS 2024年第1期150-156,共7页

采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,... 采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,TaN薄膜的粗糙度逐渐增大,晶体结构逐渐向非晶转变;Al元素掺杂时,当Al靶掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜电阻率由0.88 mΩ·cm增至82.72 mΩ·cm;Ti元素掺杂时,当Ti靶掺杂功率由0 W升至70 W,电阻率由1.03 mΩ·cm降至0.32 mΩ·cm。此时,随着Al和Ti靶材掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜的TCR值分别从-1313×10^(-6)℃^(-1)逐渐负偏至-3831×10^(-6)℃^(-1)和从-1322×10^(-6)℃^(-1)正偏至-404×10^(-6)℃^(-1)。该研究为溅射制备掺杂TaN薄膜提供了深刻的理论和实验基础。 展开更多

关键词 TAN 磁控溅射 铝掺杂 钛掺杂 微结构 电性能 薄膜 制备工艺

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BaTiO_(3)基超薄层BME MLCC的可靠性机理

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作者 朱超琼 蔡子明 +5 位作者 冯培忠 张伟晨 惠可臻 曹秀华 付振晓 王晓慧 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第1期32-41,共10页

多层陶瓷电容器(Multilayer ceramic capacitors,MLCC)作为市场占有率最高的无源电子元器件,是基础电子元件产业中需要突破关键技术的重点产品之一,在汽车电子、5G通讯、电网调频、航空航天等领域有广泛的应用。在小型化、薄层化发展趋... 多层陶瓷电容器(Multilayer ceramic capacitors,MLCC)作为市场占有率最高的无源电子元器件,是基础电子元件产业中需要突破关键技术的重点产品之一,在汽车电子、5G通讯、电网调频、航空航天等领域有广泛的应用。在小型化、薄层化发展趋势下,MLCC的介质层厚度不断降低,单层介质在相同电压下的电场显著增大,尤其是中高压超薄层MLCC。因此,MLCC的可靠性愈发成为一项关键的产品质量指标。本文结合加速老化测试、高温阻抗谱、漏电流测试,系统研究超薄层MLCC的劣化机理,揭示抑制氧空位的迁移与富集是保证超薄层MLCC可靠性的重中之重。为此,应减小介质层内部的氧空位浓度,增大其迁移所需的激活能,提高界面肖特基势垒,从而提升超薄层MLCC的可靠性。本文的研究成果为超薄层MLCC介质材料的设计提供了有力指导。 展开更多

关键词 钛酸钡 多层陶瓷电容器 可靠性 加速老化 氧空位

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基于高加速寿命试验的MLCC寿命建模研究

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作者 黄俊钦 曹秀华 +2 位作者 刘建梅 吴福根 杨少华 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第3期55-59,共5页

为了解决多层片式陶瓷电容器(MLCC)在高可靠产品应用、研发验证和产品改进等环节对快速可靠性评价技术的需求,提出了一种基于Procopowicz-Vaskas模型(P-V模型)的高加速寿命试验(HALT)评价方法,开展了某10μF 6.3 V MLCC产品在9组不同高... 为了解决多层片式陶瓷电容器(MLCC)在高可靠产品应用、研发验证和产品改进等环节对快速可靠性评价技术的需求,提出了一种基于Procopowicz-Vaskas模型(P-V模型)的高加速寿命试验(HALT)评价方法,开展了某10μF 6.3 V MLCC产品在9组不同高温、高电压下的HALT研究。获得了样品在不同温度和电压应力下的失效分布特征,其P-V寿命模型参数的激活能为1.30 eV、电场加速因子为3.79。建立了高容量MLCC产品的HALT寿命模型,为其可靠性快速评价提供了参考。 展开更多

关键词 多层片式陶瓷电容器 高加速应力 寿命试验 寿命模型

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基于LTCC的3D异质集成低通滤波器

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作者 曾竞涛 沈斌 +2 位作者 徐金旭 沓世我 章秀银 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期69-73,共5页

在射频应用中,低温共烧陶瓷(LTCC)技术是关键技术路线之一,然而使用单一介质的LTCC技术的性能很局限。为此,文中对基于LTCC的3D异质集成技术进行研究,通过调节流延配方、烧结速度、烧结温度、保温时间等工艺参数,设计异质匹配共烧的烧... 在射频应用中,低温共烧陶瓷(LTCC)技术是关键技术路线之一,然而使用单一介质的LTCC技术的性能很局限。为此,文中对基于LTCC的3D异质集成技术进行研究,通过调节流延配方、烧结速度、烧结温度、保温时间等工艺参数,设计异质匹配共烧的烧结行为控制、界面相容性和组织性能调控方案,开发出稳定可靠的LTCC集成工艺,给出基于LTCC异质集成的器件仿真设计、3D集成制备方法,并制作了一款共烧界面结合完好、性能优越的LTCC异质集成低通滤波器进行验证。验证结果表明,该异质集成技术的瓷粉性能指标和可加工特性满足使用要求,预期能够得到广泛应用。 展开更多

关键词 低温共烧陶瓷 3D异质集成 低通滤波器

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纳米银印刷电路低温烧结研究进展 被引量：2

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作者 李路海 刘媛琪 +7 位作者 韩璐 曹梅娟 高波 莫黎昕 曹秀华 黄俊 沈跃桐 吴桢 《印刷与数字媒体技术研究》 CAS 北大核心 2023年第2期10-21,共12页

纳米银导电油墨是目前应用较多的金属系导电油墨。由于织物、纸张、塑料等柔性电路基底耐热性差,印刷电路的低温烧结(<200℃)乃至室温烧结,已经成为研究热点。结合文献报道及课题组工作,本文讨论了纳米银及其制备技术;分析对比了几... 纳米银导电油墨是目前应用较多的金属系导电油墨。由于织物、纸张、塑料等柔性电路基底耐热性差,印刷电路的低温烧结(<200℃)乃至室温烧结,已经成为研究热点。结合文献报道及课题组工作,本文讨论了纳米银及其制备技术;分析对比了几种低温烧结技术,重点考察了化学烧结。相对其他烧结技术,化学烧结适用范围广、操作简单、高效节能,通过配体交换法可得到电阻率为1.21×10^(-7)Ω·m的纳米银印刷电路;光子烧结时间短,效率高,但价格昂贵;电烧结选择性强,受制于电热转换;微波烧结具有较高的选择性,但耗时长,且烧结效果与纳米颗粒的大小密切相关;等离子体烧结要求真空条件,设备复杂,烧结时间长。总体上,选择具体印刷电路的低温烧结方式,要综合考虑导电油墨、印刷电路和基材等因素。 展开更多

关键词 银纳米颗粒 低温烧结 保护剂 化学烧结 印刷电子

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MLCC产业现状及质量分析 被引量：1

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作者 任艳 王健 +4 位作者 方栓柱 倪毅强 王之哲 黎振超 谢燊坤 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第1期84-89,共6页

随着多层陶瓷电容器(MLCC)制造工艺和技术的不断发展,MLCC对质量可靠性的要求也在不断地提高。随着5G、新能源汽车和通信等行业对集成电路的需求的增大,MLCC的市场规模将会进一步地提升,技术发展也会更加的多元和多样化。对目前MLCC存... 随着多层陶瓷电容器(MLCC)制造工艺和技术的不断发展,MLCC对质量可靠性的要求也在不断地提高。随着5G、新能源汽车和通信等行业对集成电路的需求的增大,MLCC的市场规模将会进一步地提升,技术发展也会更加的多元和多样化。对目前MLCC存在的主要失效模式、失效机理和质量问题进行了梳理,对今后提高MLCC的可靠性和质量具有重要的意义。 展开更多

关键词 多层陶瓷电容器 市场现状 市场规模 质量分析

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柔性与印刷OLED研究进展 被引量：17

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作者 刘迪萱 钟锦耀 +7 位作者 唐彪 曹秀华 许伟 周尚雄 史沐杨 姚日晖 宁洪龙 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期217-228,共12页

近年来,有机发光二极管(OLED)显示凭借其自发光、响应速度快、轻薄、易于柔性制备等特点逐渐成为主流显示技术。柔性OLED与印刷OLED是OLED显示技术的两个重点发展方向。柔性OLED已初步应用于高端手机中,但还有较多问题需要解决。印刷OLE... 近年来,有机发光二极管(OLED)显示凭借其自发光、响应速度快、轻薄、易于柔性制备等特点逐渐成为主流显示技术。柔性OLED与印刷OLED是OLED显示技术的两个重点发展方向。柔性OLED已初步应用于高端手机中,但还有较多问题需要解决。印刷OLED因其节约成本的特点吸引了许多企业与科研人员的关注与开发。虽然印刷OLED技术尚未成熟,但发展非常迅速,产业化指日可待。针对柔性OLED与印刷OLED的技术问题,本文综述了柔性OLED与印刷OLED的研究进展,并对其未来发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 有机发光二极管 柔性显示 应力 喷墨打印 像素排列

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CeO2含量对SiO2-B2O3-ZnO-K2O-BaO系彩釉玻璃基料性能的影响 被引量：1

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作者 张先桂 刘小磐 +2 位作者 高朋召 廖明雅 周仁宸 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第22期22042-22046,共5页

采用熔融法制备了SiO 2-B 2O 3-ZnO-K 2O-BaO系彩釉玻璃基料,利用XRD、SEM、综合热分析、高温润湿角测量等手段研究了CeO 2添加量对玻璃基料相组成、显微形貌、热膨胀系数、特征温度和与钠钙玻璃的润湿性的影响。研究结果表明:当CeO 2... 采用熔融法制备了SiO 2-B 2O 3-ZnO-K 2O-BaO系彩釉玻璃基料,利用XRD、SEM、综合热分析、高温润湿角测量等手段研究了CeO 2添加量对玻璃基料相组成、显微形貌、热膨胀系数、特征温度和与钠钙玻璃的润湿性的影响。研究结果表明:当CeO 2的添加量高于3%(质量分数,下同)时,水淬后的玻璃基料样品在700℃进行钢化处理后,样品中会有CeO 2晶体析出。随着玻璃基料中CeO 2添加量的增加,样品的耐酸性、与钠钙玻璃润湿性和抗弯强度都先增强后降低。当CeO 2的添加量为1%时,样品与钠钙玻璃的润湿性最好,其润湿角取到最小值45.6°;当CeO 2的添加量为3%时,样品在5%(质量分数)的稀硫酸溶液中失重率取到最小值2.83 mg/cm 2,玻璃的耐酸性最好;当CeO 2的添加量为4%时,样品的抗弯强度最大,为75.69 MPa。结果表明,加入2%CeO 2的基料综合性能最优,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 二氧化铈(CeO2) 彩釉玻璃 玻璃基料 膨胀系数 润湿角

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具有“芯-壳”及纳米畴结构的X9R型钛酸钡基陶瓷介电性能研究 被引量：1

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作者 厉琨 张蕾 +4 位作者 郭瑞 于淑会 曹秀华 付振晓 孙蓉 《集成技术》 2022年第2期79-88,共10页

高容高温是下一代片式多层陶瓷电容器的重要发展方向,因此,开发具有高容高温特性的X9R型钛酸钡基介质材料,对于促进高容高温多层陶瓷电容器的发展具有重要意义。该研究以钛酸钡(BaTiO_(3),BT)为原料,利用传统固相反应烧结法,并通过调节... 高容高温是下一代片式多层陶瓷电容器的重要发展方向,因此,开发具有高容高温特性的X9R型钛酸钡基介质材料,对于促进高容高温多层陶瓷电容器的发展具有重要意义。该研究以钛酸钡(BaTiO_(3),BT)为原料,利用传统固相反应烧结法,并通过调节钛酸铋钠(Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_(3),BNT)的基体固溶量和稀土元素铌(Nb)的掺杂量,成功制备出具有较高室温介电常数和较宽容温特性的Nb掺杂BT-BNT介质体系。在此基础上,对X9R型介质材料纳米畴及“芯-壳”结构与介温特性之间的关系进行了研究。实验结果表明,当BNT固溶量为10 mol%,BT-BNT的居里温度为190℃,晶粒具有典型的90°铁电畴;在0.9BT-0.1BNT固溶体中掺杂2.0 mol%的Nb元素,介电常数为1800,损耗<2.0%,容温系数(-55~200℃)≤15%,晶粒形成明显的“芯-壳”结构,其中“芯”部具有小尺寸的纳米尺度铁电纳米畴,“壳”部为Nb均匀分布的BT-BNT固溶体。因此,0.9BT-0.1BNT-2.0Nb陶瓷是一种极具前景的X9R型多层陶瓷电容器用电介质材料。 展开更多

关键词 BT-BNT 介电性能 “芯-壳”结构 纳米畴 X9R-MLCC陶瓷

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基板表面粗糙度对电阻薄膜微观形貌及电学性能的影响 被引量：2

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作者 杨曌 李保昌 +4 位作者 王烨 罗俊尧 陆忠成 沓世我 宁洪龙 《材料研究与应用》 CAS 2022年第4期505-510,共6页

不同表面粗糙度的基板显著影响其溅射膜层的微观形貌、电阻以及残余应力,同时其本身的制备成本也相差甚远。选择表面粗糙度适合的基板,能够在保证产品性能良好、可靠性高的同时,兼顾生产成本的有效调控。基于实际生产考量,通过磁控溅射... 不同表面粗糙度的基板显著影响其溅射膜层的微观形貌、电阻以及残余应力,同时其本身的制备成本也相差甚远。选择表面粗糙度适合的基板,能够在保证产品性能良好、可靠性高的同时,兼顾生产成本的有效调控。基于实际生产考量,通过磁控溅射工艺制备两种Ti、TaN功能薄膜,系统性评估了表面粗糙度大范围梯度(R_(a)=20—1000 nm)变化的氧化铝基板对溅射膜层的影响,包括镀膜前后表面粗糙度、室温电阻率以及电阻温度系数(TCR)。结果表明:当基板表面粗糙度R_(a)<350 nm,镀膜后R_(a)无显著变化;当R_(a)>350 nm,随着基板R_(a)增加其镀膜后R_(a)显著降低;不同于R_(a),镀膜后功能薄膜层R_(z)明显低于基板值;Ti、TaN薄膜电阻率,随基板R_(a)的增加而增大;TaN功能薄膜TCR随基板R_(a)值的增加先增大后减小,负偏明显并保持在−500×10^(−6)-−550×10^(−6)℃^(−1)区间。 展开更多

关键词 表面粗糙度 电阻率 磁控溅射 电阻温度系数 功能薄膜

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固液悬浮体系下超声波浓度测量技术进展 被引量：2

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作者 陈俊羽 张乐 +4 位作者 鲍锦 曹秀华 任海东 付振晓 陈浩 《应用声学》 CSCD 北大核心 2023年第4期880-888,共9页

在工业生产和科学实验中,固液悬浮体系是一种非常重要的流体类型,其浓度与均匀性变化直接决定了最终制品的物理化学性能及服役稳定性。对其进行实时、原位、高精度测量具有重要意义。因为超声波技术具有非接触、精度高、响应速度快等优... 在工业生产和科学实验中,固液悬浮体系是一种非常重要的流体类型,其浓度与均匀性变化直接决定了最终制品的物理化学性能及服役稳定性。对其进行实时、原位、高精度测量具有重要意义。因为超声波技术具有非接触、精度高、响应速度快等优点,所以该文重点介绍了基于该技术实现固液悬浮体系浓度测量的方法,回顾了国内外发展状况,特别是对该技术在浆液混合过程监控方向的应用做出了介绍和总结。最后,对该领域的发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 超声波 固液悬浮体系 浓度 过程监控

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基于超级电容储能式电蚊拍电路的应用设计 被引量：2

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作者 曾玲辉 苏红娟 王璐 《电子设计工程》 2017年第24期157-161,165,共6页

针对电蚊拍储能电池充电时间长、易损坏、使用寿命短的问题,提出了一种基于超级电容器储能式电蚊拍的应用电路设计方案。采用超级电容器单体过压保护芯片BW6101构成的开关电阻式电压均衡5 V超级电容器模组来代替电蚊拍的储能电池,并经过... 针对电蚊拍储能电池充电时间长、易损坏、使用寿命短的问题,提出了一种基于超级电容器储能式电蚊拍的应用电路设计方案。采用超级电容器单体过压保护芯片BW6101构成的开关电阻式电压均衡5 V超级电容器模组来代替电蚊拍的储能电池,并经过DC/DC升压转换芯片TPS61220来保证电源电路有稳定输出电压。通过电路性能测试,确定该方案的可行性,最终完成充电时间短、使用寿命长的超级电容器储能式电蚊拍的应用设计。 展开更多

关键词 超级电容器 BW6101 电源芯片TPS61220 电蚊拍

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