期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制
被引量：
17
1
作者
刘国友
窦泽春
+2 位作者
罗海辉
覃荣震
黄建伟
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第16期4855-4862,共8页
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、...
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。
展开更多
关键词
高功率密度
压接型
绝缘栅双极晶体管
快速恢复二极管
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于GARCH模型的IGBT寿命预测
被引量：
20
2
作者
白梁军
黄萌
+3 位作者
饶臻
潘尚智
查晓明
刘国友
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第18期5787-5795,共9页
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化...
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。
展开更多
关键词
IGBT模块
RUL预测
失效机理
GARCH模型
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制
被引量：
17
1
作者
刘国友
窦泽春
罗海辉
覃荣震
黄建伟
机构
新型
功率
半导体器件
国家
重点
实验室
(
株洲
中
车时代
电气
股份有限公司
)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第16期4855-4862,共8页
文摘
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。
关键词
高功率密度
压接型
绝缘栅双极晶体管
快速恢复二极管
Keywords
high power density
press-pack
insulated gatebipolar transistor （IGBT）
fast recovery diode （FRD）
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于GARCH模型的IGBT寿命预测
被引量：
20
2
作者
白梁军
黄萌
饶臻
潘尚智
查晓明
刘国友
机构
武汉大学
电气
与自动化学院
新型
功率
半导体器件
国家
重点
实验室
(
株洲
中
车时代
电气
股份有限公司
)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第18期5787-5795,共9页
基金
国家自然科学基金重点项目(51637007)。
文摘
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。
关键词
IGBT模块
RUL预测
失效机理
GARCH模型
Keywords
IGBT power module
remaining useful life prediction
failure mechanism
GRACH model
分类号
TM46 [电气工程—电器]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制
刘国友
窦泽春
罗海辉
覃荣震
黄建伟
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018
17
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于GARCH模型的IGBT寿命预测
白梁军
黄萌
饶臻
潘尚智
查晓明
刘国友
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020
20
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
