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铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究 被引量:1
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作者 张际亮 沃银花 +2 位作者 郦剑 甘正浩 徐亚伯 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1243-1246,共4页
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.... 采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁. 展开更多
关键词 常压化学气相沉积(APCVD) 铝基SiOx膜层 显微结构 光学性能
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