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生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
被引量：
2
1
作者
杨园静
涂洁磊
+1 位作者
李雷
姚丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期461-464,共4页
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池...
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。
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关键词
INAS
GaAs量子点
生长温度
三结叠层量子点电池
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职称材料
温度变化对一维声子晶体带隙的调控分析
被引量：
2
2
作者
邱学云
胡家光
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014年第4期39-43,共5页
设计出基体材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),散射体材料为钛酸锶钡(BST)的一维声子晶体匀直杆.因为组成该结构的2种材料的弹性模量和泊松比都与温度相关,温度的改变将引起材料物理参数的变化,从而导致晶体中弹性波带隙结构的变化.采用...
设计出基体材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),散射体材料为钛酸锶钡(BST)的一维声子晶体匀直杆.因为组成该结构的2种材料的弹性模量和泊松比都与温度相关,温度的改变将引起材料物理参数的变化,从而导致晶体中弹性波带隙结构的变化.采用集中质量法,仿真计算该声子晶体中温度分别为30℃和45℃情况下,2种结构的带隙分布情况,寻找相应的变化规律。研究表明:对于一维二组元BST/PBT匀直杆状声子晶体结构,随着结构温度由30℃增大为45℃,该声子晶体的第1带隙及第2带隙的起始频率、截止频率以及带隙的中心频率降低;同时,温度增大能够减小第1带隙的带隙宽度,增大第2带隙的带隙宽度。温度变化为调控声子晶体的带隙特性提供了新的设计思路。另外,基于温度变化还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得所需的带隙.
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关键词
声子晶体
带隙
集中质量法
苯二甲酸丁二醇酯
钛酸锶钡
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职称材料
题名
生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
被引量：
2
1
作者
杨园静
涂洁磊
李雷
姚丽
机构
云南师范大学太阳能研究所
文山学院信息科学学院
楚雄师范
学院
物理与电子
科学
系
大理
学院
电子工程及自动化系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期461-464,共4页
基金
云南省科技计划重点项目(2009CC012)
国家高技术发展计划(863计划)(2011AA050512)
文摘
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。
关键词
INAS
GaAs量子点
生长温度
三结叠层量子点电池
Keywords
InAs/GaAs quantum dot
growth temperature
quantum dot multiple solar cell
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
温度变化对一维声子晶体带隙的调控分析
被引量：
2
2
作者
邱学云
胡家光
机构
文山学院信息科学学院
云南大学物理系
出处
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014年第4期39-43,共5页
基金
国家自然科学基金(10664006)
云南省教育厅科研基金(2010Y093)
文摘
设计出基体材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),散射体材料为钛酸锶钡(BST)的一维声子晶体匀直杆.因为组成该结构的2种材料的弹性模量和泊松比都与温度相关,温度的改变将引起材料物理参数的变化,从而导致晶体中弹性波带隙结构的变化.采用集中质量法,仿真计算该声子晶体中温度分别为30℃和45℃情况下,2种结构的带隙分布情况,寻找相应的变化规律。研究表明:对于一维二组元BST/PBT匀直杆状声子晶体结构,随着结构温度由30℃增大为45℃,该声子晶体的第1带隙及第2带隙的起始频率、截止频率以及带隙的中心频率降低;同时,温度增大能够减小第1带隙的带隙宽度,增大第2带隙的带隙宽度。温度变化为调控声子晶体的带隙特性提供了新的设计思路。另外,基于温度变化还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得所需的带隙.
关键词
声子晶体
带隙
集中质量法
苯二甲酸丁二醇酯
钛酸锶钡
Keywords
phonon crystals
band gap
concentration quality approach
PBT
BST
分类号
O321 [理学—一般力学与力学基础]
TH113 [机械工程—机械设计及理论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
杨园静
涂洁磊
李雷
姚丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
温度变化对一维声子晶体带隙的调控分析
邱学云
胡家光
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014
2
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职称材料
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