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RF-PECVD制备硼掺杂氢化非晶硅氧(a-SiO_x∶H)薄膜及其光电特性研究
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作者 刘小娇 施光辉 +3 位作者 殷俊传 刘虹霞 涂晔 胡志华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1646-1650,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,在不同CO2与硅烷气体流量比（RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0）、衬底温度（TS=200℃）、乙硼烷掺杂浓度（RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%）、高氢稀释比（RH=[H2]/[SiH4]=200）、高气压... 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,在不同CO2与硅烷气体流量比（RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0）、衬底温度（TS=200℃）、乙硼烷掺杂浓度（RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%）、高氢稀释比（RH=[H2]/[SiH4]=200）、高气压（220 Pa）和高功率密度（1 W·cm^-2）条件下制备一系列氢化非晶硅氧（a-SiOx∶H）薄膜。通过分光光度计（UV-VIS）透射谱分析薄膜折射率n、光学带隙Eg与RC的关系;采用绝缘电阻测试仪进行变温暗电导测试,分析讨论暗电导σd、激活能Ea与RC的关系;运用傅里叶变换红外光谱（FTIR）对薄膜的键合模式及薄膜中氧、氢含量进行分析表征。结果显示,随RC增加,薄膜光学带隙展宽,折射率减小,激活能Ea增大,费米能级向导带底移动,薄膜缺陷增多。 展开更多
关键词 氢化非晶硅氧 硼掺杂 激活能 傅里叶红外谱
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CO2/SiH4气体流量比对氢化硅氧（SiOx:H）薄膜微结构和光学特性的影响
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作者 刘小娇 施光辉 +3 位作者 涂晔 刘洁青 王书荣 胡志华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期149-153,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法,以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比（R℃C=[CO℃2]/[Si H℃4]=0、0.5、1、2）和不同的衬底温度（200和250℃）在高气压（220 Pa）和高功率密度（1 W/cm^2）条件下制备了一系列的氢化硅氧（Si... 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法,以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比（R℃C=[CO℃2]/[Si H℃4]=0、0.5、1、2）和不同的衬底温度（200和250℃）在高气压（220 Pa）和高功率密度（1 W/cm^2）条件下制备了一系列的氢化硅氧（SiO℃x∶H）薄膜。运用Raman谱、XRD和紫外-可见光透射谱（UV-VIS）对材料的微结构和光学特性进行测试与分析。实验发现,薄膜沉积速率高达0.60 nm/s;同时,随着掺入气体CO℃2流量增加,薄膜由微晶＋非晶两相结构逐渐转化为非晶相;在500~750 nm波长范围内,氧的掺入使薄膜折射率下降（从3.67到2.65）、光学带隙增大（从1.52~2.26 eV）。 展开更多
关键词 氢化非晶硅氧 光学带隙 二氧化碳 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
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