以Si C-MOSFET和Si-IGBT器件混合型三电平有源中点钳位3L-ANPC(three-level active neutral point clamped)变流器拓扑为研究对象,对3种脉宽调制方式下的共模电磁干扰CM EMI(common-mode electromagnetic interference)特性进行研究。...以Si C-MOSFET和Si-IGBT器件混合型三电平有源中点钳位3L-ANPC(three-level active neutral point clamped)变流器拓扑为研究对象,对3种脉宽调制方式下的共模电磁干扰CM EMI(common-mode electromagnetic interference)特性进行研究。首先介绍了3L-ANPC变流器拓扑结构中Si C-MOSFET和Si-IGBT器件的2种组合模式及3种调制方式,然后对3L-ANPC变流器拓扑共模噪声传输机理进行分析,基于分析建立了包含寄生参数和噪声源的EMI模型,并推导出每种调制方式下传导路径的阻抗表达式,得到了共模传导路径阻抗特性曲线。最终通过实验验证了3种调制方式下器件混合型3L-ANPC变流器拓扑共模噪声的分析结论。展开更多
文摘以Si C-MOSFET和Si-IGBT器件混合型三电平有源中点钳位3L-ANPC(three-level active neutral point clamped)变流器拓扑为研究对象,对3种脉宽调制方式下的共模电磁干扰CM EMI(common-mode electromagnetic interference)特性进行研究。首先介绍了3L-ANPC变流器拓扑结构中Si C-MOSFET和Si-IGBT器件的2种组合模式及3种调制方式,然后对3L-ANPC变流器拓扑共模噪声传输机理进行分析,基于分析建立了包含寄生参数和噪声源的EMI模型,并推导出每种调制方式下传导路径的阻抗表达式,得到了共模传导路径阻抗特性曲线。最终通过实验验证了3种调制方式下器件混合型3L-ANPC变流器拓扑共模噪声的分析结论。
