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题名PECVD进气盖板结构对腔室温度场影响规律研究
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作者
齐熙展
田凤杰
崔雨
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机构
沈阳理工大学机械工程学院
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
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出处
《真空科学与技术学报》
北大核心
2025年第2期132-137,共6页
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文摘
半导体薄膜沉积技术中反应腔室的温度控制直接影响晶圆沉积薄膜的质量与精度,为了良好实现在工艺过程中腔室温度的准确性和一致性,进行了腔室的重要部件进气盖板结构对温度场的影响特点及规律的研究。对进气盖板进行了结构拓扑设计、以及整体腔室温度场的理论分析与仿真研究。对比仿真结果,分析盖板不同散热结构对腔室内温度场的分布和影响规律。研究结果发现:在不受射频干扰下,进气盖板的三种不同散热结构对腔室温度场没有明显影响。喷淋板下方2 mm处温度场温度分布均匀,随散热通道与腔室距离变化波动很小,整体温度呈中间高边缘低的特质。在射频的干扰下,散热通道与腔室距离越远,其对腔室温度控制能力变弱,腔室温度场的温度保持性会变差,温度一致性大大降低。
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关键词
芯片制造
反应腔室
温度控制
机构设计
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Keywords
Chip manufacturing
Reaction chamber
Temperature control
Mechanism design
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分类号
TB71
[一般工业技术—真空技术]
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