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压控型脉冲功率半导体器件技术及应用
被引量：
4
1
作者
孙瑞泽
陈万军
+3 位作者
刘超
刘红华
姚洪梅
张波
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期94-102,共9页
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、...
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。
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关键词
脉冲功率技术
脉冲功率半导体开关
MOS栅控晶闸管
电压控制
重复脉冲
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职称材料
题名
压控型脉冲功率半导体器件技术及应用
被引量：
4
1
作者
孙瑞泽
陈万军
刘超
刘红华
姚洪梅
张波
机构
电子
科技
大学集成电路科学与工程学院
湖北三江航天红林探控
有限公司
成都智达和创信息科技有限公司
出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期94-102,共9页
基金
国家自然科学基金项目(62334003)。
文摘
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。
关键词
脉冲功率技术
脉冲功率半导体开关
MOS栅控晶闸管
电压控制
重复脉冲
Keywords
pulse power technology
pulse power semiconductor switch
MOS-controlled thyristor
voltagecontrolled
repetitive pulse
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压控型脉冲功率半导体器件技术及应用
孙瑞泽
陈万军
刘超
刘红华
姚洪梅
张波
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024
4
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