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题名W波段三路合成GaN功率放大器MMIC
被引量：4
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作者
刘如青
张力江
魏碧华
何健
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
成都天箭科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期521-525,564,共6页
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文摘
基于GaN HEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC。利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC。该芯片的制作采用了0.1μm T型栅GaN HEMT技术,衬底为50μm厚的SiC。芯片为三级级联拓扑结构,采用高低阻抗传输线、介质电容等进行匹配和偏置电路设计,实现低损耗输出,芯片尺寸为3.37 mm×3.53 mm×0.05 mm。测试结果表明,在漏源工作电压15 V、88~92 GHz频率范围内,该MMIC的线性增益大于15 dB,饱和输出功率大于3 W。该MMIC具有功率大、输入输出回波损耗小及应用范围广的优势。
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关键词
W波段
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
功率放大器
耦合器
单片微波集成电路(MMIC)
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Keywords
W-band
GaN high electron mobility transistor(HEMT)
power amplifier
coupler
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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