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S波段GaN HEMT宽带逆F类高效率功率放大器设计 被引量：3
1
作者 王韧 罗孝均 +2 位作者 杨仕润 徐洪波 朱世贵 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第5期59-62,共4页
提出一种宽频带GaN HEMT逆F类功率放大器设计方法,并完成S波段高效率功率放大器的研制。首先对改进的GaN HEMT Angelov大信号缩放模型进行分析,确定功放管栅宽模型参数;然后通过输出电容补偿、负载牵引技术获得最佳输入、输出阻抗,设计... 提出一种宽频带GaN HEMT逆F类功率放大器设计方法,并完成S波段高效率功率放大器的研制。首先对改进的GaN HEMT Angelov大信号缩放模型进行分析,确定功放管栅宽模型参数;然后通过输出电容补偿、负载牵引技术获得最佳输入、输出阻抗,设计谐波控制网络实现对谐波阻抗的峰化;最后基于宽频带、高效率原则完成电路仿真版图优化。为验证该方法,基于国产GaN HEMT(栅宽1.25mm)设计了一款中心频率2.9GHz,带宽大于40%的高效率逆F类功放,测试结果表明频带内输出功率均大于3W、漏极效率达到60%。 展开更多
关键词 GAN HEMT 大信号模型 逆F类 高效率 S波段
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