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Pb-I系统的相变分析与PbI2晶体生长
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作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 魏昭荣 高秀英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期350-353,共4页
对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究。结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部。据此,设计出特殊... 对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究。结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部。据此,设计出特殊结构的石英生长安瓿,采用垂直Bridgman法生长出尺寸为φ10mm×20mm、完整性好的PbI2晶体。XRD分析结果表明该晶体为2H结构,Pml空间群,EDX分析结果表明沉积于籽晶袋球泡中的Pb含量为100at%,晶体生长实验的结果与Pb-I系统的相变分析一致。 展开更多
关键词 Pb-I系统 相变 富铅配料 PbI2晶体 晶体生长
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基于H-S波前传感器的正支共焦腔准直技术研究
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作者 张翔 向安平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期430-433,共4页
采用H-S波前传感器对非稳腔进行了实验调腔技术研究,指出了正支共焦腔调腔的原则,以输出光束近场强度和相位分布这一双重依据作为谐振腔是否调好的标准。进行非稳腔调腔时,首先应当保证整个光路共光轴使输出强度分布均匀,但此时光束中... 采用H-S波前传感器对非稳腔进行了实验调腔技术研究,指出了正支共焦腔调腔的原则,以输出光束近场强度和相位分布这一双重依据作为谐振腔是否调好的标准。进行非稳腔调腔时,首先应当保证整个光路共光轴使输出强度分布均匀,但此时光束中可能还包含离焦等高阶像差,因此在腔外用Hartmann-Shack波前传感器进行光束相位测量,得到了35阶像差Zernike系数、波面PV和RMS值,进一步计算得到环围能量曲线等,从而可以全面了解输出光束质量并能有针对性地对光腔进行调整,达到较理想的光腔共轴状态。 展开更多
关键词 信息光学 正支共焦腔 H-S波前传感器 调腔共轴方法 Zernike像差
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电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究 被引量:6
3
作者 杨定宇 郑家贵 +3 位作者 朱兴华 魏昭荣 杨军 高秀英 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期427-430,共4页
采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响。测试结果显示:(1)不同衬底温度下沉积的CdS薄膜均呈现了〈002〉晶向的高度优势生长,属于六方相结构。随着衬... 采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响。测试结果显示:(1)不同衬底温度下沉积的CdS薄膜均呈现了〈002〉晶向的高度优势生长,属于六方相结构。随着衬底温度的升高,还逐渐出现了〈103〉、〈004〉、〈105〉等六方晶向;(2)CdS多晶薄膜表面连续,致密性好,且晶粒大小随着衬底温度的升高而增大;(3)低温下制备CdS薄膜吸收谱有较宽的吸收边,随着衬底温度的升高,吸收曲线趋于陡直。制备样品在550nm波段后的平均透过率都超过70%,符合作为CdTe太阳电池的窗口层。 展开更多
关键词 CDTE太阳电池 CdS多晶薄膜 电子束蒸发 晶向 晶粒尺寸 吸收边
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三五阶非线性光纤中光脉冲的啁啾和频谱 被引量:9
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作者 钟先琼 向安平 +1 位作者 陈建国 马再如 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期479-482,共4页
为了探讨光纤的五阶非线性对光脉冲传输的影响,利用同时考虑三阶和五阶非线性效应的非线性薛定谔方程,在忽略光纤色散的情况下,解析并计算研究了超高斯光脉冲的非线性相移、频率啁啾。数值模拟了光脉冲传输的功率频谱。结果表明,与只有... 为了探讨光纤的五阶非线性对光脉冲传输的影响,利用同时考虑三阶和五阶非线性效应的非线性薛定谔方程,在忽略光纤色散的情况下,解析并计算研究了超高斯光脉冲的非线性相移、频率啁啾。数值模拟了光脉冲传输的功率频谱。结果表明,与只有三阶非线性折射率的情形相比,正五阶非线性折射率的存在使光脉冲在光纤中传输的非线性相移和最大频率啁啾增大,使无啁啾光脉冲的频谱宽度变宽,谱峰数目增多,高斯脉冲初始啁啾对频谱的影响与三阶非线性折射率的情形类似;负五阶非线性折射率则使光脉冲传输的非线性相移和频率啁啾呈现新的特点,并使无啁啾光脉冲的频谱宽度变窄,谱峰数目减少。 展开更多
关键词 非线性光学 三五阶非线性 频率啁啾 功率频谱
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1维光子晶体的带隙研究 被引量:6
5
作者 何修军 谢康 +1 位作者 向安平 蒋孟衡 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期508-509,512,共3页
为了得到给定波长为通带或禁带的光子晶体,采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由光子带隙结构如何得到相应的光子晶体结构。通过优化计算得到了指定波长带隙结构的光子晶体。结果表明,光学传输矩阵法完全能得到给定波长为通带或禁带的光... 为了得到给定波长为通带或禁带的光子晶体,采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由光子带隙结构如何得到相应的光子晶体结构。通过优化计算得到了指定波长带隙结构的光子晶体。结果表明,光学传输矩阵法完全能得到给定波长为通带或禁带的光子晶体。这一结果有助于光子晶体的广泛应用。 展开更多
关键词 光学器件 光子晶体 传输矩阵法 光子带隙
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碘化铅单晶体生长新方法探索 被引量:4
6
作者 贺毅 朱世富 +3 位作者 赵北君 金应荣 朱兴华 栾道成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期289-292,333,共5页
本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发... 本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。 展开更多
关键词 PbI2 晶体生长 碘蒸发 铅沉淀 U型安瓿 提拉法
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有机小分子发光材料的研究 被引量:6
7
作者 杨定宇 蒋孟衡 涂小强 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期4-7,共4页
系统介绍了红、绿、蓝三基色有机小分子电致发光材料的分类,分析了材料发光特性与分子结构的关系,并介绍目前的最新研究进展。
关键词 有机发光材料 浓度淬灭 发光效率 色纯度
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高阶色散下随入纤功率变化的不稳定性增益谱 被引量:5
8
作者 钟先琼 向安平 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期364-366,377,共4页
为了探讨不同入纤功率下高阶色散对交叉相位调制不稳定性增益谱的影响,从光纤中包含高阶色散的耦合非线性薛定谔方程出发,采用线性稳定性分析法,分二阶、四阶色散系数同号、异号和二阶色散系数为0等几种情形,计算了双光束的交叉相位调... 为了探讨不同入纤功率下高阶色散对交叉相位调制不稳定性增益谱的影响,从光纤中包含高阶色散的耦合非线性薛定谔方程出发,采用线性稳定性分析法,分二阶、四阶色散系数同号、异号和二阶色散系数为0等几种情形,计算了双光束的交叉相位调制不稳定性增益谱随入纤光功率的变化规律,并对各种谱特性的产生机制作了分析。结果表明,当二阶、四阶色散系数同号时,随着入纤功率的增大,增益谱由开始的两个分离谱区逐渐变宽并合成1个谱区;当二阶、四阶色散系数异号和二阶色散系数为0时,增益谱只有靠近零点的第1谱区,且谱宽和谱峰随着入纤功率的增大而增大。此研究对高重复率的超短光脉冲串的产生有一定的理论指导意义。 展开更多
关键词 非线性光学 交叉相位调制不稳定性 耦合非线性薛定谔方程 高阶色散 增益谱
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负五阶非线性下预啁啾高斯光脉冲的啁啾和频谱(英文) 被引量:2
9
作者 钟先琼 向安平 +1 位作者 罗莉 李旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期13-17,共5页
为探究光纤负五阶非线性和光脉冲预啁啾对高斯光脉冲频率啁啾和频谱的综合影响,在忽略光纤色散的情况下,利用包含三五阶非线性的扩展非线性薛定谔方程,计算和分析了啁啾高斯脉冲的频谱和总啁啾。结果表明,脉冲无预啁啾时,负五阶非线性... 为探究光纤负五阶非线性和光脉冲预啁啾对高斯光脉冲频率啁啾和频谱的综合影响,在忽略光纤色散的情况下,利用包含三五阶非线性的扩展非线性薛定谔方程,计算和分析了啁啾高斯脉冲的频谱和总啁啾。结果表明,脉冲无预啁啾时,负五阶非线性的存在可使脉冲频率啁啾的形状由单“S”形变为双“S”形,并使脉冲的中心附近由正啁啾变为负啁啾。此外,负五阶非线性的存在使预啁啾对脉冲频谱的影响发生了较大的变化。预啁啾与非线性所致啁啾叠加后对脉冲频谱的谱峰数目影响较小,而对能量在各个谱峰上的分布影响较大,在某些最大非线性相移下,甚至会出现总啁啾减小使谱峰值数目增加的情况。该研究对光开关、光脉冲压缩以及光纤通信系统等领域的深入发展具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 非线性光学 负五阶非线性 频率啁啾 功率频谱
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CdS多晶薄膜的制备及性质研究 被引量:2
10
作者 杨定宇 郑家贵 +3 位作者 朱兴华 魏昭荣 夏庚培 冯良桓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1499-1501,1505,共4页
分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜。对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,... 分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜。对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39~2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小。分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关。 展开更多
关键词 CdS多晶薄膜 太阳电池 近空间升华法 电子束蒸发法
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低温多晶硅薄膜的制备评述 被引量:3
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作者 杨定宇 蒋孟衡 杨军 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-301,共4页
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以... 低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。 展开更多
关键词 低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积
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腔内像散扰动对正支共焦腔模式影响的数值分析 被引量:2
12
作者 张翔 蔡青 朱兴华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期345-349,共5页
针对激光器出光过程中腔内像差扰动带来的输出光束质量和光束能量下降问题,分析了腔内像差扰动对非稳腔模式的影响,并采用数值迭代法计算了理想情形和腔内像散扰动对无源正支共焦腔输出模式强度和相位分布的影响,进一步采用Zernike模式... 针对激光器出光过程中腔内像差扰动带来的输出光束质量和光束能量下降问题,分析了腔内像差扰动对非稳腔模式的影响,并采用数值迭代法计算了理想情形和腔内像散扰动对无源正支共焦腔输出模式强度和相位分布的影响,进一步采用Zernike模式法对光束相位进行了像差拟合,得到了前35阶Zernike像差系数、点扩散函数(PSF)分布和环围能量曲线,计算了腔内像散扰动量与远场Strehl比的关系。结果表明:对小菲涅耳数正支共焦腔,腔内像散扰动对输出光束强度和相位分布均有明显影响,相位分布中一些高阶Zerni-ke像差也有所增大。因此在进行腔内像差校正时,应优先考虑此类像差的校正。 展开更多
关键词 信息光学 正支共焦非稳腔 腔内像差扰动 光束质量 Zernike像差特性
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富铅配料合成PbI_2多晶及其熔体分层研究 被引量:2
13
作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 向安平 魏昭荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期494-497,共4页
富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象。对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离。根据富Pb... 富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象。对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离。根据富Pb配料的范围,结合文献的实验数据,可以确定在Pb-I相图中存在一个新的液相分层区域L2+L3,该区域对PbI2多晶合成和晶体生长具有指导作用。以合成的单相PbI2多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出了尺寸为15mm×30mm、外观完整、呈桔红色的PbI2晶体。 展开更多
关键词 富铅配料 多晶合成 熔体分层 晶体生长
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在点正则变换下双原子分子的广义Hulthn势映射至Pschl-TellerⅠ势(英文) 被引量:2
14
作者 杨进 向安平 朱世德 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期283-285,共3页
利用在点正则变换下形状不变势的映射方法 ,找出了该问题需要的点正则变换 ,建立了双原子分子的广义Hulth啨n势和P schl TellerⅠ势之间的关系 ,并由P schl TellerⅠ势的束缚态能级和波函数 。
关键词 双原子分子 形状不变势 广义Hulthen势 Poeschl-TellerⅠ势 点正则变换 映射方法 波函数 束缚态能级 量子力学
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高阶效应下与扰动频率相关的调制不稳定性 被引量:2
15
作者 钟先琼 向安平 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期545-547,共3页
为了探讨光纤中高阶效应下与扰动频率相关的交叉相位调制不稳定性条件和增益谱特点,从包含5阶非线性和4阶色散的耦合非线性薛定谔方程出发,采用线性稳定性分析,计算分析了两光波扰动频率不等时的不稳定性条件和增益谱。结果表明,当2阶、... 为了探讨光纤中高阶效应下与扰动频率相关的交叉相位调制不稳定性条件和增益谱特点,从包含5阶非线性和4阶色散的耦合非线性薛定谔方程出发,采用线性稳定性分析,计算分析了两光波扰动频率不等时的不稳定性条件和增益谱。结果表明,当2阶、4阶色散同号时,增益谱有两种可能的形式,其中一种的谱范围包含了另一种的。被包含谱的不稳定条件与通常情况不同,且谱特性受色散和5阶非线性的影响小。随着某一扰动频率增大,增益谱的谱区数及变化规律将随两光波所处的光纤色散区的不同而不同。而正(负)5阶非线性可使谱峰增加(减小)、谱宽变宽(窄)。该研究对高重复率脉冲串产生具有一定意义。 展开更多
关键词 非线性光学 交叉相位调制不稳定性 线性稳定性分析 5阶非线性 高阶色散 扰动频率
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有机薄膜发光器件的研究进展 被引量:1
16
作者 杨定宇 蒋孟衡 +1 位作者 杨军 何修军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期461-465,共5页
有机薄膜电致发光器件具有发光效率高、驱动电压低、功耗小、响应速度快等优点,已成为近年来显示技术领域的研究热点。基于有机发光器件的能级结构,分析了电极、有机薄膜以及界面三者对器件性能的影响及相应的改进措施。重点介绍了有机... 有机薄膜电致发光器件具有发光效率高、驱动电压低、功耗小、响应速度快等优点,已成为近年来显示技术领域的研究热点。基于有机发光器件的能级结构,分析了电极、有机薄膜以及界面三者对器件性能的影响及相应的改进措施。重点介绍了有机发光材料的研究进展,简要介绍了国内外在有机电致发光显示方面的最新进展。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 分子能级 发光性能 发光材料
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五阶非线性下不同形状脉冲对的交叉相位调制 被引量:2
17
作者 钟先琼 向安平 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期305-307,共3页
为了探讨光纤中五阶非线性下不同形状光脉冲对的交叉相位调制特性,从包含五阶非线性效应的扩展耦合非线性薛定谔方程组出发,导出了不同形状光脉冲对的非线性相移和频率啁啾公式。计算并比较了它们的相移、啁啾和功率频谱。结果表明,较... 为了探讨光纤中五阶非线性下不同形状光脉冲对的交叉相位调制特性,从包含五阶非线性效应的扩展耦合非线性薛定谔方程组出发,导出了不同形状光脉冲对的非线性相移和频率啁啾公式。计算并比较了它们的相移、啁啾和功率频谱。结果表明,较强的负五阶非线性对相移、啁啾和频谱曲线中心附近的形状有较大的影响,而正五阶(较弱的负五阶)非线性则只使相移和啁啾量增大(减小),使频谱变宽(变窄)、谱峰变多(变少)。孤子对和高斯对的谱形相似,随五阶非线性系数的不同,能量最强的谱峰可能在中央附近也可能在最边缘处。各阶超高斯对的谱形也相似,但能量大部分集中在中央峰处。研究对光脉冲压缩、光开关器件和光纤通信系统性能的提高等有一定的意义。 展开更多
关键词 非线性光学 五阶非线性 交叉相位调制 频率啁啾 功率频谱
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一种自动识别最优阈值的图像分割方法 被引量:31
18
作者 陈敏 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2006年第4期85-86,共2页
阈值分割是图像分割的常用方法,但至今没有一种对多数图像都适用的阈值选择的通用方法。本文基于图像的灰度级特征,以前景和背景最大程度地分开为判据,提出了一种简捷的自动识别最优阈值的图像分割方法。该方法对更多图像都可以给出最... 阈值分割是图像分割的常用方法,但至今没有一种对多数图像都适用的阈值选择的通用方法。本文基于图像的灰度级特征,以前景和背景最大程度地分开为判据,提出了一种简捷的自动识别最优阈值的图像分割方法。该方法对更多图像都可以给出最佳的阈值,达到较好的图像分割效果。 展开更多
关键词 图像分割 自适应阈值 阈值选择
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近空间升华法制备CdS多晶薄膜的研究 被引量:1
19
作者 杨定宇 夏庚培 +2 位作者 郑家贵 冯良桓 蔡亚平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期56-61,共6页
系统地研究了近空间升华法(CSS)制备CdS薄膜沉积速率的影响因素。发现CdS薄膜的沉积速率随升华源温度的升高而增大,但随衬底温度和沉积气压的上升而下降。对所制备样品的结构、表面形貌和光谱透过率特性进行了测试,结果表明:(1)不同氧... 系统地研究了近空间升华法(CSS)制备CdS薄膜沉积速率的影响因素。发现CdS薄膜的沉积速率随升华源温度的升高而增大,但随衬底温度和沉积气压的上升而下降。对所制备样品的结构、表面形貌和光谱透过率特性进行了测试,结果表明:(1)不同氧分压下沉积的CdS薄膜沿(103)晶向择优生长。CdCl2氛围下退火后,(103)晶向的优势得到进一步加强;(2)不同氧分压制备的CdS薄膜致密且粒径均匀,晶粒的大小随着衬底温度的升高而增大,但薄膜的粗糙度也随之增大;(3)随着CdS薄膜厚度的减小,可见光中短波段的透过率有所增大,有利于提高太阳电池的短波光谱响应。并将CSS制备的CdS多晶薄膜用于CdTe太阳电池的制作,获得了10.29%的光电转换效率,初步验证了该制作工艺的可行性。 展开更多
关键词 CDTE太阳电池 近空间升华法 CdS多晶薄膜
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穿越流场激光像差特性的动态测量——H-S波前传感器方法 被引量:1
20
作者 张翔 蔡青 朱兴华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第S1期103-106,共4页
用H-S(Hartmann-Shack)波前传感器可以精确测量穿过超声速流场的激光动态波面及其变化过程,进一步计算还可以获得光束质心漂移、远场分布等数据。讨论了利用H-S波前传感器测量穿过超声速流场激光波面的原理,并采用模式法进行波前重构,... 用H-S(Hartmann-Shack)波前传感器可以精确测量穿过超声速流场的激光动态波面及其变化过程,进一步计算还可以获得光束质心漂移、远场分布等数据。讨论了利用H-S波前传感器测量穿过超声速流场激光波面的原理,并采用模式法进行波前重构,得到了在几种流场条件下的激光波面像差特性如PV和RMS、各阶Zernike像差系数,环围能量分布和Strehl比等。结果表明,采用H-S传感器进行测量、并用模式法进行波前重构可以较好反映流场建立、稳定和结束过程中各阶Zernike像差的变化。比较无流场和给定参数的超声速流场,激光穿越后产生的最明显变化为离焦A3和低阶像散A5的增大。 展开更多
关键词 超声速流场 H-S波前传感器 激光传输特性 波前像差 Zernike像差系数
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