电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究

1

作者 朱兴华 杨定宇 +3 位作者 魏昭荣 李乐中 杨维清 杨军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期567-570,共4页

采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜，研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明，不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征，但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高，PbI2薄膜的紫外．可见透过谱透过性能提高，光学... 采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜，研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明，不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征，但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高，PbI2薄膜的紫外．可见透过谱透过性能提高，光学带隙由室温时的2．33eV增大到200℃时的2．44ev。同时发现，不同源．衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同。光致发光谱（PL）测试表明，薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁，其PL发光峰的强度和展宽随源一衬间距的增大有明显变化。论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应，发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源一衬间距有密切关系，光电导率的数量级约在10 -8～10 -9 Ω-1·cm-1之间。 展开更多

关键词 PhI2薄膜 紫外-可见透过谱 光学带隙 光致发光谱 光电导

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应变对单层碘化铅的能带及光电导率影响的第一性原理研究

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作者 郝东 朱世富 +4 位作者 赵北君 朱兴华 何知宇 杨定宇 孙辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1725-1730,1747,共7页

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法,研究了双轴拉应变下碘化铅单层晶体的电子结构和光电导性质。结果显示,其禁带宽度随拉应变增加而略呈线性下降趋势。对应变引起的光电导率的变化进行分析,表明双轴应变能使光电导... 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法,研究了双轴拉应变下碘化铅单层晶体的电子结构和光电导性质。结果显示,其禁带宽度随拉应变增加而略呈线性下降趋势。对应变引起的光电导率的变化进行分析,表明双轴应变能使光电导的峰值略微红移。进一步分析了单层碘化铅晶体的能态密度,解释了单层碘化铅晶体能带结构改变的机制。 展开更多

关键词 碘化铅 应变 禁带宽度 光电导率 第一性原理

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磁控溅射法制备CdS多晶薄膜工艺研究 被引量：8

3

作者 朱兴华 杨定宇 +3 位作者 孙辉 李乐中 彭龙 祖小涛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期671-676,共6页

采用磁控法制备了CdS薄膜,研究工艺参数对样品沉积质量、沉积速率及晶体结构的影响。实验发现,在不同衬底上制备CdS薄膜时需要采取不同的后续工艺措施以获得较好的沉积质量。同时,制备样品的沉积速率随衬底类型、衬底温度、溅射功率及... 采用磁控法制备了CdS薄膜,研究工艺参数对样品沉积质量、沉积速率及晶体结构的影响。实验发现,在不同衬底上制备CdS薄膜时需要采取不同的后续工艺措施以获得较好的沉积质量。同时,制备样品的沉积速率随衬底类型、衬底温度、溅射功率及溅射气压的变化而变化。讨论并给出了工艺参数对上述实验结果的影响机制。X射线衍射谱显示,制备样品是六方和立方两种晶型的混合,沿(002)和(111)晶面择优取向生长。随溅射功率的增大和衬底温度的升高,两种晶型互相竞争生长并分别略微占优势。当溅射功率增大到200 W,衬底温度升高到200℃时,占优势晶型消失,薄膜择优取向特性变得更好。此外,随着溅射气压的增大,样品结晶质量下降,在0.5 Pa时呈现明显非晶化现象。 展开更多

关键词 磁控溅射 CdS多晶薄膜 沉积质量 沉积速率 晶体结构

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溅射SmCo基永磁薄膜的结构和磁性能研究 被引量：5

4

作者 彭龙 李元勋 +2 位作者 李乐中 杨定宇 朱兴华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期666-670,共5页

以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于... 以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于溅射工艺条件对薄膜Sm含量的影响。高的溅射压强和溅射功率都会引起薄膜晶粒的粗大化和薄膜表面的粗糙化。薄膜的晶体结构和微观结构随溅射参数的变化决定了薄膜的面内磁学行为。当溅射压强为0.3 Pa和溅射功率为5.1 W/cm2时,制备的退火态SmCo基薄膜为TbCu7单相晶体结构,其面内永磁性能良好。 展开更多

关键词 SmCo薄膜 微机电系统 磁控溅射 相变 矫顽力

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CdS多晶薄膜的制备与光学性质研究 被引量：4

5

作者 杨定宇 朱兴华 +1 位作者 魏昭荣 孙辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期123-126,共4页

采用电子束蒸发法制备CdS多晶薄膜,研究了衬底温度和退火方式对薄膜光学性质的影响。XRD测试显示,制备样品为六方相多晶结构,沿(002)晶向择优取向生长,在200℃衬底温度时具有最大的择优取向度。对样品的紫外-可见透过谱测试表明,随着衬... 采用电子束蒸发法制备CdS多晶薄膜,研究了衬底温度和退火方式对薄膜光学性质的影响。XRD测试显示,制备样品为六方相多晶结构,沿(002)晶向择优取向生长,在200℃衬底温度时具有最大的择优取向度。对样品的紫外-可见透过谱测试表明,随着衬底温度的升高,薄膜的光吸收边逐渐变陡,光学带隙逐渐增大。退火后,CdS薄膜光吸收边变的更加陡直,光谱透过性能进一步提升,但光学带隙变化很小。此外,制备样品的XRD谱、光吸收边和光学带隙在250℃衬底温度下出现反常变化。同时对上述变化产生的根源进行了分析和讨论。 展开更多

关键词 CdS多晶薄膜 衬底温度 光吸收边 光学带隙

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艾里涡旋光束在梯度折射率介质中的动态传输与涡旋轨迹 被引量：11

6

作者 程科 夏基深 钟先琼 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期109-115,共7页

推导了艾里涡旋光束在傍轴ABCD光学系统中的传输解析式,研究了其在梯度折射率介质中的动态传输、坡印廷矢量和涡旋轨迹,及涡旋核对艾里主波瓣和坡印廷矢量的影响.结果表明:弹道轨迹和涡旋轨迹不再是传统的抛物线,而是呈三角函数分布;在z... 推导了艾里涡旋光束在傍轴ABCD光学系统中的传输解析式,研究了其在梯度折射率介质中的动态传输、坡印廷矢量和涡旋轨迹,及涡旋核对艾里主波瓣和坡印廷矢量的影响.结果表明:弹道轨迹和涡旋轨迹不再是传统的抛物线,而是呈三角函数分布;在z=(2j+1)L/4处,弹道轨迹和涡旋轨迹均会有奇异现象,且在z=(j+1)L/2附近有坡印廷矢量的反转现象.在临界传输距离处,艾里主波瓣会被涡旋核遮拦,随着传输距离的增大,艾里主波瓣由于自愈特性再次出现,并绕最近的涡旋核旋转. 展开更多

关键词 艾里涡旋光束 动态传输 坡印廷矢量 弹道轨迹

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中值滤波的视频背景更新 被引量：17

7

作者 苏礼坤 陈怀新 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期131-135,共5页

视频流的一个小时间段的图像序列的中值滤波,可以在动态目标不是特别密集的情况下获得较好的实时更新的背景图像。本文重点针对视频动态目标检测中的背景实时更新问题,采用中值滤波方法,进行了比较深入的研究,并就如何选取图像序列进行... 视频流的一个小时间段的图像序列的中值滤波,可以在动态目标不是特别密集的情况下获得较好的实时更新的背景图像。本文重点针对视频动态目标检测中的背景实时更新问题,采用中值滤波方法,进行了比较深入的研究,并就如何选取图像序列进行中值滤波进行了详细的比较计算,建立了中值滤波的理论模型。研究表明,如果图像序列时间段过短,背景中就会有比较大的目标阴影,如果图像序列时间段过长,则不能反映实时背景,在目标检测中会有较大误差。根据理论模型选取时间段适当的几帧图像进行中值滤波,就可以较好地兼顾背景实时性提取和消除目标阴影的目的。 展开更多

关键词 智能监控 动态目标检测 背景图像更新 中值滤波

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经光阑衍射的平顶涡旋光束位相奇点的演化特性 被引量：4

8

作者 程科 向安平 钟先琼 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期936-945,共10页

推导出了平顶涡旋光束通过有光阑ABCD光学系统的传输解析式,并以光阑透镜和矩形光阑系统为例,与平顶光束比较研究了截断参量、相对离轴距离和光束阶数对衍射场中位相奇点演化特性的影响.数值计算表明,平顶涡旋光束通过上述光学系统均存... 推导出了平顶涡旋光束通过有光阑ABCD光学系统的传输解析式,并以光阑透镜和矩形光阑系统为例,与平顶光束比较研究了截断参量、相对离轴距离和光束阶数对衍射场中位相奇点演化特性的影响.数值计算表明,平顶涡旋光束通过上述光学系统均存在位相奇点,即使源处涡旋被光阑阻拦时,衍射场中也会出现位相奇点;而平顶光束通过光阑透镜系统存在刃型位错,随着截断参量增大,会发生刃型位错的演化和湮灭现象,且平顶光束通过矩形光阑系统没有发现位相奇点. 展开更多

关键词 奇点光学 平顶涡旋光束 光阑衍射 刃型位错

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低温共烧陶瓷铁氧体环行器的设计与分析 被引量：4

9

作者 彭龙 王浩 +3 位作者 易祖军 黄凯雯 温保健 戴茂 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期146-152,共7页

基于叠层片式化结构对工作于S波段的低温共烧陶瓷(LTCC)铁氧体环行器进行设计和分析,模拟研究了器件制备中面临的关键问题对器件频率特性的影响。研究结果表明,采用微波铁氧体层与陶瓷介质层构成混合结构,匹配电路以三维方式进行布线和... 基于叠层片式化结构对工作于S波段的低温共烧陶瓷(LTCC)铁氧体环行器进行设计和分析,模拟研究了器件制备中面临的关键问题对器件频率特性的影响。研究结果表明,采用微波铁氧体层与陶瓷介质层构成混合结构,匹配电路以三维方式进行布线和互联,器件可以获得优良的带内特性。在器件的三维电路布线中,当连接两节阻抗线的导体圆柱端口气隙高度达到20μm时,器件的传输特性和隔离特性急剧恶化。此外,研究还发现微波铁氧体层与陶瓷介质层出现分层时,形成的气隙高度不应大于20μm,否则将导致器件的传输特性和隔离特性显著降低。因此,在进行LTCC铁氧体环行器的制备时,导体圆柱与陶瓷介质层以及微波铁氧体层与陶瓷介质层的异质材料匹配共烧是保障器件优良性能的关键。 展开更多

关键词 微波无源器件 铁氧体环行器 低温共烧陶瓷 匹配共烧

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X波段叠层片式微带铁氧体环行器的设计 被引量：3

10

作者 彭龙 李元勋 +2 位作者 涂小强 李乐中 王瑞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2717-2722,共6页

采用叠层片式化设计有望实现微波环形器与低温共烧陶瓷(LTCC)技术的结合。借助三维电磁仿真手段设计了一种X波段微带铁氧体环行器,基片采用具有不同饱和磁化强度的旋磁材料构成叠层片式结构。研究结果表明,叠片数目及其饱和磁化强度的... 采用叠层片式化设计有望实现微波环形器与低温共烧陶瓷(LTCC)技术的结合。借助三维电磁仿真手段设计了一种X波段微带铁氧体环行器,基片采用具有不同饱和磁化强度的旋磁材料构成叠层片式结构。研究结果表明,叠片数目及其饱和磁化强度的搭配对环形器的回波损耗和隔离度特性影响显著,这与叠层结构引入的界面及叠片变化的饱和磁化强度影响了环形器的等效输入电路参数有关。通过优化设计,可以获得具有高回波损耗、高隔离度及低插入损耗等优良性能的器件,但带宽受叠片数目及其饱和磁化强度的搭配影响较小,难以通过优化进行拓展。 展开更多

关键词 微波无源器件 铁氧体环形器 叠层片式结构 低温共烧陶瓷

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ZnO对锰锌铁氧体磁性能温度特性的影响 被引量：4

11

作者 李乐中 兰中文 +3 位作者 余忠 孙科 许志勇 姬海宁 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期878-880,884,共4页

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响。结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势... 采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响。结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值。同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μi-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低。在100kHz、200mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μi-T曲线的Ⅱ峰位置。 展开更多

关键词 锰锌功率铁氧体 ZnO含量 磁性能温度特性

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利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠 被引量：2

12

作者 魏昭荣 朱兴华 +3 位作者 杨维清 杨定宇 蔡青 刘俊 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期364-367,共4页

利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠。将多晶硅生产废物水解生成偏硅酸沉淀,水解温度应控制在40℃以下,水与多晶硅生产废物质量比10～12为宜,溶液pH应控制在2.0～2.5。向偏硅酸中加入质量分数为45%的NaOH溶液制备偏硅酸钠,pH控制在12.5,降... 利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠。将多晶硅生产废物水解生成偏硅酸沉淀,水解温度应控制在40℃以下,水与多晶硅生产废物质量比10～12为宜,溶液pH应控制在2.0～2.5。向偏硅酸中加入质量分数为45%的NaOH溶液制备偏硅酸钠,pH控制在12.5,降温速率控制在1.0℃/min。采用该方法制备的偏硅酸钠完全符合HG/T2568—94《工业偏硅酸钠化工行业标准》的优等品指标。 展开更多

关键词 多晶硅 固体废物 偏硅酸钠 水解 综合利用

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饱和非线性正折射异向介质中的调制不稳定性 被引量：2

13

作者 钟先琼 向安平 +1 位作者 程科 蔡青 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期3167-3171,共5页

直接从异向介质中包含饱和非线性、自陡峭和二阶非线性色散效应的非线性扩展传输方程出发,采用线性稳定性分析法,导出了调制不稳定性的色散关系、不稳定条件、无量纲的临界扰动频率和增益谱。计算和讨论了异向介质正折射区无量纲的增益... 直接从异向介质中包含饱和非线性、自陡峭和二阶非线性色散效应的非线性扩展传输方程出发,采用线性稳定性分析法,导出了调制不稳定性的色散关系、不稳定条件、无量纲的临界扰动频率和增益谱。计算和讨论了异向介质正折射区无量纲的增益谱随归一化角频率和入射功率密度的变化关系。结果表明,在异向介质正折射区,随归一化角频率和入射功率密度的不同,增益谱将会出现扰动频率大于零、扰动频率大于某个非零临界值、扰动频率大于零而小于某个非零临界值3种形式。在归一化角频率较小时,调制不稳定性可能出现阈值入射功率密度;且在较小的入射功率密度时,调制不稳定性只能出现在大于某个临界频率时。 展开更多

关键词 调制不稳定性 饱和非线性 正折射异向介质 自陡峭效应 二阶非线性色散效应

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PbI_2厚膜的结构、形貌与光谱性质研究 被引量：1

14

作者 杨定宇 朱兴华 +3 位作者 孙辉 郝东 李旭 高秀英 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2892-2896,共5页

毫米级厚度碘化铅(PbI2)膜是制造下一代阵列高能辐射探测器的关键材料。采用近空间升华法制备了PbI2厚膜,研究升华源温度对制备样品晶体结构、表面形貌及光谱性质的影响。结果表明,随着源温度的升高,样品厚度由1 000μm下降到220μm。X... 毫米级厚度碘化铅(PbI2)膜是制造下一代阵列高能辐射探测器的关键材料。采用近空间升华法制备了PbI2厚膜,研究升华源温度对制备样品晶体结构、表面形貌及光谱性质的影响。结果表明,随着源温度的升高,样品厚度由1 000μm下降到220μm。X射线衍射测试表明,厚膜为沿(002)晶面择优取向生长的六方相多晶结构,其晶粒尺寸、位错密度及生长应力与源温度密切相关。扫描电子显微镜测试显示,样品由六方片状颗粒堆积而成,其颗粒直径约为248μm,厚约32.7μm,有明显的层状结构。解谱拟合发现,样品的拉曼光谱有147,169,217和210cm-1等4个散射峰,前三个峰对应于4H晶型PbI2晶体的纵光学波振动模式,210cm-1来源于衬底SnO2的相关振动模式。随源温度的升高,147cm-1拉曼峰有明显变化,其峰强高于225℃时出现大幅度的下降,峰形展宽。在340nm光激发下,样品的室温光致发光谱在2.25,2.57和2.64eV附近出现弱的发光峰,来源于与缺陷和激子相关的复合。综合结构表征与光谱测试结果,200℃时沉积的PbI2厚膜具有最佳的结晶质量,其厚度约为659μm。 展开更多

关键词 PbI2厚膜 近空间升华法 源温度 结构 形貌 拉曼光谱 光致发光谱

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包含源与负载耦合的滤波器诊断与调试方法 被引量：2

15

作者 王瑞 彭龙 李乐中 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期136-140,共5页

柯西法目前仅适用于诊断不包含源与负载耦合的带通滤波器。为解决这一问题,提出了一种能够诊断包含源与负载耦合的带通、带阻谐振腔滤波器的方法。利用遗传算法优化获得源与负载耦合系数并移除滤波器输入/输出端口处传输线引起的S参数... 柯西法目前仅适用于诊断不包含源与负载耦合的带通滤波器。为解决这一问题,提出了一种能够诊断包含源与负载耦合的带通、带阻谐振腔滤波器的方法。利用遗传算法优化获得源与负载耦合系数并移除滤波器输入/输出端口处传输线引起的S参数的相位加载效应;使用柯西法一步确定仿真S参数对应的特征多项式;从获得的源与负载耦合系数和特征多项式中,利用已有的技术诊断出N+2阶耦合矩阵。此方法可用于指导滤波器的调试,通过对比理想的耦合矩阵与提取的耦合矩阵之间的差异,可确定滤波器问题出自何处以及调试的方向,从而加快滤波器的设计与实现。 展开更多

关键词 带通滤波器 带阻滤波器 诊断 耦合矩阵

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五阶非线性光纤中连续谱相位扰动下的光传输与脉冲串产生(英文) 被引量：2

16

作者 钟先琼 向安平 程科 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1328-1332,共5页

根据包含五阶非线性的扩展非线性薛定谔方程,数值研究了高斯型连续谱相位扰动而不是传统单色扰动下基于调制不稳定性的高重复率脉冲串产生.结果表明:脉冲串也能像传统情形那样形成,但却呈现出不同的特性.如脉冲数目有限,且各脉冲的高度... 根据包含五阶非线性的扩展非线性薛定谔方程,数值研究了高斯型连续谱相位扰动而不是传统单色扰动下基于调制不稳定性的高重复率脉冲串产生.结果表明:脉冲串也能像传统情形那样形成,但却呈现出不同的特性.如脉冲数目有限,且各脉冲的高度、强度及间距不等.脉冲数目随传输距离增加而增加.而五阶非线性能使脉冲宽度和间距变小因而有利于高重复率脉冲串产生,负五阶非线性则相反.对脉冲串形成过程中演变啁啾的数值计算表明,啁啾及其随距离的变化都是高度非单调的,五阶非线性将改变啁啾的范围和量值. 展开更多

关键词 五阶非线性 调制不稳定性 脉冲串

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一维光子晶体全方向反射带的研究 被引量：2

17

作者 刘文莉 唐婷婷 何修军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期704-707,722,共5页

设计了由SiO2和Te构成的一维光子晶体结构,对该结构的全向反射带特性进行分析。找到了TE和TM模的全向反射带范围,TE模的反射带在785 nm到1258 nm内变化,TM模的反射带在785 nm到1099 nm范围内变化。讨论了晶格常数,晶格周期对该全向反射... 设计了由SiO2和Te构成的一维光子晶体结构,对该结构的全向反射带特性进行分析。找到了TE和TM模的全向反射带范围,TE模的反射带在785 nm到1258 nm内变化,TM模的反射带在785 nm到1099 nm范围内变化。讨论了晶格常数,晶格周期对该全向反射带的影响。结果表明,TE模的全向反射带始终比TM模的宽。晶格常数增大,TE和TM模的全向反射带均向归一化频率较高(对应长波)的方向移动。晶体周期增大,TM模的全向反射带会变窄,而TE模的全向反射带变化不大。此外还发现,参数变化对TM模的反射带的影响明显大于对TE模的影响。 展开更多

关键词 光子晶体 全方向反射带 晶格常数 归一化频率

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聚焦部分相干涡旋光束作用于不同折射率瑞利粒子上的辐射力 被引量：1

18

作者 程科 向安平 +1 位作者 钟先琼 吕百达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期319-324,共6页

使用聚焦部分相干高斯谢尔涡旋光束,对不同折射率的瑞利粒子的辐射力做了分析,着重研究了相关长度和束腰宽度对辐射力和俘获稳定性的影响。结果表明:相关长度和束腰宽度分别存在临界值,相干长度小于等于其临界值或束腰宽度大于等于其临... 使用聚焦部分相干高斯谢尔涡旋光束,对不同折射率的瑞利粒子的辐射力做了分析,着重研究了相关长度和束腰宽度对辐射力和俘获稳定性的影响。结果表明:相关长度和束腰宽度分别存在临界值,相干长度小于等于其临界值或束腰宽度大于等于其临界值时,可利用其俘获相对折射率大于1的微粒;而在相关长度大于其临界值或束腰宽度小于其临界值时,可利用其俘获相对折射率小于1的微粒。对俘获稳定性的分析表明,需选择适当的相关长度和束腰宽度才能稳定俘获瑞利粒子。 展开更多

关键词 辐射力 部分相干涡旋光束 瑞利粒子 相干长度 束腰宽度 光学俘获

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一维三元光子晶体的偏振滤波特性研究 被引量：1

19

作者 刘文莉 邓桥 +1 位作者 何修军 唐婷婷 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期110-112,共3页

设计了一维三元对称光子晶体结构,用传输矩阵法对其偏振滤波特性进行了研究。结果表明,入射角、介质厚度增大,两偏振波的禁带和共振模的分离度变大。周期数目N增大,对两偏振波的共振模的分离度影响最明显。晶体结构对称度的改变,对两种... 设计了一维三元对称光子晶体结构,用传输矩阵法对其偏振滤波特性进行了研究。结果表明,入射角、介质厚度增大,两偏振波的禁带和共振模的分离度变大。周期数目N增大,对两偏振波的共振模的分离度影响最明显。晶体结构对称度的改变,对两种波的禁带和共振模的分离度影响不大。 展开更多

关键词 光子晶体 传输矩阵法 偏振波 共振模

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带开口磁环的周期永磁聚焦系统的轴向磁场 被引量：3

20

作者 彭龙 李元勋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2552-2556,共5页

基于磁环的元电流模型,分析了永磁磁环的轴向磁场分布规律。理论计算和测试结果表明:轴向磁化磁环中心轴上的磁感应强度不存在径向分量,只有轴向分量;但磁环开口后,轴向磁场降低,而径向磁场增加,其中心轴上的合成磁感应强度体现出非轴... 基于磁环的元电流模型,分析了永磁磁环的轴向磁场分布规律。理论计算和测试结果表明:轴向磁化磁环中心轴上的磁感应强度不存在径向分量,只有轴向分量;但磁环开口后,轴向磁场降低,而径向磁场增加,其中心轴上的合成磁感应强度体现出非轴对称性,不利于其在周期永磁(PPM)聚焦系统中的应用。根据磁场的轴向分量和径向分量的分布特点,设计和优化了带开口磁环的PPM系统,实现了轴向磁场的周期化。 展开更多

关键词 周期永磁聚焦系统 开口磁环 磁场分布 行波管

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