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题名超短波通信射频功放保护控制电路设计及应用
被引量：1
- 1
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作者
周湘
钟智勇
杜培贤
何放
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机构
电子科技大学电子科学与工程学院
成都亚光电子股份有限公司
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出处
《电子科技大学学报》
北大核心
2025年第2期161-165,共5页
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文摘
结合超短波通信中射频功放的实际工程应用,设计构建了一种复合型功放系统的检测电路及保护电路,并对其功能进行了研究。该设计的检测保护电路能够对脉宽范围50~110μs的信号进行实时监测,对应的占空比为4%~30%,在-35~0 dBm功率范围内对电路做出响应,开关的插入损耗≤2.6 dB,已在最新机载设备上获得应用,对提高功放的可靠性和使用寿命具有积极意义。
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关键词
功率放大器
保护电路
过脉宽
检测
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Keywords
power amplifier
protection circuit
over pulse width
detection
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分类号
TN72
[电子电信—电路与系统]
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题名X波段GaAs功率芯片共晶焊热应力分析
被引量：3
- 2
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作者
纪宣
禹胜林
杨军
王韩
候林
唐丽蓉
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机构
南京信息工程大学电子与信息工程学院
成都亚光电子股份有限公司
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出处
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期107-109,共3页
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文摘
随着电子封装集成度的不断提高，电子芯片的功率容量和发热量也越来越大，封装体内部温度分布不均以及产生的热应力影响芯片的可靠性.热沉作为电子设备主要的散热方式之一，被广泛使用.利用ANSYS有限元软件针对芯片-共晶层-热沉结构进行建模，通过有限元3D模型模拟该封装结构在热循环温度-55-125℃条件下产生的热应力情况，研究了采用不同热沉材料共晶焊的应力.结果表明，该结构封装的最大应力出现在热沉下表面的4个拐角处.钨铜为热沉结构时应力值最大，AlSi50次之，AlN最小.研究结果对X波段功率模块封装设计提供了设计依据.
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关键词
电子芯片
热应力
可靠性
热循环
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Keywords
electronic chip
thermal stress
reliability
thermal cycling
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分类号
TG421
[金属学及工艺—焊接]
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题名L波段六位数字移相器设计
被引量：1
- 3
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作者
唐文圣
敬守钊
王韧
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机构
电子科技大学
成都亚光电子股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期740-743,共4页
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文摘
利用对均匀传输线加载电纳可以改变其传输特性的原理设计了一个L波段六位色散数字移相器。借助ADS软件及2.5D仿真器Momentum,建立PIN二极管的SPICE模型,使用Au丝测试得的S参数,在全面考虑实际制作工艺的基础之上,建立准确的电路模型,经过优化,可以得到准确的仿真结果。实际测试结果与仿真相吻合。该方法减少了调试工作,且设计的产品性能优良,体积小,已得到公司规模生产。
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关键词
数字移相器
ADS软件
PIN二极管
金丝
开关线
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Keywords
digital phase shifter
ADS
PIN diode
bondwire
switch line
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分类号
TN955
[电子电信—信号与信息处理]
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题名毫米波硅片集成MEMS滤波器
被引量：7
- 4
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作者
沈平
底海英
施朝著
彭艳君
贾宝富
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机构
成都亚光电子股份有限公司微波毫米波研究所
电子科技大学物理电子学院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2016年第S1期257-260,共4页
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文摘
滤波器作为通信系统中必不可少的微波无源器件[1]。滤波器的性能指标和体积直接影响整个通信系统的性能和体积。研制小型化和高性能的滤波器已经成为主要趋势。本章主要介绍一个毫米波段MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)滤波器的设计和相关MEMS工艺的制作流程,谐振器采用单层硅基片集成(Substrate Integrated Waveguide,SIW)结构,该滤波器实现了小型化、集成化以及高Q值。输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于探针测试台的快速测试滤波器并且方便与外部电路集成。滤波器设计采用双模提取法确定耦合结构尺寸。关键工艺为体硅加工的ICP(Inductively Coupled Plasma)深硅刻蚀。本文设计制作的滤波器指标为:中心频率为35 GHz,1d B带宽2G,驻波小于1.5。最终滤波器芯片尺寸为10.2 mm×4 mm×0.4 mm。
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关键词
MEMS
带通滤波器
SIW
小型化
双模提取法
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Keywords
MEMS
band pass filter
SIW
miniaturization
dual-mode method
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
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题名C波段双层MEMS滤波器的设计
被引量：4
- 5
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作者
彭艳君
贾宝富
杨晓瑜
施朝著
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机构
成都亚光电子股份有限公司微波毫米波研究所
电子科技大学物理电子学院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2016年第S1期223-226,共4页
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文摘
微波滤波器作为通信、雷达等系统中重要的选频元件,其性能好坏将直接影响整个通信系统的性能[1]。滤波器的高性能、小型化是目前主要的研制目标。本文介绍了C波段双层微机械(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)滤波器,采用抽头交指结构,采用电感耦合等离子(Inductively Coupled Plasma,ICP)深硅刻蚀和金-金键合工艺实现封闭谐振腔,大大减少了体积和辐射损耗。滤波器中心频率为4.1GHz,,相对带宽15%,驻波小于1.5,3.2GHz&5GH处抑制大于45 d B。芯片尺寸为7 mm×7.8 mm×0.8 mm。本文给出了该滤波器的具体制作流程。实物测试结果表明,获得的MEMS滤波器的测试结果与仿真结果基本一致。
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关键词
MEMS
带通滤波器
交指结构
小型化
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Keywords
MEMS
band pass filter
interdigital structure
miniaturization
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
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题名毫米波AlGaN/GaN HEMT热电物理模型
被引量：1
- 6
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作者
何放
董若岩
徐跃杭
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机构
成都亚光电子股份有限公司
电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期604-609,共6页
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文摘
为了准确描述毫米波Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)短栅长器件的热电效应,在Silvaco TCAD软件中建立了毫米波AlGaN/GaN HEMT能量平衡物理模型。该模型不仅考虑表面态和陷阱效应的作用,还引入了热电效应对器件性能的影响。直流及小信号测量数据表明,能量平衡热电物理模型能准确模拟毫米波AlGaN/GaN HEMT器件的直流和小信号输出特性。基于该物理模型,进一步研究了栅源和栅漏间距对毫米波AlGaN/GaN HEMT饱和沟道电流、沟道峰值温度以及截止频率的影响,取得的研究数据可用于指导毫米波AlGaN/GaN HEMT新器件开发及电路设计。
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关键词
毫米波
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN
HEMT)
能量平衡
物理模型
热电效应
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Keywords
millimeter wave
GaN high electron mobility transistor（GaN HEMT）
energy balance
physical model
electrothermal effect
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名钼铜载体镀金前处理工艺研究
- 7
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作者
许小琴
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机构
中航成都亚光电子股份有限公司
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出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2013年第12期11-12,33,共3页
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文摘
通过对钼铜载体进行镀金前处理工艺研究和试验,确定了以化学粗化、化学脱膜和烧镍为关键的前处理过程,解决了镀层结合力差的问题,所得到镀层也满足金鍺钎焊要求,为小批量多品种的微波产品研制提供了必要的工艺支撑,有很好的应用前景。
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关键词
钼铜载体
前处理
热处理
镀金
结合力
钎焊性
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Keywords
Cu-Mo carrier
pretreatment
heat treatment
gold plating
bonding strength
solderability
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分类号
TQ153.18
[化学工程—电化学工业]
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