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立方砷化硼晶体生长、性能及应用研究进展
被引量：
1
1
作者
王媛媛
张璐
+6 位作者
程洗洗
钱麒
徐欢
徐华
杨雪舟
杨波波
邹军
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第17期104-113,共10页
立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT...
立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT)法制备了毫米尺寸的高质量c-BAs单晶,室温下其热导率高达1300 W·m^(-1)·K^(-1),吸引了人们极大的关注,也进一步鼓舞了人们对其理论和实验方面的研究。本综述将归纳总结近年来关于c-BAs理论计算、晶体生长、物理性能以及材料应用方面的研究进展,阐述了该晶体制备方面所面临的挑战,并对其发展前景进行展望。
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关键词
砷化硼
晶体生长
化学气相传输
热导率
热管理材料
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职称材料
Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势
2
作者
王麒
杨波波
+6 位作者
李威晨
邹军
杨雪舟
徐华
钱麒
陈俊锋
李杨
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期1347-1360,共14页
氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯...
氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯塔克效应、绿色间隙、载流子传输等问题。基于非极性或半极性的LED没有极化电场,具有较强的内量子效率,电子和空穴复合机率大等优点,对非极性和半极性Micro-LED器件的研究与应用引起了人们很大的兴趣。本文对非极性和半极性Micro-LED器件研究现状进行综述。首先从量子限制斯托克效应、绿色间隙、载流子传输、效率下降4个方面介绍了非极性和半极性氮化镓基材料的优势。接着针对缺陷位错、增加光提取效率与在不同电流密度下实现全彩显示等问题,介绍了芯片成形、图案刻蚀与阵列这3种技术,最后对Micro-LED作为下一代显示引领者进行了展望。希望对Micro-LED今后的研究有所帮助。
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关键词
氮化镓
Micro-LED
非极性
半极性
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职称材料
题名
立方砷化硼晶体生长、性能及应用研究进展
被引量：
1
1
作者
王媛媛
张璐
程洗洗
钱麒
徐欢
徐华
杨雪舟
杨波波
邹军
机构
上海应用技术大学理学院
惠创
科技
(
台州
)
有限公司
浙江安贝新材料股份
有限公司
广东皇智照明
科技
有限公司
宁波朗格照明电器
有限公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第17期104-113,共10页
基金
国家重点研发计划(2021YFB3501700)
上海市2022、2023年度“科技创新行动计划”农业科技领域项目(22N21900400,23N21900100)
+2 种基金
国家自然科学基金委员会,青年科学基金项目(12104311)
上海应用技术大学中青年教师科技人才发展基金(ZQ2022-3)
上海市晨光计划(22CGA74)。
文摘
立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT)法制备了毫米尺寸的高质量c-BAs单晶,室温下其热导率高达1300 W·m^(-1)·K^(-1),吸引了人们极大的关注,也进一步鼓舞了人们对其理论和实验方面的研究。本综述将归纳总结近年来关于c-BAs理论计算、晶体生长、物理性能以及材料应用方面的研究进展,阐述了该晶体制备方面所面临的挑战,并对其发展前景进行展望。
关键词
砷化硼
晶体生长
化学气相传输
热导率
热管理材料
Keywords
c-BAs
crystal growth
chemical vapor transport
thermal conductivity
thermal management materials
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势
2
作者
王麒
杨波波
李威晨
邹军
杨雪舟
徐华
钱麒
陈俊锋
李杨
机构
上海应用技术大学理学院
浙江安贝新材料股份
有限公司
宁波朗格照明电器
有限公司
广东皇智照明
科技
有限公司
惠创
科技
(
台州
)
有限公司
浙江绿龙新材料
有限公司
西双版纳承启
科技
有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期1347-1360,共14页
基金
国家重点研发计划(No.2021YFB3501700)
上海市“科技创新行动计划”农业科技领域项目(No.22N21900400,No.23N21900100)
+1 种基金
国家自然科学基金青年科学基金项目(No.12104311)
上海应用技术大学中青年教师科技人才发展基金(No.ZQ2022-3)。
文摘
氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯塔克效应、绿色间隙、载流子传输等问题。基于非极性或半极性的LED没有极化电场,具有较强的内量子效率,电子和空穴复合机率大等优点,对非极性和半极性Micro-LED器件的研究与应用引起了人们很大的兴趣。本文对非极性和半极性Micro-LED器件研究现状进行综述。首先从量子限制斯托克效应、绿色间隙、载流子传输、效率下降4个方面介绍了非极性和半极性氮化镓基材料的优势。接着针对缺陷位错、增加光提取效率与在不同电流密度下实现全彩显示等问题,介绍了芯片成形、图案刻蚀与阵列这3种技术,最后对Micro-LED作为下一代显示引领者进行了展望。希望对Micro-LED今后的研究有所帮助。
关键词
氮化镓
Micro-LED
非极性
半极性
Keywords
gallium nitride
Micro-LED
nonpolar
semipolar
分类号
TN315 [电子电信—物理电子学]
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
立方砷化硼晶体生长、性能及应用研究进展
王媛媛
张璐
程洗洗
钱麒
徐欢
徐华
杨雪舟
杨波波
邹军
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
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职称材料
2
Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势
王麒
杨波波
李威晨
邹军
杨雪舟
徐华
钱麒
陈俊锋
李杨
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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