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硅中注H^+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析
被引量：
1
1
作者
张苗
林成鲁
+3 位作者
陈立凡
王鲁闽
K.Gutjahr
U.M.Gosele
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期181-187,共7页
将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构...
将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构进行了分析。研究表明，智能剥离SOI是一种可通过较简单的工艺获得高质量SOI材料的新途径。
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关键词
离子注入
智能剥离
SOI
半导体硅膜材料
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职称材料
题名
硅中注H^+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析
被引量：
1
1
作者
张苗
林成鲁
陈立凡
王鲁闽
K.Gutjahr
U.M.Gosele
机构
中国科学院上海冶金
研究所
信息功能材料国家重点实验室
美国新墨西哥大学地球与行星科学系电子显微镜实验室
德国马普微结构物理研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期181-187,共7页
文摘
将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构进行了分析。研究表明，智能剥离SOI是一种可通过较简单的工艺获得高质量SOI材料的新途径。
关键词
离子注入
智能剥离
SOI
半导体硅膜材料
Keywords
Ion Implantation
Smart-cut
Silicon on Insulator
(SOI)
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅中注H^+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析
张苗
林成鲁
陈立凡
王鲁闽
K.Gutjahr
U.M.Gosele
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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