硅三极管电子辐照的残余电压效应

1

作者 巫晓燕 田野 +3 位作者 石瑞英 龚敏 温景超 王靳君 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期881-884,共4页

研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能... 研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。 展开更多

关键词 硅三极管 电子辐照 残余电压

在线阅读 下载PDF 职称材料

中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析 被引量：1

2

作者 王靳君 田野 +3 位作者 石瑞英 龚敏 温景超 巫晓燕 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2763-2766,共4页

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管... 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。 展开更多

关键词 NPN晶体管 负电容 中子辐照 电子辐照 扩散电容 势垒电容

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用近红外光谱检测多层组织血氧饱和度的研究 被引量：10

3

作者 高博 魏蔚 +1 位作者 龚敏 王丽 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2922-2925,共4页

利用近红外光谱无创检测生物组织血氧饱和状态,是一种极富研究和应用前景的检测技术,在临床检测中被广泛应用。但常规临床检测应用于指端仅反映局部血氧饱和度信息,在使用中具有局限性,信号的可信度也存在质疑。该文提出了一种采用反射... 利用近红外光谱无创检测生物组织血氧饱和状态,是一种极富研究和应用前景的检测技术,在临床检测中被广泛应用。但常规临床检测应用于指端仅反映局部血氧饱和度信息,在使用中具有局限性,信号的可信度也存在质疑。该文提出了一种采用反射式脉搏血氧饱和度检测技术检测生物多层组织氧合状况的新方法,该方法通过调节入射光强以适应解剖学中生物组织多层结构的检测。应用该方法针对手指结构的实验结果表明,随着入射光强的改变,反映血氧饱和状态的光电脉搏波信号有显著变化。结合手指解剖学分析表明,光电脉搏波信号的变化与手指的多层面组织结构相对应,反映不同层面血氧饱和状态。这一特点表明,通过此法可以针对生物组织的多层结构进行测量。 展开更多

关键词 多层组织 光电脉搏波信号 血氧饱和度 近红外光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文) 被引量：3

4

作者 温景超 石瑞英 +4 位作者 龚敏 唐龙谷 田野 谭开州 蒲林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期545-549,共5页

研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是... 研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。 展开更多

关键词 异质结双极型晶体管 自建电势 掺杂浓度 集电极电流 厄尔利电压 伽玛辐照

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高精度低功耗温度传感器电路 被引量：3

5

作者 何希然 刘晨旭 +4 位作者 张仁辉 李泽宏 高博 马跃 龚敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期906-914,共9页

基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温... 基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温误差,电路中引入斩波技术,较低平均功耗(152μW)下将电路失调电压减小了两个数量级,提高了系统的测温精度;数据转换过程中,采用带有零极点优化技术的高阶多位量化sigma-delta信号处理技术,在低过采样率(16)条件下具有足够的信噪比(79.4 dB),功耗和精度取得了较好的折中。该电路功耗低、精度高,适于各类物联网(IoT)应用。 展开更多

关键词 温度传感器 斩波技术 sigma-delta信号处理 脉冲宽度可调(PWM) 高精度

在线阅读 下载PDF 职称材料

音频功放芯片中AB类输出运放的设计 被引量：4

6

作者 李鸿基 龚敏 《现代电子技术》 2007年第20期192-194,共3页

采用0．6μmDPDM工艺，设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器，其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出，其主体部分采用折叠式共源共栅差分... 采用0．6μmDPDM工艺，设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器，其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出，其主体部分采用折叠式共源共栅差分电路结构，偏置部分采用外部电流源供电，并使用共源共栅电流镜结构。供电电压为3～5V，在5V下的静态功耗为6mW。能驱动32Ω耳机，其最大输出功率是90mW。仿真结果表明，电路性能优良。 展开更多

关键词 AB类 音频功放 推挽式 折叠式共源共栅 共源共栅电流镜

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于FPGA的脉搏分析系统设计 被引量：3

7

作者 刘玥伽 高博 +1 位作者 郑伟 龚敏 《电子测量技术》 2018年第12期77-81,共5页

设计了一款通过对光电容积脉搏波信号（PPG）处理来实现人体心率计算的硬件系统。采集到脉搏波信号后,首先采用汉明窗倒转式结构FIR滤波器过滤采集信号的噪声,在峰值检测模块中脉搏波信号的收缩峰,并且对脉搏波求一阶导数后检测其舒张峰... 设计了一款通过对光电容积脉搏波信号（PPG）处理来实现人体心率计算的硬件系统。采集到脉搏波信号后,首先采用汉明窗倒转式结构FIR滤波器过滤采集信号的噪声,在峰值检测模块中脉搏波信号的收缩峰,并且对脉搏波求一阶导数后检测其舒张峰,之后对两次峰值检测的输出进行计数,分别用其平均值计算心率。在计算结果稳定后,两种方法计算的心率相差在5%左右。信号处理系统的设计在Quartus II上完成,在ModelSim中验证模拟结果。 展开更多

关键词 FPGA FIR滤波器 脉搏波导数 峰值检测 心率计算

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种精度可调的数字控制移相原理 被引量：1

8

作者 朱鹏 邬齐荣 +1 位作者 龚敏 胡蓉彬 《现代电子技术》 2007年第20期173-175,共3页

介绍了一种可编程数字控制的移相原理，通过该原理可以设计一种精度可调的数字控制移相器。该原理主要通过一种倍频器倍频因子可调的方式来实现。文中设计的移相器可以在0～360°中达到任意度数的移相，其精度可以达到1°。并... 介绍了一种可编程数字控制的移相原理，通过该原理可以设计一种精度可调的数字控制移相器。该原理主要通过一种倍频器倍频因子可调的方式来实现。文中设计的移相器可以在0～360°中达到任意度数的移相，其精度可以达到1°。并可通过精度控制输入信号，进一步提高精度。最后的仿真波形证实了这种原理的可行性。 展开更多

关键词 延时 采样 数字倍频器 精度可调

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于光电容积脉搏波的脉搏信息提取研究 被引量：6

9

作者 张剑锋 陈光华 高博 《电子测量技术》 2019年第13期117-120,共4页

光电容积脉搏波中蕴含着人体脉搏信息,将其提取出来是实现快速、高精度、低成本心率监测的重要一步。提取脉搏信息的常规算法由于计算精度不高常出现测量错误。提出一种利用类似图像边沿检测技术方法对光电容积脉搏波进行处理以提取其... 光电容积脉搏波中蕴含着人体脉搏信息,将其提取出来是实现快速、高精度、低成本心率监测的重要一步。提取脉搏信息的常规算法由于计算精度不高常出现测量错误。提出一种利用类似图像边沿检测技术方法对光电容积脉搏波进行处理以提取其中人体脉搏信息的算法,该算法在硬件实现时避免了乘法器的使用,从而节约了硬件资源,获得较小面积。设计采用Terasic DE2 FPGA开发板验证该算法的正确性。结果表明,该算法识别精度高,所需计算量少,适于硬件实现。 展开更多

关键词 光电容积脉搏波 心率监测 特征提取 现场可编程门阵列

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种用于采保电路的宽带高增益放大器的设计

10

作者 庞世甫 王继安 +3 位作者 张冰 李汇 李崴 龚敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期532-534,543,共4页

分析了跨导运算放大器的电路结构,采用两级放大电路,考虑到全差分结构中要使用共模反馈,用共源共基和共源共栅电路来实现电路的设计。同时对部分性能指标进行了优化,其中包括增益非线性引入的误差和不完全建立误差。设计了一种宽带高增... 分析了跨导运算放大器的电路结构,采用两级放大电路,考虑到全差分结构中要使用共模反馈,用共源共基和共源共栅电路来实现电路的设计。同时对部分性能指标进行了优化,其中包括增益非线性引入的误差和不完全建立误差。设计了一种宽带高增益跨导放大器,利用0.35μm Bi CMOS工艺条件下,Spectre仿真得到运算放大器的开环增益大于60 dB,单位增益带宽可达2.1 GHz,输出摆幅能达到1.5 V。 展开更多

关键词 运算放大器 共源共基 共源共栅 共模反馈

在线阅读 下载PDF 职称材料

γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析

11

作者 潘立丁 石瑞英 +1 位作者 龚敏 刘杰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期252-256,共5页

在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移... 在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明:受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象。 展开更多

关键词 多栅NMOS 转移特性 不均匀辐照 总剂量效应 计算机仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路

12

作者 向李艳 邬齐荣 +1 位作者 龚敏 陈畅 《现代电子技术》 2007年第20期29-32,共4页

传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例... 传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。 展开更多

关键词 一片上静电保护 CMOS SCR ISE—TCAD

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于不对称互补的恒跨导全摆幅输入级

13

作者 刘敬术 邬齐荣 龚敏 《现代电子技术》 2009年第19期181-183,186,共4页

提出一种不对称互补的输入级结构,实现了在整个共模范围内的恒跨导。两种实现方法分别是:PMOS差分对截止时,NMOS差分对开始工作;NMOS差分对截止时,PMOS差分对开始工作,两个差分对有主辅之分。在SMIC的0.18μm工艺条件下,设计仿真了这种... 提出一种不对称互补的输入级结构,实现了在整个共模范围内的恒跨导。两种实现方法分别是:PMOS差分对截止时,NMOS差分对开始工作;NMOS差分对截止时,PMOS差分对开始工作,两个差分对有主辅之分。在SMIC的0.18μm工艺条件下,设计仿真了这种输入级,使得电路结构简单,并能得到更平坦的跨导,适合用作恒跨导运算放大器的输入级。 展开更多

关键词 不对称互补 恒跨导 轨对轨 运算放大器

在线阅读 下载PDF 职称材料

标准单元可制造性分级

14

作者 张子文 龚敏 陈岚 《现代电子技术》 2008年第24期34-36,共3页

随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行... 随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行可制造性分级,该方法不但包含可制造性规则对版图的约束,还创新性地把工艺参数变化对其造成的影响考虑了进去。用一套简化的可制造性规则和版图来演示此种分级方法的实现,并用模拟结果验证了它的有效性。该分级方法具有统一性和标准性,可以被广泛采用。 展开更多

关键词 可制造性 标准单元 权重 光刻模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

应用VMT快速搭建验证平台

15

作者 王小虎 龚敏 《现代电子技术》 2007年第15期150-152,共3页

介绍了如何应用验证模型快速搭建系统验证平台。在基于VMT的验证平台中,使用验证模型驱动待测系统,检测系统响应。该平台结构简单、思路清晰,有效地缩短了系统验证周期,提高了验证质量。结合项目给出了基于Synopsys公司提供的VIP验证模... 介绍了如何应用验证模型快速搭建系统验证平台。在基于VMT的验证平台中,使用验证模型驱动待测系统,检测系统响应。该平台结构简单、思路清晰,有效地缩短了系统验证周期,提高了验证质量。结合项目给出了基于Synopsys公司提供的VIP验证模型的验证平台框架与流程实例。 展开更多

关键词 系统功能验证 验证模型 验证环境 SOC验证

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种低电源电压曲率补偿带隙基准

16

作者 蔡化 龚敏 《现代电子技术》 2007年第14期173-176,共4页

设计了一个在0．8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源，能稳定产生0．61V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展，采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路... 设计了一个在0．8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源，能稳定产生0．61V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展，采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法，实现了大于59dB电源抑制比和-30～150℃范围内11．7ppm／℃的温度系数。 展开更多

关键词 BICMOS 带隙基准 T型电阻网络 曲率补偿

在线阅读 下载PDF 职称材料