期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术
被引量：
3
1
作者
黄旼
朱健
石归雄
《电子工业专用设备》
2017年第4期20-23,共4页
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传...
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在40 GHz为0.34 dB/mm,电容密度达到1.05 fF/μm^2,2.5圈8 n H电感最大Q值在1.5 GHz达到16。这项制造技术与CMOS制造工艺兼容,可为超高集成度的三维集成型化射频微系统提供有力支撑。
展开更多
关键词
集成无源器件
硅通孔
互补金属氧化物半导体
转接板
射频
在线阅读
下载PDF
职称材料
MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究
被引量：
2
2
作者
钱可强
吴杰
+2 位作者
王冬蕊
姜理利
黄旼
《电子工业专用设备》
2019年第4期9-12,共4页
针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问...
针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。
展开更多
关键词
微机电系统
层叠器件
划片
圆片级堆叠
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术
被引量：
3
1
作者
黄旼
朱健
石归雄
机构
微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2017年第4期20-23,共4页
文摘
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在40 GHz为0.34 dB/mm,电容密度达到1.05 fF/μm^2,2.5圈8 n H电感最大Q值在1.5 GHz达到16。这项制造技术与CMOS制造工艺兼容,可为超高集成度的三维集成型化射频微系统提供有力支撑。
关键词
集成无源器件
硅通孔
互补金属氧化物半导体
转接板
射频
Keywords
Integrated passive device （PID）
Though silicon via （TSV）
Complementary metal oxide semiconductor （CMOS）
Interposer
Radio frequency（RF）
分类号
TN603 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究
被引量：
2
2
作者
钱可强
吴杰
王冬蕊
姜理利
黄旼
机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《电子工业专用设备》
2019年第4期9-12,共4页
文摘
针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。
关键词
微机电系统
层叠器件
划片
圆片级堆叠
Keywords
MEMS(Micro electro mechanical system)
Stacked device
Dicing
Wafer level stack
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术
黄旼
朱健
石归雄
《电子工业专用设备》
2017
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究
钱可强
吴杰
王冬蕊
姜理利
黄旼
《电子工业专用设备》
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
