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双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验 被引量:5
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作者 刘敏波 陈伟 +5 位作者 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期214-218,共5页
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存... 选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。 展开更多
关键词 双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态
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西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台辐射场参数测量 被引量:9
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作者 李达 张文首 +10 位作者 江新标 仲云红 于青玉 长孙永刚 苗亮亮 马燕 朱广宁 张强 苏春磊 余小任 宋晓靓 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1243-1249,共7页
西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ... 西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ解谱方法进行了对比,对比结果较为一致,证明了遗传算法解谱的有效性。应用热释光剂量计测量了γ射线吸收剂量率。测量结果表明,该实验平台辐射场参数符合设计要求。 展开更多
关键词 西安脉冲堆 中子能谱 SAND-Ⅱ方法 遗传算法
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基于平面波叠加的混响室场环境模拟与测试仿真 被引量:8
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作者 刘逸飞 陈永光 程二威 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期3029-3035,共7页
针对电磁混响室难以仿真的问题,分析了平面波叠加模拟混响室场分布的合理性,根据理想混响室特征给出了叠加平面波的幅值、极化角度等参数设置的细节信息。在此基础上,利用Matlab调用FEKO的混合编程方法进行了场环境模拟,检验结果表明,... 针对电磁混响室难以仿真的问题,分析了平面波叠加模拟混响室场分布的合理性,根据理想混响室特征给出了叠加平面波的幅值、极化角度等参数设置的细节信息。在此基础上,利用Matlab调用FEKO的混合编程方法进行了场环境模拟,检验结果表明,叠加场环境特性与混响室场分布特性保持了一致。利用该方法,对某开缝矩形腔体的屏蔽效能进行了仿真测试,并取得了与实测数据相符的结果,其屏蔽效能约为15 d B。该方法有效避免了对混响室的精确建模,大大降低了混响室条件下相关测试仿真的难度与计算量,同时为深入分析混响室场环境特性提供了一条捷径。 展开更多
关键词 混响室 平面波谱理论 平面波叠加 FEKO 场均匀性 统计特性 屏蔽效能
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9.5 m高水平极化有界波电磁脉冲模拟器内场分布特性的初步实验研究 被引量:2
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作者 吴伟 王海洋 +3 位作者 吴刚 朱湘琴 肖晶 程乐 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期45-50,共6页
测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估... 测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估。实验结果表明:位于该模拟器双锥中心正下方且距离该中心5.5~7.5 m的测点场的峰值基本按照测点与双锥中心间距的倒数衰减,且随着测点与双锥中心间距的增大,因锥与极板不连续结构导致的波形变化在时间轴上滞后,而因地面影响导致的波形变化在时间轴上提前;在距离地面比较高的水平面上,两极板之间场的外泄方向场的衰减比双锥中轴线方向场的衰减更慢;该模拟器内部距离地面2 m的水平面上12 m×12 m的区域内所取测点的归一化场平均峰值约为0.678,归一化场平均峰值的标准偏差约为0.0689,场的均匀性约为2.039 dB。 展开更多
关键词 水平极化 有界波 模拟器 电磁脉冲 场分布
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中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究
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作者 刘岩 陈伟 +5 位作者 杨善潮 齐超 王桂珍 林东生 郭晓强 金军山 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期723-726,共4页
对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照... 对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。 展开更多
关键词 翻转效应 翻转阈值 中子辐照 SRAM
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电磁脉冲辐射波模拟器双锥-平面线栅天线场分布规律 被引量:2
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作者 肖晶 吴刚 +3 位作者 王海洋 谢霖燊 程乐 郭景海 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2684-2692,共9页
双锥-平面线栅结构的水平极化辐射波天线对辐射场半宽影响较小且架设方便、易于维护,掌握该型天线场分布规律是确定模拟器场均匀区、开展电磁脉冲效应实验的前提。利用天线理论研究双锥-平面线栅天线的场分布规律,结合数值模拟和实际天... 双锥-平面线栅结构的水平极化辐射波天线对辐射场半宽影响较小且架设方便、易于维护,掌握该型天线场分布规律是确定模拟器场均匀区、开展电磁脉冲效应实验的前提。利用天线理论研究双锥-平面线栅天线的场分布规律,结合数值模拟和实际天线试验对理论分析结果进行验证。结果表明:在天线结构和激励电压确定的条件下,双锥中心正下方辐射电场极化分量仅与测点到源的距离相关,二者呈反比;Oxz平面内以双锥中心为圆心的圆弧上任意一点辐射电场极化分量的幅值相等,并在同一时刻达到峰值;Oxz平面内同一水平线上的测点总辐射场幅值相等,方向沿测点所在圆弧的切线方向;各辐射场分量关于Oxz平面和Oyz平面对称分布;对于实际模拟器,地面反射会使辐射场波形下降沿陡降,导致地面附近辐射场半宽变小;线栅极板会影响附近的场分布,且极板外侧4个角点处的反射相对较强,其他位置辐射场分布与理论分析一致。 展开更多
关键词 辐射波模拟器 电磁脉冲 双锥-平面线栅天线 电磁场 数值模拟
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二氧化硅气凝胶光学性能及辐射探测性能研究
7
作者 燕奕宏 张美 +5 位作者 盛亮 唐灵芝 纪富 何佳洋 胡光 胡华四 《西安交通大学学报》 北大核心 2025年第2期127-133,共7页
针对惯性约束聚变中高能γ射线探测存在的X射线影响,以及气体切伦科夫辐射体调控阈值复杂或部分切伦科夫辐射体不可调控阈值的问题,提出了使用硅气凝胶作为切伦科夫辐射体对γ射线进行探测的方法。首先,搭建透过率测量平台,测量了厚度为... 针对惯性约束聚变中高能γ射线探测存在的X射线影响,以及气体切伦科夫辐射体调控阈值复杂或部分切伦科夫辐射体不可调控阈值的问题,提出了使用硅气凝胶作为切伦科夫辐射体对γ射线进行探测的方法。首先,搭建透过率测量平台,测量了厚度为1 cm的410 mg/cm^(3)硅气凝胶在250~800 nm波长范围内的透过率,得到了硅气凝胶的吸收散射系数;然后,使用最小偏差角的方法对硅气凝胶的折射率进行了测量,并对全波段折射率进行拟合;进而,将得到的吸收散射系数与折射率写入Geant4软件,在硅气凝胶探测系统中,对不同能量γ射线的能量响应进行了模拟计算;最后,在西北核技术研究院的^(60)Co源上搭建系统,分别对硅气凝胶及石英玻璃的发光强度进行了测量。结果表明:硅气凝胶净信号达到了11.67 nA,不确定度为3.8%;石英玻璃的净信号达到了373.67 nA,不确定度为3.2%。研究结果证实了硅气凝胶切伦科夫探测系统对γ射线探测的可行性,说明了硅气凝胶可作为切伦科夫辐射体应用于惯性约束聚变中的高能γ射线诊断。 展开更多
关键词 惯性约束聚变 γ射线探测 切伦科夫辐射体 硅气凝胶
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0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究 被引量:10
8
作者 王桂珍 林东生 +6 位作者 齐超 白小燕 杨善潮 李瑞宾 马强 金晓明 刘岩 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2165-2169,共5页
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。 展开更多
关键词 CM OS电路 脉冲激光 剂量率翻转 翻转阈值 特征尺寸
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强电磁脉冲下线路绝缘子闪络特性试验研究 被引量:15
9
作者 秦锋 王旭桐 +2 位作者 陈伟 聂鑫 崔志同 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第13期3640-3650,共11页
为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必要通过试验研究线路绝缘子的闪络特性。该文通过试验获取了高空电磁脉冲标准传导环境下10 kV线路绝缘子的50%闪络电压、放电时延、闪络持续时... 为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必要通过试验研究线路绝缘子的闪络特性。该文通过试验获取了高空电磁脉冲标准传导环境下10 kV线路绝缘子的50%闪络电压、放电时延、闪络持续时间及伏秒特性等关键参数,并通过试验分析了线路绝缘子表面干净、污秽等不同状态对绝缘子性能的影响。试验结果表明:高空电磁脉冲传导环境作用下10 kV线路绝缘子易发生闪络,且闪络更容易发生在波尾处,闪络持续时间达数微秒;强电磁脉冲环境幅值越高,绝缘子的放电时延越小,分散性也越小;P-10T型绝缘子相对于PQ1-10T型绝缘子的放电时延更短,绝缘子表面污秽使得其放电时延分散性变大;当电压等级高于90%闪络电压时,绝缘子表面污秽对其伏秒特性影响不大。该文可为强电磁脉冲环境下电力设备的绝缘配合以及绝缘子性能改进提供数据支撑,也可为后续防护设备的选择提供参考。 展开更多
关键词 绝缘子 高空电磁脉冲 闪络 伏秒特性 脉冲电流注入
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电子束与复合靶作用后辐射特性的数值模拟 被引量:7
10
作者 李进玺 吴伟 +5 位作者 来定国 程引会 马良 赵墨 郭景海 周辉 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期506-511,共6页
建立了复合靶的蒙特卡罗粒子输运计算模型,以"闪光二号"加速器为电子束源,模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律,研究了钽和聚乙烯组成的复合阳极靶对辐射X射线场的影响。模拟结果表明:随着钽厚度的增加,辐射X射线平均能... 建立了复合靶的蒙特卡罗粒子输运计算模型,以"闪光二号"加速器为电子束源,模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律,研究了钽和聚乙烯组成的复合阳极靶对辐射X射线场的影响。模拟结果表明:随着钽厚度的增加,辐射X射线平均能量增大,能量转换效率先增大后减小;聚乙烯可明显减小辐射场中的电子份额。当钽和聚乙烯的厚度分别取20μm、3mm时,辐射场中平均光子能量为102.68keV;光子总能量为88.62J,远大于电子总能量0.02J;X射线能量转换效率为0.57%。根据数值模拟结果和实验条件设计了复合靶,计算和测得的X射线平均能量分别为108和121keV,二者符合得较好。 展开更多
关键词 粒子输运 轫致辐射 复合靶 X射线
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电磁脉冲模拟装置用3 MV中储电容器的研制 被引量:6
11
作者 陈志强 谢霖燊 +3 位作者 贾伟 何小平 汤俊萍 陈维青 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期141-146,共6页
介绍了一台大型垂直极化有界波模拟装置所用中间储能电容器(简称中储电容器)的设计过程和实验结果。电容器采用基于元件和组件的模块化设计,呈锥台状结构,支撑壳体为真空工艺玻璃钢材料。电容器容值由模拟装置等效的二级脉冲压缩回路决... 介绍了一台大型垂直极化有界波模拟装置所用中间储能电容器(简称中储电容器)的设计过程和实验结果。电容器采用基于元件和组件的模块化设计,呈锥台状结构,支撑壳体为真空工艺玻璃钢材料。电容器容值由模拟装置等效的二级脉冲压缩回路决定,取值为1.8 nF。电容器内部绝缘介质为十二烷基苯,外部绝缘介质为45#变压器油,设计耐压3 MV,其绝缘长度主要由元件的体绝缘特性决定。采用三维电磁仿真软件估算中储电容器与中储开关构成回路的电感为659 nH,接近于实测数据623 nH。电容器上脉冲电压的测量通过对电容器电流进行积分来获取,而电流的采集采用封装在SF_(6)气体中的3个膜电阻并联后所构成测量模块实现。实际运行数据表明,中储电容器容值达到设计值,测量探头标定系数稳定,在工作电压3.1 MV条件下未发生绝缘问题。 展开更多
关键词 电磁脉冲模拟装置 中储电容器 脉冲压缩 绝缘设计 脉冲电压测量
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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究 被引量:4
12
作者 姚志斌 陈伟 +6 位作者 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1144-1152,共9页
本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。 展开更多
关键词 低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验
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强流二极管产生大面积脉冲X射线参数计算 被引量:4
13
作者 李进玺 吴伟 +5 位作者 来定国 程引会 马良 赵墨 郭景海 周辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期268-272,共5页
利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数,建立了串级二极管和四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了两种情况下轫致辐射X射线场参数。结果表明:阳极靶厚度增加时,轫致辐射X射线平均能量增大,而能量转换效率先增大,后... 利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数,建立了串级二极管和四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了两种情况下轫致辐射X射线场参数。结果表明:阳极靶厚度增加时,轫致辐射X射线平均能量增大,而能量转换效率先增大,后减小;距离串级二极管和四路并联二极管阳极靶5cm位置处,X射线注量分别为76.50,3.74mJ/cm2;光子平均能量分别为81.13,60.77keV;半径为12cm的圆面上,串级二极管X射线剂量呈马鞍形分布,均匀性为1.70∶1;边长为52cm的正方形平面上,四路并联二极管X射线剂量均匀性小于6.30∶1;电子束轫致辐射转换效率分别为0.29%,0.32%。 展开更多
关键词 串级二极管 并联二极管 X射线源 蒙特卡罗方法
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百kV/cm场强下SF_(6)气体开关纳秒脉冲击穿场强和时延经验公式 被引量:4
14
作者 郭帆 贾伟 +3 位作者 谢霖燊 陈志强 吴伟 谢彦召 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期47-52,共6页
百kV/cm高场强纳秒脉冲条件下,采用J.C.Martin经验公式估算SF_(6)气体击穿场强时,估算值与实验结果差异显著。为了进一步指导高场强脉冲气体开关设计,为开关工作状态调节提供依据,借鉴经典击穿场强经验公式形式建立了百kV/cm场强下SF_(6... 百kV/cm高场强纳秒脉冲条件下,采用J.C.Martin经验公式估算SF_(6)气体击穿场强时,估算值与实验结果差异显著。为了进一步指导高场强脉冲气体开关设计,为开关工作状态调节提供依据,借鉴经典击穿场强经验公式形式建立了百kV/cm场强下SF_(6)气体开关纳秒脉冲击穿场强和时延与实验参数之间的关系,基于实验数据拟合形成了修正系数的击穿场强和时延经验公式。研究表明,百kV/cm场强和纳秒脉冲条件下脉冲电压斜率对开关击穿特性有重要影响,击穿场强与击穿时延相互关联。百ns至μs脉冲与几十ns脉冲气体放电机理的区别引起放电过程中击穿时延组成发生变化,导致了经典击穿场强经验公式估算值与实验结果的显著差异。修正系数的击穿经验公式可为电磁脉冲模拟器输出开关提供更为精确的工程设计依据。 展开更多
关键词 高电场强度 纳秒脉冲 击穿场强 击穿时延 经验公式
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应用于脉冲辐射场测量的分布式无人值守测试系统 被引量:3
15
作者 田耕 渠红光 +5 位作者 阮林波 张雁霞 李海涛 田晓霞 王晶 李显宝 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第5期506-509,共4页
介绍了一种用于脉冲辐射场测量的分布式无人值守测试系统的开发。该测试系统采用分布式结构,通过LAN网络和光纤通讯设备进行互联。系统利用基于TCP/IP协议开发的网络程序实现了实验数据传输、备份与显示。采用服务器和工业PC计算机控制... 介绍了一种用于脉冲辐射场测量的分布式无人值守测试系统的开发。该测试系统采用分布式结构,通过LAN网络和光纤通讯设备进行互联。系统利用基于TCP/IP协议开发的网络程序实现了实验数据传输、备份与显示。采用服务器和工业PC计算机控制实验设备,利用VISA技术开发测试控制程序实现了对多种仪器设备的控制。通过用VNC技术实现了基于LAN的网络计算机状态监控和控制,并利用NTP技术实现了测试系统时钟同步。 展开更多
关键词 分布式 无人值守 LAN 脉冲辐射场 测量系统
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屏蔽电缆X射线辐照非线性效应模拟 被引量:2
16
作者 马良 周辉 +5 位作者 郭景海 程引会 吴伟 刘逸飞 李进玺 赵墨 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期561-566,共6页
本文分析了X射线辐照电缆的物理过程,建立了电缆介质层辐射感应电导率(RIC)和间隙效应计算模型,采用有限元方法模拟了电缆X射线辐照非线性效应,给出了诺顿等效电流源(NCD)的非线性响应规律。模拟结果表明,仅考虑RIC效应时,随着X射线注... 本文分析了X射线辐照电缆的物理过程,建立了电缆介质层辐射感应电导率(RIC)和间隙效应计算模型,采用有限元方法模拟了电缆X射线辐照非线性效应,给出了诺顿等效电流源(NCD)的非线性响应规律。模拟结果表明,仅考虑RIC效应时,随着X射线注量的增加,NCD幅度存在明显的饱和现象,波形宽度逐渐变窄;仅考虑间隙效应时,NCD幅度近似正比于间隙宽度;当同时考虑两种效应时,间隙效应将会大幅抵消RIC对NCD的影响。因此,在预估核爆环境下屏蔽电缆的X射线辐照响应时,需综合考虑RIC和间隙非线性效应的影响。 展开更多
关键词 RIC 间隙 非线性效应 屏蔽电缆 X射线
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一台基于串级二极管技术的高强度脉冲硬X射线源 被引量:2
17
作者 来定国 邱孟通 +4 位作者 杨实 苏兆锋 徐启福 丛培天 任书庆 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期113-118,共6页
介绍了利用串级二极管产生高强度脉冲硬X射线的方法及其辐射场参数。以“闪光二号”加速器为平台,通过适应性改造,产生快前沿电压脉冲;研制了两级阻抗1Ω串级二极管,通过串联分压降低二极管端电压、各级二极管电子束独立打靶在空间叠加... 介绍了利用串级二极管产生高强度脉冲硬X射线的方法及其辐射场参数。以“闪光二号”加速器为平台,通过适应性改造,产生快前沿电压脉冲;研制了两级阻抗1Ω串级二极管,通过串联分压降低二极管端电压、各级二极管电子束独立打靶在空间叠加形成高强度均匀辐射场。解决了悬浮电极绝缘支撑、二极管阴极均匀发射等技术难题,实现了串级二极管的稳定工作。在总电压约700 kV、电流约310 kA条件下,X射线平均能量87 keV,500 cm^(2)上的平均能注量36 mJ/cm^(2),剂量均匀性(最大值比最小值)达到2∶1。 展开更多
关键词 串级二极管 强流电子束 脉冲硬X射线 闪光二号加速器 辐射模拟
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双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应 被引量:2
18
作者 赵墨 吴伟 +4 位作者 程引会 郭景海 李进玺 马良 刘逸飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期96-101,共6页
建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n^+-p-n-n^+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在... 建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n^+-p-n-n^+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在系统电磁脉冲与剂量率综合效应作用下,双极晶体管内部,由于载流子数量剧增,其反向击穿阈值降低,综合效应比单一效应更易造成双极晶体管的毁伤。编制的系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算程序可用于分析电子学系统中其他类型半导体器件的效应机理与规律。 展开更多
关键词 系统电磁脉冲 剂量率 瞬态响应 数值模拟
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“强光一号”单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究 被引量:2
19
作者 王亮平 李沫 +3 位作者 张金海 张信军 郭宁 张少国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期255-260,共6页
利用“强光一号”装置开展了排宽度6~24mm、丝根数10~34、不同参数的单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究,重点研究了不同负载参数下平面型丝阵Z箍缩内爆、辐射特性随负载参数的变化规律。结果表明:平面型丝阵负载内爆过程存在先驱等离子... 利用“强光一号”装置开展了排宽度6~24mm、丝根数10~34、不同参数的单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究,重点研究了不同负载参数下平面型丝阵Z箍缩内爆、辐射特性随负载参数的变化规律。结果表明:平面型丝阵负载内爆过程存在先驱等离子体柱、拖尾质量等,并伴随着R—T不稳定性;在滞止后期等离子体箍缩柱受扭曲不稳定性影响明显;不同参数负载聚爆时间取决于线质量与排宽度平方的乘积值;以辐射能衡量的最优化值应位于200~400μg·cm之间,在相同值下丝间距应选择在1mm以下为宜。实验获得的平面型铝丝阵最大x射线辐射能量22kJ,峰值功率630GW,最大K层辐射能量3.9kJ,K层辐射功率158GW。 展开更多
关键词 平面型丝阵 内爆 辐射特性 Z箍缩
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掺锗石英光纤的稳态和瞬态γ辐射效应研究 被引量:2
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作者 黄绍艳 肖志刚 +5 位作者 刘敏波 盛江坤 王祖军 何宝平 姚志斌 唐本奇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2288-2292,共5页
开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总... 开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总剂量相同的情况下,光纤辐射感生损耗随辐照剂量率的增大而增大。辐照期间有光注入较无光注入时的光纤辐射感生损耗低,证实了光褪色效应的存在。对实验用650、850和1 310nm 3个波长,光纤辐射感生损耗随波长的增大而减小。与光纤稳态辐射感生损耗相比,光纤瞬态辐射感生损耗要大得多;光纤瞬态辐射感生损耗峰值与脉冲总剂量呈线性关系,这与饱和指数关系在低剂量下的泰勒展开近似一致。 展开更多
关键词 掺锗石英光纤 稳态 瞬态 辐射感生损耗
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