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MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
1
作者
孙志国
许志
利定东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期29-31,共3页
在大规模集成电路的制造过程中,MOCVDTiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVDTiN厚度对于W填充能力的影响。
关键词
大规模集成电路
MOCVD-TiN
薄膜厚度
漂移
钨填充
连接层材料
在线阅读
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职称材料
2002年世界半导体工业前景展望
2
作者
莫大康
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期7-7,21,共2页
关键词
2002年
半导体工业
远景
集成电路
销售
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职称材料
题名
MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
1
作者
孙志国
许志
利定东
机构
应用材料中国有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期29-31,共3页
文摘
在大规模集成电路的制造过程中,MOCVDTiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVDTiN厚度对于W填充能力的影响。
关键词
大规模集成电路
MOCVD-TiN
薄膜厚度
漂移
钨填充
连接层材料
Keywords
MOCVD TiN
Thickness
W
gap fill
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
2002年世界半导体工业前景展望
2
作者
莫大康
机构
应用材料中国有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期7-7,21,共2页
关键词
2002年
半导体工业
远景
集成电路
销售
分类号
F407.63 [经济管理—产业经济]
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
孙志国
许志
利定东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
2002年世界半导体工业前景展望
莫大康
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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