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出水口位置对垂直潜流人工湿地净化的影响
被引量：
7
1
作者
秦爱国
蹇兴超
+1 位作者
冯庆革
刘峥
《环境污染与防治》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期64-66,70,共4页
研究出水口位置对垂直潜流人工湿地净化的影响。垂直潜流人工湿地以间歇进水方式运行,进水水力负荷为0.125m3/(m2.d),进水来自南宁市琅东污水处理厂初沉池出水。研究结果表明,出水口位置对垂直潜流人工湿地净化有显著影响。与底部出水相...
研究出水口位置对垂直潜流人工湿地净化的影响。垂直潜流人工湿地以间歇进水方式运行,进水水力负荷为0.125m3/(m2.d),进水来自南宁市琅东污水处理厂初沉池出水。研究结果表明,出水口位置对垂直潜流人工湿地净化有显著影响。与底部出水相比,中部出水的TN、SS和COD去除率分别提高了8.01%、8.48%、7.99%,出水NO-3-N质量浓度降低了9.38 mg/L;但NH+4-N去除率则降低了26.25%,TP去除率降低了21.21%。
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关键词
垂直潜流人工湿地
出水口位置
饱和水层
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职称材料
化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析
被引量：
1
2
作者
付志强
周家斌
+4 位作者
王成彪
唐春和
梁彤祥
赵宏生
ROBIN Jean-charles
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期68-71,共4页
SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系，但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明：载...
SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系，但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明：载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要；合适的沉积温度为1100-1200℃；最佳反应物浓度为：SiCl4摩尔分数为1%-2%，沉积SiC涂层时CH4与SiCl4的摩尔比为1，沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4摩尔比为2，通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。
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关键词
SiC/SiO2复合涂层
化学气相沉积
热力学分析
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职称材料
题名
出水口位置对垂直潜流人工湿地净化的影响
被引量：
7
1
作者
秦爱国
蹇兴超
冯庆革
刘峥
机构
桂林工学院资源与环境工程系
广西壮族自治区建设厅
广西
大学环境学院
出处
《环境污染与防治》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期64-66,70,共4页
基金
广西科学研究与技术开发计划项目(桂科攻0663001-6)
文摘
研究出水口位置对垂直潜流人工湿地净化的影响。垂直潜流人工湿地以间歇进水方式运行,进水水力负荷为0.125m3/(m2.d),进水来自南宁市琅东污水处理厂初沉池出水。研究结果表明,出水口位置对垂直潜流人工湿地净化有显著影响。与底部出水相比,中部出水的TN、SS和COD去除率分别提高了8.01%、8.48%、7.99%,出水NO-3-N质量浓度降低了9.38 mg/L;但NH+4-N去除率则降低了26.25%,TP去除率降低了21.21%。
关键词
垂直潜流人工湿地
出水口位置
饱和水层
Keywords
vertical subsurface-flow constructed wetlands
outlet position
saturated zone
分类号
X703 [环境科学与工程—环境工程]
TV743 [水利工程—水利水电工程]
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职称材料
题名
化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析
被引量：
1
2
作者
付志强
周家斌
王成彪
唐春和
梁彤祥
赵宏生
ROBIN Jean-charles
机构
中国地质大学(北京)工程技术学院
广西壮族自治区建设厅
清华大学核能与新能源技术研究院
DEN/DTN/STPA/LPC/CEA/Cadarache
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期68-71,共4页
基金
中国地质大学(北京)科学技术基金(200503)
科学钻探国家专业实验室开放课题(NLSD200605)
文摘
SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系，但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明：载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要；合适的沉积温度为1100-1200℃；最佳反应物浓度为：SiCl4摩尔分数为1%-2%，沉积SiC涂层时CH4与SiCl4的摩尔比为1，沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4摩尔比为2，通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。
关键词
SiC/SiO2复合涂层
化学气相沉积
热力学分析
Keywords
SiC/SiO2 composite coating
chemical vapor deposition
thermodynamics analysis
分类号
TB304 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
出水口位置对垂直潜流人工湿地净化的影响
秦爱国
蹇兴超
冯庆革
刘峥
《环境污染与防治》
CAS
CSCD
北大核心
2010
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析
付志强
周家斌
王成彪
唐春和
梁彤祥
赵宏生
ROBIN Jean-charles
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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