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ITO玻璃基PLZT铁电材料的制备和性能研究 被引量:1
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作者 刘丽 王华 +2 位作者 许积文 任明放 杨玲 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第3期38-41,共4页
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬底上制备生长(Pb0.92La0.08)(Zr0.53Ti0.47)O(3PLZT)铁电薄膜,研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响。结果表明,经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强(... 采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬底上制备生长(Pb0.92La0.08)(Zr0.53Ti0.47)O(3PLZT)铁电薄膜,研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响。结果表明,经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强(55kV/cm)和剩余极化强度(38μC/cm2),薄膜的漏电流可达最低值(7.1nA),薄膜具有较好的介电性及透光性。 展开更多
关键词 PLZT 退火温度 电性能 光学特性 SOL-GEL
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纳米限域的十四醇相变材料的相变行为研究 被引量:1
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作者 唐云雨 徐芬 +3 位作者 孙立贤 夏永鹏 陈冬梅 兰孝征 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期162-165,共4页
选取十四醇为相变材料、具有不同孔径的硅胶为载体,采用物理浸渍法制得十四醇/硅胶复合相变材料。借助差示扫描量热仪对限域的十四醇的相变行为进行表征。结果表明,限域的十四醇具有良好的热循环稳定性。随硅胶孔径的减小,限域的十四醇... 选取十四醇为相变材料、具有不同孔径的硅胶为载体,采用物理浸渍法制得十四醇/硅胶复合相变材料。借助差示扫描量热仪对限域的十四醇的相变行为进行表征。结果表明,限域的十四醇具有良好的热循环稳定性。随硅胶孔径的减小,限域的十四醇与硅胶孔壁的相互作用加强、其相变温度向低温方向移动。研究结果还表明通过纳米限域可对相变材料的相变温度进行调控;可实现将固-液相变材料制成定型相变材料,从而抑制相变材料的流失。 展开更多
关键词 十四醇 硅胶 相变材料 限域 物理浸渍
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UiO-66的微波合成及其储氢性能研究 被引量:3
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作者 杨龙 蔡荣 +2 位作者 亓卫东 孙立贤 徐芬 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1605-1608,共4页
研究用甲酸作为调制剂,在微波条件下,通过溶剂热法在短时间成功合成出了不同尺寸的金属有机框架化合物Ui O-66纳米晶体,并与传统烘箱加热合成的Ui O-66晶体进行了对比。XRD和SEM表征结果表明:甲酸的调制使晶体的结晶度和颗粒尺寸都增大... 研究用甲酸作为调制剂,在微波条件下,通过溶剂热法在短时间成功合成出了不同尺寸的金属有机框架化合物Ui O-66纳米晶体,并与传统烘箱加热合成的Ui O-66晶体进行了对比。XRD和SEM表征结果表明:甲酸的调制使晶体的结晶度和颗粒尺寸都增大。N_2物理吸附研究表明,通过不同加热条件合成的Ui O-66晶体具有相近的微孔体积,但是孔径分布有明显的区别。结果表明,微波合成样品的孔径主要集中在0.82和1.10 nm,而传统烘箱加热合成的样品孔径则集中在0.82,1.10和1.63 nm处。由于微波合成的样品具有更小的孔径分布,因而使其在77 K和1×10~5Pa下具有更高的氢气吸附量,样品MW-50(甲酸与Zr Cl_4摩尔比为50∶1)和MW-100的储氢量分别达到1.83%和1.85%(质量分数),而CE-50和CE-100仅为1.57%和1.58%(质量分数)。 展开更多
关键词 微波合成 金属有机框架 UiO-66 氢气储存
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Bi_3.75Ce_0.25Ti_3O_12电致阻变薄膜的制备及其性能研究
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作者 孙丙成 王华 +1 位作者 许积文 杨玲 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期19-22,共4页
采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜,研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响,分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明,所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄... 采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜,研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响,分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明,所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104-106,在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态,Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大,介电损耗则随退火温度的升高而减小,高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主,在高阻态的高压区以空间电荷限制电流(SCLC)传导为主。 展开更多
关键词 Bi3 75Ce0 25薄膜 溶胶-凝胶 阻变性能 介电性能
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预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响
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作者 陈齐松 王华 +2 位作者 许积文 韦长成 张玉佩 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期36-40,共5页
以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p+-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜(MZO)。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明:经250、300℃预热... 以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p+-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜(MZO)。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明:经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p+-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS(104~106);器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流(SCLC)传导。 展开更多
关键词 Mn掺杂ZnO 溶胶凝胶 阻变特性 预热处理
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