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有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收（英文）
1
作者
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期538-544,共7页
采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式...
采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着Lw,Lb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致.
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关键词
密度矩阵方法
吸收系数
内电场
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职称材料
题名
有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收（英文）
1
作者
张立
机构
广州番禺职业技术学院电子技术与材料开发研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期538-544,共7页
基金
jointly supported by the NNSF of China(60906042 and 61178003)
the Yangchen Scholar Project(10B010D)
+1 种基金
the STPAA(10B001)of Guangzhou City,STP of Panyu Region(2010-D-09-1103004)
Project of Academic Innovation Group of Guangzhou City(13C17)
文摘
采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着Lw,Lb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致.
关键词
密度矩阵方法
吸收系数
内电场
Keywords
density matrix approach
absorption coefficient
built-in electric field
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
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1
有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收（英文）
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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