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电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响
被引量：
2
1
作者
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期378-380,385,共4页
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、...
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.
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关键词
非线性光学
半抛物量子阱
密度矩阵方法
电场
折射率改变
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职称材料
氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
2
作者
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期251-255,共5页
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸...
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.
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关键词
密度矩阵方法
氮化物耦合量子阱
内建电场
二次谐振波产生
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职称材料
题名
电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响
被引量：
2
1
作者
张立
机构
广州番禺职业技术学院电子与机械系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期378-380,385,共4页
基金
广州市属高校科技计划资助项目(编号:2060)
文摘
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.
关键词
非线性光学
半抛物量子阱
密度矩阵方法
电场
折射率改变
Keywords
nonlinear optics
semi-parabolic quantum wells
density matrix approach
electric field
refractive index changes
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
2
作者
张立
机构
广州番禺职业技术学院电子与机械系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期251-255,共5页
基金
国家自然科学基金(60276004与60390073)
广州市属高校科技(2060)资助项目
文摘
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.
关键词
密度矩阵方法
氮化物耦合量子阱
内建电场
二次谐振波产生
Keywords
density-matrix method
nitride coupling quantum well
built-in electric field
second- harmonic generatio
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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职称材料
2
氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
已选择
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