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电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响
被引量：
2
1
作者
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期378-380,385,共4页
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、...
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.
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关键词
非线性光学
半抛物量子阱
密度矩阵方法
电场
折射率改变
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职称材料
氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
2
作者
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期251-255,共5页
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸...
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.
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关键词
密度矩阵方法
氮化物耦合量子阱
内建电场
二次谐振波产生
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职称材料
准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性
3
作者
张立
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第S4期666-669,673,共5页
考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的...
考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的实验测量相当符合。计算发现,采用双参数变分波函数描述准一维GaN纳米线体系各向异性是有必要的,尤其是当纳米线尺寸较小时。讨论了杂质的位置对结合能、杂质基态能量以及变分参数的影响,并对这些观察背后的深刻物理现象进行了分析。
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关键词
GAN纳米线
结合能
变分方法
杂质态
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职称材料
题名
电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响
被引量：
2
1
作者
张立
机构
广州番禺职业技术学院电子与机械系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期378-380,385,共4页
基金
广州市属高校科技计划资助项目(编号:2060)
文摘
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.
关键词
非线性光学
半抛物量子阱
密度矩阵方法
电场
折射率改变
Keywords
nonlinear optics
semi-parabolic quantum wells
density matrix approach
electric field
refractive index changes
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
2
作者
张立
机构
广州番禺职业技术学院电子与机械系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期251-255,共5页
基金
国家自然科学基金(60276004与60390073)
广州市属高校科技(2060)资助项目
文摘
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.
关键词
密度矩阵方法
氮化物耦合量子阱
内建电场
二次谐振波产生
Keywords
density-matrix method
nitride coupling quantum well
built-in electric field
second- harmonic generatio
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性
3
作者
张立
机构
广州番禺职业技术学院电子与机械系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第S4期666-669,673,共5页
基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(60906042)
广州市属高校"羊城学者"科研资助项目(10B010D)
文摘
考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的实验测量相当符合。计算发现,采用双参数变分波函数描述准一维GaN纳米线体系各向异性是有必要的,尤其是当纳米线尺寸较小时。讨论了杂质的位置对结合能、杂质基态能量以及变分参数的影响,并对这些观察背后的深刻物理现象进行了分析。
关键词
GAN纳米线
结合能
变分方法
杂质态
Keywords
GaN nanowire
binding energy
donor impurity state
variational approach
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
张立
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性
张立
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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