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离子束增强沉积Si─N膜
1
作者
罗广南
李文治
李恒德
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第3期115-118,共4页
用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。采用卢瑟福背散射、红外光谱和透射电镜对膜层的成分和结构进行了分...
用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。采用卢瑟福背散射、红外光谱和透射电镜对膜层的成分和结构进行了分析，结果表明：膜面平整，膜层为非晶或微晶结构。
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关键词
离子束增强沉积
氮化硅膜
薄膜
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职称材料
题名
离子束增强沉积Si─N膜
1
作者
罗广南
李文治
李恒德
机构
广州有色金属研究院新材料室
清华大学
材料
科学与工程系
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第3期115-118,共4页
文摘
用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。采用卢瑟福背散射、红外光谱和透射电镜对膜层的成分和结构进行了分析，结果表明：膜面平整，膜层为非晶或微晶结构。
关键词
离子束增强沉积
氮化硅膜
薄膜
Keywords
ion beam enhanced deposition (IBED) Si N thin films nitrogen ion beam
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束增强沉积Si─N膜
罗广南
李文治
李恒德
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
1996
0
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