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非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究 被引量:5
1
作者 王光辉 郭康贤 郭旗 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期429-433,共5页
主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表... 主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响,从而为实验研究提供理论依据。 展开更多
关键词 非线性光学 非线性光吸收系数 非对称量子阱 密度矩阵方法
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电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响(英文) 被引量:4
2
作者 郭康贤 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期180-183,共4页
本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔... 本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大于40nm时,峰会逐渐消失. 展开更多
关键词 光学克尔效应 量子线 电子-声子相互作用
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SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究 被引量:2
3
作者 胡素梅 傅刚 陈海波 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第5期19-20,24,共3页
采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZ... 采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。 展开更多
关键词 湿敏特性 吸附理论 湿敏机理
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K_2O-SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷电性能的复阻抗分析 被引量:1
4
作者 胡素梅 陈海波 傅刚 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第2期50-52,共3页
采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可... 采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性。复阻抗分析表明:试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化,且试样在低湿时主要以电子导电为主,高湿时以离子导电为主。 展开更多
关键词 湿敏陶瓷 K^+液相掺杂 复阻抗分析 导电机理
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LiZnVO_4液相掺杂改善SnO_2系湿敏材料性能的研究 被引量:1
5
作者 胡素梅 陈海波 傅刚 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第1期36-38,共3页
采用尿素共沉淀法制备出SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的频率特性。实验结果表明:采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,并适当的液相掺杂L iZnVO4可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿... 采用尿素共沉淀法制备出SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的频率特性。实验结果表明:采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,并适当的液相掺杂L iZnVO4可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏性能与频率响应。 展开更多
关键词 微结构 湿敏性能 复阻抗特性 频率特性
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电子-声子相互作用对非对称Morse势阱中光整流效应的影响(英文)
6
作者 于凤梅 郭康贤 王克强 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期436-442,共7页
从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计... 从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后,获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%~30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果,有必要考虑电子-声子相互作用的影响。 展开更多
关键词 非线性光学 光整流效应 电子-声子相互作用 MORSE势阱
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非对称量子阱中非线性光学吸收系数的计算
7
作者 谭鹏 郭康贤 路洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期303-307,共5页
非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因... 非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因素。考虑到带间的电子弛豫,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式。因该势阱中有两个可调参数,通过调节系统的参数,发现该系统的非线性光学吸收系数呈规律性的变化。以典型的GaAs/A lGaAs非对称量子阱为例作了数值计算,通过调节系统的参数,数值计算结果表明,入射光强以及系统的非对称性对量子阱的非线性光学吸收系数有较大的影响,从而为实验上研究非对称量子阱的非线性光学效应提供了必要的理论依据。 展开更多
关键词 非对称量子阱 非线性光学吸收 密度矩阵方法
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施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量:6
8
作者 张立 谢洪鲸 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期437-440,共4页
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同... 利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。 展开更多
关键词 二阶非线性光学极化率 半抛物量子阱 电场强度 光整流系数 紧致密度矩阵方法 数值计算 量子光学
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非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量:9
9
作者 王光辉 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1314-1317,共4页
本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较... 本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 。 展开更多
关键词 二次谐波极化率 非对称量子阱 密度矩阵方法 量子光学 二阶非线性光学极化率
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n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文) 被引量:1
10
作者 张立 谢洪鲸 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期699-706,共8页
在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方... 在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿.本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化。它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法. 展开更多
关键词 耦合量子阱 极化光学声子 受限纵光学 界面光学 电-声子相互作用哈密顿
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HT-6M托卡马克等离子体紫外-可见谱 被引量:1
11
作者 徐伟 万宝年 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1244-1246,共3页
利用光学多道分析仪 (OMA)拍摄了HT 6M托卡马克等离子体近紫外可见谱 系统分析了杂质行为 ,给出了主要杂质碳和氧的朝内的通量 ,在简化模型下计算了碳氧的化学溅射率 ,并由此得出碳氧杂质产生机制和可能的循环途径 结果表明 ,氧杂质... 利用光学多道分析仪 (OMA)拍摄了HT 6M托卡马克等离子体近紫外可见谱 系统分析了杂质行为 ,给出了主要杂质碳和氧的朝内的通量 ,在简化模型下计算了碳氧的化学溅射率 ,并由此得出碳氧杂质产生机制和可能的循环途径 结果表明 ,氧杂质在循环途径中起关键性的作用 。 展开更多
关键词 等离子体 杂质通量 杂质循环
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LiZnVO_4液相掺杂对Zn_2SnO_4材料感湿特性的影响
12
作者 傅刚 胡素梅 +1 位作者 陈环 丁志文 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第7期71-73,76,共4页
采用共沉淀法制备出Zn2SnO4 LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂时LiZnVO4添加量对材料显微结构、导电类型以及湿敏性能的影响。实验结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善纳米材料的感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液... 采用共沉淀法制备出Zn2SnO4 LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂时LiZnVO4添加量对材料显微结构、导电类型以及湿敏性能的影响。实验结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善纳米材料的感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂量为0.1mol的配比,可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性。 展开更多
关键词 纳米粉体 微结构 电导 湿敏特性 LiZnVO4 Zn2SnO4 共沉淀法
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SnO_2气敏元件中无机粘接剂的作用和影响
13
作者 吕平 傅刚 +1 位作者 陈环 丁志文 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第6期14-16,共3页
研究SnO2气敏材料中起粘接剂作用的Bi和Si掺杂对器件电阻、灵敏度及长期稳定性的影响。研究表明:与Bi掺杂相比,添加富含Si的无机粘接剂能大大提高敏感膜的粘接强度,器件电阻适中,对灵敏度的影响不大,而且材料在820℃下烧结2h,仍能获得1... 研究SnO2气敏材料中起粘接剂作用的Bi和Si掺杂对器件电阻、灵敏度及长期稳定性的影响。研究表明:与Bi掺杂相比,添加富含Si的无机粘接剂能大大提高敏感膜的粘接强度,器件电阻适中,对灵敏度的影响不大,而且材料在820℃下烧结2h,仍能获得10nm以下的晶粒尺寸,说明Si不仅起粘接剂作用,也能明显抑制SnO2晶粒长大,高温烧结将有利于改善器件的长期稳定性。 展开更多
关键词 气敏元件 粘接强度 纳米粉体
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振镜法测量等离子体离子温度
14
作者 徐伟 万宝年 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1017-1020,共4页
 离子温度是托卡马克等离子体一个重要参数,介绍了一套振镜扫描装置,该装置主要由0.5m单色仪和安装在出射狭缝前的振动的石英镜片组成,时间分辨率小于10ms,系统测量误差小于20eV。测量了HT 6M托卡马克CV(227.1nm)谱线的线形,并由谱线...  离子温度是托卡马克等离子体一个重要参数,介绍了一套振镜扫描装置,该装置主要由0.5m单色仪和安装在出射狭缝前的振动的石英镜片组成,时间分辨率小于10ms,系统测量误差小于20eV。测量了HT 6M托卡马克CV(227.1nm)谱线的线形,并由谱线的多普勒展宽得出欧姆加热和离子回旋共振加热(I CRH)下的离子温度,结果表明ICRH期间离子温度由200eV升高到300eV。这套装置广泛应用在中小型托卡马克上。 展开更多
关键词 振镜扫描 离子温度 离子回旋共振加热
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影响ZnO压敏陶瓷非线性有关参数的优化分析 被引量:3
15
作者 唐大海 庄严 +2 位作者 周方桥 梁鸿东 陈志雄 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期336-340,共5页
基于已有的导电机理模型,认为ZnO压敏陶瓷的非线性与界面势垒的高度和宽度相关,界面态密度Ns、施主浓度Nd和它们的分布是影响势垒的主要参数。强调指出,由常见的势垒表达式去分析这些参数对势垒的影响时,必须遵守表达式建立时所依据的... 基于已有的导电机理模型,认为ZnO压敏陶瓷的非线性与界面势垒的高度和宽度相关,界面态密度Ns、施主浓度Nd和它们的分布是影响势垒的主要参数。强调指出,由常见的势垒表达式去分析这些参数对势垒的影响时,必须遵守表达式建立时所依据的前提条件。分析可知在提高Nd的同时,必须相应地提高Ns及改善它们的分布,才能使元件具有良好的非线性;在实际工作中,应从性能、成本、工艺操作等全面考虑,确定这些参数的优化匹配数值。 展开更多
关键词 界面态 界面能级 肖特基势垒 非线性系数
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有限深V型势阱中总折射率的改变(英文) 被引量:2
16
作者 陆志恩 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1001-1004,共4页
研究了有限深V型势阱折射率改变,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次,三次谐波极化率系数·最后,以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算·数值结果表明,减少入射光强度,或增加电子浓度使总折射率改变变大&#... 研究了有限深V型势阱折射率改变,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次,三次谐波极化率系数·最后,以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算·数值结果表明,减少入射光强度,或增加电子浓度使总折射率改变变大· 展开更多
关键词 有限V型势阱 光折射率 谐波产生
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电弧离子镀锐钛矿型TiO_2薄膜光催化降解苯酚 被引量:1
17
作者 袁永 马颖 叶长江 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期273-275,共3页
采用电弧离子镀法在普通玻璃表面制备透明的TiO2 薄膜 ,用AFM、XRD对TiO2 薄膜表面进行了表征 ,结果表明未经退火的薄膜主要以非晶态型存在 ;经过 5 0 0℃退火后 ,纳米TiO2 薄膜主要为锐钛矿结构。研究了纳米TiO2薄膜对难降解的有机物... 采用电弧离子镀法在普通玻璃表面制备透明的TiO2 薄膜 ,用AFM、XRD对TiO2 薄膜表面进行了表征 ,结果表明未经退火的薄膜主要以非晶态型存在 ;经过 5 0 0℃退火后 ,纳米TiO2 薄膜主要为锐钛矿结构。研究了纳米TiO2薄膜对难降解的有机物苯酚进行了研究 ,半小时就降解了 30 % ,经 5 0 0℃退火后的纳米TiO2 薄膜光催化性能更为显著。 展开更多
关键词 电弧离子镀 锐钛矿型TiO2薄膜 光催化降解
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