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Morse势阱中子带间的光吸收(英文) 被引量：5
1
作者 于凤梅 郭康贤 +1 位作者 谢洪鲸 俞友宾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期247-252,共6页
研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出... 研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出积极的作用 ,而三阶非线性吸收为负 ,抵消了一部分线性吸收 ,进而得到总的吸收系数 ;吸收系数随着入射光强度的增大而减小 ,即出现吸收饱和现象 ;当势阱参数a增大时 ,吸收系数增大 ,即阱宽较窄时 ,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数 ,就要输入较小的光场强度 ,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。 展开更多
关键词 MORSE势阱 光吸收系数 密度矩阵算符理论 迭代方法 子带间
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Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变 被引量：4
2
作者 于凤梅 郭康贤 王克强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期569-574,共6页
利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势... 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。 展开更多
关键词 非线性光学 光折射率改变 MORSE势阱 密度矩阵方法
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一种特殊的非对称量子阱中的光整流效应 被引量：1
3
作者 俞友宾 郭康贤 于凤梅 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期283-286,共4页
运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在... 运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在此特殊量子阱中得到了较大的光整流系数,从而为实验上制作较好的非线性材料提供了一种可行的途径。 展开更多
关键词 非线性 密度矩阵 光整流效应 量子力学密度矩阵 量子阱
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多普勒展宽和多普勒频移在光谱分析中的应用 被引量：1
4
作者 徐伟 方自深 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期667-669,共3页
分析了多普勒展宽和多普勒频移区别 ,讨论了高斯拟合和弦积分线形分布的差异。利用多道光学分析仪 (OSMA)测量HT 6M托卡马克限制器前Hα 线形分布 。
关键词 多普勒展宽 多普勒频移 光谱分析 应用 等离子体 高斯拟合 HT-6M托卡马克装置 限制器 Hα线形分布
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一种特殊的非对称量子阱中的电光效应(英文)
5
作者 俞友宾 郭康贤 于凤梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期14-18,共5页
运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式 ,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明 ,量子阱的非对称性随着参数a的增大而增强 ,随着参数V0 的增大而减小。电光系数的最大值也随... 运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式 ,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明 ,量子阱的非对称性随着参数a的增大而增强 ,随着参数V0 的增大而减小。电光系数的最大值也随着参数a的增大而增大 ,随着参数V0 的增大而减小 ,表明电光系数将随着量子阱非对称性的增大而增大。在取不同的参数a和不同的参数V0 时 ,电光系数和入射光子能量的关系分别被绘制成曲线图。在图中分别有三个不同的峰 ,而且系统的非对称性越大 ,峰值就越大。随着量子阱非对称性的增大 ,曲线中的峰向能量低的方向移动。另外 ,在这种量子阱中得到了比较大的电光系数 ,大约在 1 0 -6m/V量级。随着近来纳米制作技术的进步 ,使得在实验上制作这种特殊非对称量子阱并得到较好的非线性材料成为可能。 展开更多
关键词 电光效应 非对称量子阱 密度矩阵法 电光系数 砷化镓/铝镓砷 入射光子能量
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