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题名LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析
被引量：2
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作者
彭英才
稻毛信弥
池田弥央
宫崎诚一
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机构
河北大学电子信息工程学院
广岛大学电气工学系
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期261-264,共4页
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文摘
采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,当Si纳米量子点高度hc<5nm时 ,其PL效率基本保持不变。而当hc>5nm时 ,PL效率则急剧下降。同时 ,PL峰值能量随hc 的减少而增大 ,并与 (l/hc) 2 成正比依赖关系。如当hc 从 5 5nm减小至 0 8nm时 ,其峰值能量从 1 2 8eV增加到 1 4 3eV ,出现了约 0 15eV的谱峰蓝移。我们用量子限制效应
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关键词
LPCVD
自组织生长
发光机制
Si纳米量子点
量子限制效应-界面中心复合发光
低压化学气相沉积
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Keywords
Si nanodots
self assembled growth
quantum confinement effect interface light emission center recombination model
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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