采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载Zn2+掺杂TiO2,制得Zn/TiO2/泡沫镍光催化剂,利用XRD、SEM、UVVis、CA对其进行了晶体结构、表观形貌、光学及光电特性的分析,并研究了可见光催化氧化As(Ⅲ)的反应性能。结果表明,掺杂Zn2+将TiO2禁带宽度减...采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载Zn2+掺杂TiO2,制得Zn/TiO2/泡沫镍光催化剂,利用XRD、SEM、UVVis、CA对其进行了晶体结构、表观形貌、光学及光电特性的分析,并研究了可见光催化氧化As(Ⅲ)的反应性能。结果表明,掺杂Zn2+将TiO2禁带宽度减少0.05 e V,使起始吸收带边红移。Zn/TiO2/泡沫镍光电流密度为非掺杂的5倍。Zn/TiO2/泡沫镍可见光催化氧化As(Ⅲ)的去除率为非掺杂的1.8倍,羟基自由基在光催化过程中起重要作用。光催化后溶液未检测到镍基材溶出,可应用于处理饮用水。展开更多
文摘采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载Zn2+掺杂TiO2,制得Zn/TiO2/泡沫镍光催化剂,利用XRD、SEM、UVVis、CA对其进行了晶体结构、表观形貌、光学及光电特性的分析,并研究了可见光催化氧化As(Ⅲ)的反应性能。结果表明,掺杂Zn2+将TiO2禁带宽度减少0.05 e V,使起始吸收带边红移。Zn/TiO2/泡沫镍光电流密度为非掺杂的5倍。Zn/TiO2/泡沫镍可见光催化氧化As(Ⅲ)的去除率为非掺杂的1.8倍,羟基自由基在光催化过程中起重要作用。光催化后溶液未检测到镍基材溶出,可应用于处理饮用水。
