两端对称缺陷复合光子晶体特性研究 被引量：2

1

作者 陈海波 胡素梅 高英俊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期309-313,共5页

用传输矩阵法计算了两端对称缺陷复合光子晶体的传输特性。计算结果表明:两端对称缺陷复合光子晶体[D(AB)mD]2结构中的禁带出现两个完全共振透射峰。通过控制温度来微小改变光子晶体介电层的厚度,使得完全共振透射峰移动,且各介质厚度... 用传输矩阵法计算了两端对称缺陷复合光子晶体的传输特性。计算结果表明:两端对称缺陷复合光子晶体[D(AB)mD]2结构中的禁带出现两个完全共振透射峰。通过控制温度来微小改变光子晶体介电层的厚度,使得完全共振透射峰移动,且各介质厚度的变化与透射峰波长的变化呈良好的线性关系,折射率大的介电层厚度的变化对共振透射峰波长的变化较大。此结果为设计所需要的共振透射峰波长的双通道滤波器提供了理论依据,也为该结构实现热敏开关提供了理论基础。 展开更多

关键词 复合光子晶体 介质厚度 双通道滤波 热敏开关

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Zn掺杂对SnO_2棒状晶湿敏陶瓷湿敏特性影响研究 被引量：3

2

作者 胡素梅 陈海波 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第10期10-12,共3页

采用共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏粉体,分析了Zn掺杂对材料湿敏性能的影响,研究了材料的复阻抗特性和频率特性。实验结果表明,Zn的添加量对材料的微结构和湿敏特性都具有较大影响。适当的Zn掺杂可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的... 采用共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏粉体,分析了Zn掺杂对材料湿敏性能的影响,研究了材料的复阻抗特性和频率特性。实验结果表明,Zn的添加量对材料的微结构和湿敏特性都具有较大影响。适当的Zn掺杂可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏性能,频率特性表明该材料具有较好的频率响应。 展开更多

关键词 Zn掺杂 SnO2棒状晶 湿敏性能 频率响应

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Parity-Time对称Scarff势中多级孤子的传输特性 被引量：2

3

作者 胡素梅 钟婷婷 +2 位作者 吴红梅 周青云 陈海波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期192-199,共8页

研究了线性情况,自聚焦和自散焦非线性情况下Parity-Time对称Scarff复合势中二级孤子和三级孤子的存在与稳定性.对于线性情况,数值得到了不同调制深度下的Parity-Time对称Scarff复合势中的Parity-Time对称破坏点、本征值和多级线性模.... 研究了线性情况,自聚焦和自散焦非线性情况下Parity-Time对称Scarff复合势中二级孤子和三级孤子的存在与稳定性.对于线性情况,数值得到了不同调制深度下的Parity-Time对称Scarff复合势中的Parity-Time对称破坏点、本征值和多级线性模.对于非线性情况,研究了自聚焦与自散焦介质中的二级孤子和三级孤子的存在与稳定性.研究结果表明:对于确定的调制深度,二级线性模和三级线性模的本征值恰好等于相应的调制深度下二级孤子和三级孤子存在的临界传播常数b_c.在自聚焦与自散焦介质中,多级孤子能稳定存在于靠近临界传播常数b_c的区域. 展开更多

关键词 宇称-时间对称 Scarff势 本征值 线性模 多级孤子

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高透射率慢光速的光子晶体耦合腔波导的研究 被引量：3

4

作者 张昌莘 许兴胜 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1339-1344,共6页

将二维三角晶格光子晶体波导和微腔结构结合,优化设计了一种二维三角晶格光子晶体共振耦合腔波导,运用时域有限差分法(FDTD)模拟共振耦合腔波导TE偏振光的透射谱,通过透射谱得到传输光的透射率和群速度。结果表明,合适参数的二维三角晶... 将二维三角晶格光子晶体波导和微腔结构结合,优化设计了一种二维三角晶格光子晶体共振耦合腔波导,运用时域有限差分法(FDTD)模拟共振耦合腔波导TE偏振光的透射谱,通过透射谱得到传输光的透射率和群速度。结果表明,合适参数的二维三角晶格共振耦合腔波导在波长1.551μm处的群速度为c/130、透射率为20.1%,在波长1.502μm处的群速度为c/50、透射率为29.2%。运用平面波展开法(PWE)计算的该波导的能带结构对慢光特性进行了分析。这种慢光特性的光子晶体波导将在光存储、光延迟及光子集成等方面有潜在的应用价值。 展开更多

关键词 光子晶体波导 慢光速 透过率

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微扰法计算中等强磁场中氢原子的能级 被引量：1

5

作者 张昌莘 黄时中 +1 位作者 席伟 李天乐 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期867-871,共5页

本文在考虑氢原子轨道运动磁矩与磁场之间、自旋磁矩与磁场之间和感生磁矩与外磁场之间的相互作用的基础上，根据角动量和球谐函数的性质，应用简并态微扰方法研究了在中等强磁场中氢原子的能级，给出了计算中等强磁场中氢原子的一级近... 本文在考虑氢原子轨道运动磁矩与磁场之间、自旋磁矩与磁场之间和感生磁矩与外磁场之间的相互作用的基础上，根据角动量和球谐函数的性质，应用简并态微扰方法研究了在中等强磁场中氢原子的能级，给出了计算中等强磁场中氢原子的一级近似能级的方法，具体计算了 T范围内氢原子 的各能级的数值，结果与有关文献给出的理论计算值是相近的，表明本文所给出的方法是简单的、计算结果是正确的。 展开更多

关键词 氢原子 中等强磁场 微扰法 能级

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ZnO/GaN核/壳异质结纳米线能带结构和电荷分离的理论研究

6

作者 陈星源 罗文杰 +3 位作者 赖国霞 古迪 朱伟玲 徐祥福 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期308-314,共7页

采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶(VBM)和导带底(CBM)的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应电荷分布较为分散,且与直径关系不大,形成不了Ⅱ型半导体... 采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶(VBM)和导带底(CBM)的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应电荷分布较为分散,且与直径关系不大,形成不了Ⅱ型半导体电荷分离效应。GaN和ZnO组成的核/壳纳米线均保持本征GaN和ZnO纳米线的直接带隙性质。在ZnO包裹GaN的核壳纳米线结构中,不同比例的ZnO和GaN之间电荷转移均不明显,VBM和CBM电荷分布基本都是由壳层的ZnO的O原子占据,难于实现VBM和CBM电荷空间分离。在GaN包裹ZnO的核壳纳米线结构中,VBM电荷和CBM电荷分布分别主要由壳层的N原子占据和核层的O原子占据,同时ZnO和GaN之间的电荷转移量相对较大,容易形成较大的核壳内置电场,有利于促进空间电荷分离,并且随着ZnO的比例增加电荷转移量也相应增加,能有效的促进电荷分离有利于制备成Ⅱ型半导体。 展开更多

关键词 第一性原理 GaN/ZnO核/壳结构纳米线 能带结构 电荷分离

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入射角对光量子阱束缚态影响的研究

7

作者 陈海波 胡素梅 高英俊 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期16-18,共3页

为了探讨入射角对光量子阱传输特性的影响,用传输矩阵法计算了不同入射角对光量子阱结构的传输特性,得到了光量子阱能应用于多通道滤波和光开关的结论。结果表明,光子的束缚效应将导致频率的量子化,通过微小地改变入射角可改变束缚态的... 为了探讨入射角对光量子阱传输特性的影响,用传输矩阵法计算了不同入射角对光量子阱结构的传输特性,得到了光量子阱能应用于多通道滤波和光开关的结论。结果表明,光子的束缚效应将导致频率的量子化,通过微小地改变入射角可改变束缚态的频率,且入射角的变化与束缚态频率的变化呈3次多项式关系。此结果为该结构实现多通道滤波和方位开关提供了理论依据,也为得到所需要的束缚态频率提供了理论基础。 展开更多

关键词 物理光学 光量子阱 入射角 多通道滤波 方位开关

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表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究

8

作者 徐祥福 雷露军 +2 位作者 李天乐 朱伟玲 陈星源 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第6期946-952,共7页

采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH 3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了... 采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH 3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH 3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据. 展开更多

关键词 第一性原理 硅锗合金纳米线 表面修饰官能团 键长再分布

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理论研究Stone-Wales缺陷和C掺杂对手性BN纳米带的带隙调控

9

作者 徐祥福 赖国霞 +1 位作者 朱伟玲 陈星源 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1343-1347,共5页

通过第一性原理密度泛函理论的方法,研究了Stone-Wales缺陷和C掺杂对手性BN纳米带的带隙调控。结果表明,Stone-Wales缺陷使得BN纳米带的价带顶(VBM)和导带底(CBM)的占据态发生变化,从而引入了缺陷能级降低了带隙,但Stone-Wales缺陷的个... 通过第一性原理密度泛函理论的方法,研究了Stone-Wales缺陷和C掺杂对手性BN纳米带的带隙调控。结果表明,Stone-Wales缺陷使得BN纳米带的价带顶(VBM)和导带底(CBM)的占据态发生变化,从而引入了缺陷能级降低了带隙,但Stone-Wales缺陷的个数对带隙的大小影响不明显。电子结构计算表明,带Stone-Wales缺陷的BN纳米带的缺陷能级主要是由VBM附近形成N-N原子的类π键轨道和CBM附近形成B-B原子的类σ键分布决定。通过在带Stone-Wales缺陷的BN纳米带中引入C掺杂改变杂质能级的分布,在VBM附近形成了C-C原子的类σ键轨道和CBM附近形成了C-B原子的类σ键,这样可以进一步降低BN纳米带的带隙,拓展了BN纳米带的应用。 展开更多

关键词 BN纳米带 Stone-Wales缺陷 第一性原理 带隙调控

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SnO_2湿敏陶瓷伏安特性分析及其导电机理

10

作者 胡素梅 陈海波 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期355-357,404,共4页

采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性的影响。实验结果表明,LiZnVO4的添加量和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性有较大影响。当LiZnVO4添加量为10mol%时,试样伏安特性... 采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性的影响。实验结果表明,LiZnVO4的添加量和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性有较大影响。当LiZnVO4添加量为10mol%时,试样伏安特性的非线性最明显,对应的感湿灵敏度也最好。高湿和低湿时的伏安特性和直流充放电特性都表明,该材料在低湿区主要导电载流子是电子;在高湿区,其主要导电载流子是离子。 展开更多

关键词 SnO2-LiZnVO4系 伏安特性 直流充放电特性 导电机理

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烧结工艺对SnO_2棒状晶湿敏陶瓷电容特性影响研究

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作者 胡素梅 陈海波 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第9期12-14,23,共4页

通过共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏陶瓷,考察了烧结工艺对材料微结构和湿敏电容性能的影响,包括烧结温度和保温时间对湿度电容的影响。实验结果表明,烧结工艺对材料的微结构和湿敏电容都具有较大影响。适当的烧结温度和保温时间可使材... 通过共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏陶瓷,考察了烧结工艺对材料微结构和湿敏电容性能的影响,包括烧结温度和保温时间对湿度电容的影响。实验结果表明,烧结工艺对材料的微结构和湿敏电容都具有较大影响。适当的烧结温度和保温时间可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏电容。电容频率特性分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度变化。 展开更多

关键词 烧结工艺 SnO2棒状晶 湿敏电容

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