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PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
1
作者
陈蒲生
刘剑
+1 位作者
张昊
冯文修
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期71-75,共5页
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室...
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。
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关键词
PECVD
等离子体增强化学汽相淀积
薄介质膜
击穿机理
电学性能
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职称材料
IP与ATM之争的融合点——MPLS
被引量：
1
2
作者
陈春华
王斌
《广播与电视技术》
北大核心
1999年第7期116-121,共6页
通过简要介绍ＡＴＭ和ＩＰ之争以及当前三大网络各自的观点，笔者得出了ＭＰＬＳ是ＡＴＭ与ＩＰ的融合点这一个人看法，并根据实际提出了当前有效的宽带综合业务信息网的解决方案的建议。
关键词
网络
IP
ATM
MPLS
宽带综合业务信息网
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职称材料
题名
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
1
作者
陈蒲生
刘剑
张昊
冯文修
机构
华南大学应用物理系
广东省邮电科学研究院
中国电子科技集团公司第五
研究
所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期71-75,共5页
基金
广东省自然科学基金项目(950186)
文摘
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。
关键词
PECVD
等离子体增强化学汽相淀积
薄介质膜
击穿机理
电学性能
Keywords
PECVD
thin dielectric film
I-V characteristic
breakdown mechanism
elec-trical property
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
IP与ATM之争的融合点——MPLS
被引量：
1
2
作者
陈春华
王斌
机构
广东省邮电科学研究院
广州有线广播电视台
出处
《广播与电视技术》
北大核心
1999年第7期116-121,共6页
文摘
通过简要介绍ＡＴＭ和ＩＰ之争以及当前三大网络各自的观点，笔者得出了ＭＰＬＳ是ＡＴＭ与ＩＰ的融合点这一个人看法，并根据实际提出了当前有效的宽带综合业务信息网的解决方案的建议。
关键词
网络
IP
ATM
MPLS
宽带综合业务信息网
分类号
TN913.24 [电子电信—通信与信息系统]
TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
陈蒲生
刘剑
张昊
冯文修
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
2
IP与ATM之争的融合点——MPLS
陈春华
王斌
《广播与电视技术》
北大核心
1999
1
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职称材料
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