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SnO_2薄膜与n-SnO_2/p-Si异质结光电特性的研究
1
作者
刘咏梅
赵灵智
+1 位作者
姜如青
邢瑞林
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014年第5期45-48,共4页
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化,对其能带结构进行了模拟计算.结果显示,导带底和价带顶位于G点处,表明SnO2是一种直接带隙半导体.同时,采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si...
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化,对其能带结构进行了模拟计算.结果显示,导带底和价带顶位于G点处,表明SnO2是一种直接带隙半导体.同时,采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结.扫描电镜结果表明,SnO2薄膜晶粒均匀.霍尔测试结果表明,SnO2薄膜载流子浓度高达1.39×1 020 cm-3.吸收谱测试表明,SnO2薄膜光学带隙为3.73 eV.n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性.
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关键词
第一性原理
SnO2
薄膜
脉冲激光沉积法
n-SnO2/p-Si异质结
光电性质
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职称材料
题名
SnO_2薄膜与n-SnO_2/p-Si异质结光电特性的研究
1
作者
刘咏梅
赵灵智
姜如青
邢瑞林
机构
华南师范大学光电子材料与技术
研究
所
广东省羊城照明电器研究院
出处
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014年第5期45-48,共4页
基金
国家自然科学基金(11204090)
广东省自然科学基金(S2011010001758)
+6 种基金
广东省高等学校科技创新项目(2013KJCX0050)
广东省科技计划项目(2012B010400005
2011B010400022)
广州市珠江科技新星专项(2012J2200031)
广州市越秀区产学研项目(2013-CY-007
2012-TP-002)
广州市天河区科技计划项目(116ZH069)
文摘
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化,对其能带结构进行了模拟计算.结果显示,导带底和价带顶位于G点处,表明SnO2是一种直接带隙半导体.同时,采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结.扫描电镜结果表明,SnO2薄膜晶粒均匀.霍尔测试结果表明,SnO2薄膜载流子浓度高达1.39×1 020 cm-3.吸收谱测试表明,SnO2薄膜光学带隙为3.73 eV.n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性.
关键词
第一性原理
SnO2
薄膜
脉冲激光沉积法
n-SnO2/p-Si异质结
光电性质
Keywords
first-principles calculations
SnO2 film
pulsed laser deposition
n-SnO2/p-Si heterojunction
optoe-lectronic properties
分类号
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SnO_2薄膜与n-SnO_2/p-Si异质结光电特性的研究
刘咏梅
赵灵智
姜如青
邢瑞林
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014
0
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职称材料
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