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VA族元素修饰对二维AlN电磁性质调控的理论研究
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作者 莫秋燕 陈广萍 +2 位作者 张颂 荆涛 吴家隐 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期159-166,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VA族元素(N、P、As、Sb、Bi)对二维AlN电磁性质的影响.研究发现,VA族元素修饰后,二维AlN的能带结构发生显著劈裂,表明体系转变为磁性材料.同时,导带底部向低能量区域移动,使得二维AlN... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VA族元素(N、P、As、Sb、Bi)对二维AlN电磁性质的影响.研究发现,VA族元素修饰后,二维AlN的能带结构发生显著劈裂,表明体系转变为磁性材料.同时,导带底部向低能量区域移动,使得二维AlN的吸收阈值从紫外线区域扩展至可见光区域.因此,VA族元素的修饰显著调控了二维AlN的电子结构和磁性,为实现可见光响应的光电子和自旋电子器件提供了新思路和可能性. 展开更多
关键词 二维AlN 第一性原理 修饰 电子结构
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SO_(2)和CO在ReS_(2)表面吸附的第一性原理研究
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作者 莫秋燕 张颂 +1 位作者 荆涛 吴家隐 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第1期107-114,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对ReS_(2)材料吸附SO_(2)与CO这两种有毒气体的特性进行了研究。研究发现:相较于CO,SO_(2)与ReS_(2)之间的相互作用较大,表现为较紧凑的吸附几何构型和较大的吸附能。通过差分电荷密度的计算,进... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对ReS_(2)材料吸附SO_(2)与CO这两种有毒气体的特性进行了研究。研究发现:相较于CO,SO_(2)与ReS_(2)之间的相互作用较大,表现为较紧凑的吸附几何构型和较大的吸附能。通过差分电荷密度的计算,进一步解释了ReS_(2)表面向SO_(2)分子的电子转移过程,这一过程增强了吸附界面的电子密度重排,为ReS_(2)对SO_(2)的高灵敏度检测提供了微观层面的解释。此外,ReS_(2)在室温条件下对SO_(2)和CO的吸附展现出快速解吸能力,适合作为室温下检测SO_(2)和CO的传感材料。因此,ReS_(2)具备成为气体传感器和吸附材料的潜力,为新型、高性能气体污染检测技术的设计提供了方便。 展开更多
关键词 ReS_(2) 有毒气体 吸附 气体检测 第一性原理 传感器
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Pt修饰AlN单层对C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)吸附和气敏特性的第一性原理研究
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作者 莫秋燕 吴家隐 荆涛 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期1050-1060,共11页
本文采用第一性原理计算方法系统研究了C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)两种有机气体在氮化铝(AlN)单层及Pt修饰AlN的吸附特性。研究结果表明:对于C_(2)H_(6),当其吸附在本征AlN单层上时,表现出较小的吸附能和电荷转移量,导致AlN单层对C_(2)H_(6... 本文采用第一性原理计算方法系统研究了C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)两种有机气体在氮化铝(AlN)单层及Pt修饰AlN的吸附特性。研究结果表明:对于C_(2)H_(6),当其吸附在本征AlN单层上时,表现出较小的吸附能和电荷转移量,导致AlN单层对C_(2)H_(6)的敏感性较差;在Pt修饰后,AlN单层对C_(2)H_(6)的吸附性能没有明显提高。相比之下,Pt修饰提高了AlN单层对C_(6)H_(6)的吸附能力,Pt修饰AlN对C_(6)H_(6)的吸附能为-0.564 eV,通过带隙和功函数的变化,Pt修饰AlN单层对C_(6)H_(6)表现出更高的灵敏度。此外,适中的吸附能量和在室温下较短的恢复时间(3.45×10^(-4)s)表明,Pt修饰的AlN单层在检测C_(6)H_(6)分子时还具有良好的可重复性。研究为C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)在Pt修饰AlN单层上的吸附行为提供了详细的微观解析,可促进AlN基材料在气敏领域的应用。 展开更多
关键词 氮化铝单层 吸附 Pt修饰 第一性原理 电子结构 乙烷
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VI族元素修饰对二维AlN电子性质影响的第一性原理研究 被引量:1
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作者 莫秋燕 欧满琳 +2 位作者 张颂 荆涛 吴家隐 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1620-1628,共9页
采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修饰对二维AlN电子性质的影响。计算结果表明,O修饰后,二维AlN体系的能带发生劈裂,从而转变为磁性材料;S、Se和Te修饰后,二维AlN电子态密度曲线自旋向上和自旋向下... 采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修饰对二维AlN电子性质的影响。计算结果表明,O修饰后,二维AlN体系的能带发生劈裂,从而转变为磁性材料;S、Se和Te修饰后,二维AlN电子态密度曲线自旋向上和自旋向下完全对称,形成了非磁性结构。从态密度图可以看出,费米能级附近的态密度主要由修饰原子的p态电子和N原子的p态电子贡献,导带底部逐渐向低能区移动,导致二维AlN的吸收波长阈值从紫外线区域向可见光移动。因此,修饰的二维AlN光催化效率提高,并有应用于可见光响应的光电子和自旋电子器件的可能。 展开更多
关键词 二维AlN VI族元素 修饰 第一性原理 电子结构 磁性
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结合RSSI测距和三边定位算法的LoRa定位系统 被引量:1
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作者 史振江 李君艺 黄珈嘉 《电讯技术》 北大核心 2024年第12期2032-2037,共6页
为了提高远距离无线电(Long Range Radio,LoRa)系统定位精度,提出利用接收信号强度指示(Received Signal Strength Indication,RSSI)测距和三边定位方法结合小波神经网络模型对LoRa节点进行定位。首先分析了RSSI测距、三边定位的原理和... 为了提高远距离无线电(Long Range Radio,LoRa)系统定位精度,提出利用接收信号强度指示(Received Signal Strength Indication,RSSI)测距和三边定位方法结合小波神经网络模型对LoRa节点进行定位。首先分析了RSSI测距、三边定位的原理和实现方法,给出了基于RSSI测距方法求解LoRa网关与LoRa节点间距离的步骤。然后利用3层融合型小波神经网络搭建了LoRa节点定位模型,选取Morlet小波为隐含层神经元的激励函数,选取Sigmoid阈值函数为输出层函数,将LoRa节点到3个LoRa网关的距离作为输入层数据,节点定位模型转换并输出LoRa节点位置的归一化横坐标和纵坐标。最后利用LoRa网关模块和LoRa节点模块搭建了LoRa节点定位实验系统并进行了实验测试,通过实验数据分析得出了RSSI测距参数并利用三边定位算法和小波神经网络节点定位模型实现了待定位LoRa节点的精准定位。实验结果表明,所提算法的定位精度为1.033 m,优于四点质心定位算法和传统三边定位算法。 展开更多
关键词 LoRa定位 RSSI测距算法 三边定位算法 小波神经网络
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微纤化纤维素基复合膜的质子交换性能
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作者 苗磊 王磊 陈东初 《华南师范大学学报(自然科学版)》 北大核心 2024年第5期35-42,共8页
提出了微纤化纤维素“微溶-焊接”策略,采用尿素/NaOH溶液对微纤化纤维素进行微溶处理并使其在凝固浴中重新凝固析出的方法,制备了微纤化纤维素/木质素磺酸盐复合膜,研究其力学性能、溶胀性能及质子传输性能等。结果表明:复合膜在完全... 提出了微纤化纤维素“微溶-焊接”策略,采用尿素/NaOH溶液对微纤化纤维素进行微溶处理并使其在凝固浴中重新凝固析出的方法,制备了微纤化纤维素/木质素磺酸盐复合膜,研究其力学性能、溶胀性能及质子传输性能等。结果表明:复合膜在完全水合状态下的力学强度为3.7±0.2 MPa,杨氏模量为58.6±3.9 MPa,吸水率(质量分数)为(82±1)%,平面溶胀率为(13±2)%,复合膜在80℃下的质子传导率为0.056 S/cm,甲醇渗透系数为2.86×10^(-6)cm^(2)/s。该研究提出的“微溶-焊接”策略,有望在纤维素功能膜领域得到应用。 展开更多
关键词 微纤化纤维素 质子交换 木质素磺酸钠 复合膜
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基于感知对抗网络的图像风格迁移方法研究 被引量:1
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作者 李君艺 尧雪娟 李海林 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第5期624-628,共5页
基于有关图像风格迁移研究成果,结合生成式对抗网络(generative adversarial network,GAN)和感知损失函数,文章提出了基于感知对抗网络(perceptual adversarial network,PAN)的图像风格迁移方法。该方法利用感知损失函数进行对抗训练,... 基于有关图像风格迁移研究成果,结合生成式对抗网络(generative adversarial network,GAN)和感知损失函数,文章提出了基于感知对抗网络(perceptual adversarial network,PAN)的图像风格迁移方法。该方法利用感知损失函数进行对抗训练,通过图像转换网络与判别网络之间的交替优化,生成图与原图在多个网络层次的特征差异能被持续发掘,使生成图的内容和风格更接近原图。实验结果表明,基于PAN的图像风格迁移方法能取得更佳效果。 展开更多
关键词 图像风格迁移 生成式对抗网络(GAN) 感知损失 感知对抗网络(PAN)
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