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晶体硅太阳电池的BaFx电子选择性接触研究
1
作者
狄翀
李文昊
+3 位作者
陈静伟
丁阳
韦德远
许颖
《太阳能学报》
北大核心
2025年第6期245-250,共6页
研究一种利用电子束蒸发方法制备的超薄氟化钡(BaF_(x))薄膜的材料特性,并将其应用为晶体硅异质结电池的新颖的、输运电子而阻挡空穴的免掺杂选择性接触传输材料。紫外光电子能谱测试表明BaF_(x)/Al界面的功函数为2.55 eV,低于铝本身的...
研究一种利用电子束蒸发方法制备的超薄氟化钡(BaF_(x))薄膜的材料特性,并将其应用为晶体硅异质结电池的新颖的、输运电子而阻挡空穴的免掺杂选择性接触传输材料。紫外光电子能谱测试表明BaF_(x)/Al界面的功函数为2.55 eV,低于铝本身的功函数(4.26 eV),可实现对电子的选择性传输功能。加入BaF_(x)导致Al电极和晶体硅之间形成欧姆接触,并实现23.98 mΩ·cm^(2)的低接触电阻率。将此异质结构作为轻掺杂n型单晶硅太阳电池的免掺杂整背面欧姆接触,使电池的填充因子和短路电流密度都有所提升,并最终实现电池的绝对能量转换效率2.53%的提升。
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关键词
太阳电池
硅异质结
免掺杂
电子选择性接触
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职称材料
题名
晶体硅太阳电池的BaFx电子选择性接触研究
1
作者
狄翀
李文昊
陈静伟
丁阳
韦德远
许颖
机构
河北大学物理科学与技术学院
广东松山湖材料实验室
湖北九峰山
实验室
出处
《太阳能学报》
北大核心
2025年第6期245-250,共6页
基金
河北省重点研发计划(20314305D)
国家自然科学基金青年基金(61704045)。
文摘
研究一种利用电子束蒸发方法制备的超薄氟化钡(BaF_(x))薄膜的材料特性,并将其应用为晶体硅异质结电池的新颖的、输运电子而阻挡空穴的免掺杂选择性接触传输材料。紫外光电子能谱测试表明BaF_(x)/Al界面的功函数为2.55 eV,低于铝本身的功函数(4.26 eV),可实现对电子的选择性传输功能。加入BaF_(x)导致Al电极和晶体硅之间形成欧姆接触,并实现23.98 mΩ·cm^(2)的低接触电阻率。将此异质结构作为轻掺杂n型单晶硅太阳电池的免掺杂整背面欧姆接触,使电池的填充因子和短路电流密度都有所提升,并最终实现电池的绝对能量转换效率2.53%的提升。
关键词
太阳电池
硅异质结
免掺杂
电子选择性接触
Keywords
solar cells
silicon heterojunction
dopant-free
electron selective contact
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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作者
出处
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1
晶体硅太阳电池的BaFx电子选择性接触研究
狄翀
李文昊
陈静伟
丁阳
韦德远
许颖
《太阳能学报》
北大核心
2025
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