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大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术
被引量：
4
1
作者
吴林枫
唐文婷
+4 位作者
陈宝
易翰翔
李玉珠
王保兴
蔡勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期565-571,共7页
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LE...
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mm×4.5 mm。在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA。当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20 W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W。
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关键词
自隔离散热技术
大功率倒装单片集成LED
光输出功率
插墙效率
热阻
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职称材料
基于超薄贴合技术的单片集成大功率倒装LED
被引量：
1
2
作者
庞佳鑫
唐文婷
+5 位作者
陈宝瑨
易翰翔
王宝兴
张秀
田立君
蔡勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第9期755-760,共6页
采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作...
采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的金属片和绝缘导热凸台这一散热结构对LED芯片进行封装。在驱动电流为0.1 A时,芯片的开启电压为29 V,芯片可正常发光。在2 A的恒流电源驱动下,芯片到散热器的峰值热阻为0.44 K/W,平均热阻为0.38 K/W。加装透镜后,蓝光LED的插墙效率达到42%,白光LED的光效达到86.19 lm/W。使用超薄贴合技术成功地制备了75 W单片集成大功率倒装LED,为开发单片集成大功率LED提供了有效的途径。超薄贴合技术对单片集成大功率倒装LED的发展具有一定的推动作用。
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关键词
超薄贴合技术
单片集成大功率倒装LED
插墙效率
光效
热阻
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职称材料
题名
大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术
被引量：
4
1
作者
吴林枫
唐文婷
陈宝
易翰翔
李玉珠
王保兴
蔡勇
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
宁波天炬
光电
科技
有限公司
广东德力光电有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期565-571,共7页
文摘
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mm×4.5 mm。在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA。当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20 W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W。
关键词
自隔离散热技术
大功率倒装单片集成LED
光输出功率
插墙效率
热阻
Keywords
self-isolation heat dissipation technology
high power flip-chip monolithically integrated LED
light output power
wall-plug efficiency
thermal resistance
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于超薄贴合技术的单片集成大功率倒装LED
被引量：
1
2
作者
庞佳鑫
唐文婷
陈宝瑨
易翰翔
王宝兴
张秀
田立君
蔡勇
机构
上海大学理学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
宁波天炬
光电
科技
有限公司
广东德力光电有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第9期755-760,共6页
文摘
采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的金属片和绝缘导热凸台这一散热结构对LED芯片进行封装。在驱动电流为0.1 A时,芯片的开启电压为29 V,芯片可正常发光。在2 A的恒流电源驱动下,芯片到散热器的峰值热阻为0.44 K/W,平均热阻为0.38 K/W。加装透镜后,蓝光LED的插墙效率达到42%,白光LED的光效达到86.19 lm/W。使用超薄贴合技术成功地制备了75 W单片集成大功率倒装LED,为开发单片集成大功率LED提供了有效的途径。超薄贴合技术对单片集成大功率倒装LED的发展具有一定的推动作用。
关键词
超薄贴合技术
单片集成大功率倒装LED
插墙效率
光效
热阻
Keywords
ultra-thin bonding technology
monolithic integrated high-power flip-chip LED
wall-plug efficiency
light efficiency
thermal resistance
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术
吴林枫
唐文婷
陈宝
易翰翔
李玉珠
王保兴
蔡勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于超薄贴合技术的单片集成大功率倒装LED
庞佳鑫
唐文婷
陈宝瑨
易翰翔
王宝兴
张秀
田立君
蔡勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
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