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搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管
被引量：
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作者
郭海成
周玮
+5 位作者
陈荣盛
赵淑云
张猛
王文
陈树明
周南云
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期471-478,共8页
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且...
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
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关键词
搭桥晶粒
多晶硅
薄膜晶体管
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职称材料
题名
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
郭海成
周玮
陈荣盛
赵淑云
张猛
王文
陈树明
周南云
机构
香港
科技
大学
显
示技术研究
中
心
广东中显科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期471-478,共8页
基金
香港研究资助局主题研究计划项目(No.T23-713/11-1)
文摘
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
关键词
搭桥晶粒
多晶硅
薄膜晶体管
Keywords
bridged-grain
polycrystalline silicon
thin-film transistors
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管
郭海成
周玮
陈荣盛
赵淑云
张猛
王文
陈树明
周南云
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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