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题名气流场强度对直流磁控溅射ZAO薄膜性能的影响
被引量：2
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作者
殷胜东
马勇
靳铁良
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机构
重庆师范大学物理学与信息技术学院
平顶山学院物理学与电气信息工程学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期135-137,共3页
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基金
重庆市教委科研基金资助项目(040810)
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文摘
用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO∶Al)透明导电薄膜样品。定义气流场强度等于总气流量除以总气压。结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大。在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω.cm,可见光透射率为90%。
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关键词
ZAO薄膜
直流反应磁控溅射
气流场强度
电导率
透射率
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Keywords
ZAO thin films, DC magnetron sputtering, current field intensity, resistivity, transmittance
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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