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电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏
被引量：
23
1
作者
余稳
蔡新华
+1 位作者
黄文华
刘国治
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期355-358,共4页
利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为。
关键词
电磁脉冲
半导体器件
电流模式
时域有限差分
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职称材料
题名
电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏
被引量：
23
1
作者
余稳
蔡新华
黄文华
刘国治
机构
常德师范学院电磁理论研究所
西北核技术
研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期355-358,共4页
基金
国家863激光技术领域资助课题
文摘
利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为。
关键词
电磁脉冲
半导体器件
电流模式
时域有限差分
Keywords
EMP
semiconductor devices
current mode
FDTD
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏
余稳
蔡新华
黄文华
刘国治
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
23
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