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车规级功率器件的封装关键技术及封装可靠性研究进展 被引量:8
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作者 武晓彤 邓二平 +3 位作者 吴立信 刘鹏 杨少华 丁立健 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期689-701,共13页
半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综... 半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综述了车规级功率器件的封装关键技术和封装可靠性研究进展,通过系统地归纳适应市场发展需求的车规级功率器件封装结构,总结了封装设计关键技术和先进手段,同时概述了封装可靠性研究面临的挑战。深入探讨了车规级功率器件封装设计和封装可靠性的重要问题,在此基础上,借鉴总结已有的研究成果,提出了可行的解决方案。 展开更多
关键词 车规级功率器件 封装关键技术 封装结构 封装可靠性 第三代半导体器件
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大气中子在系统级封装器件中引起的单粒子效应特性及机理研究
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作者 叶结锋 梁朝辉 +5 位作者 张战刚 郑顺顺 雷志锋 刘志利 耿高营 韩慧 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第5期1154-1164,共11页
基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SR... 基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SRAM)模块以及现场可编程门阵列(FPGA)内部的块随机存取存储器(BRAM)模块。SEFI的错误类型主要是上位机程序闪退以及DSP状态机卡死。基于加速辐照实验结果计算了中子导致的SEU截面,探讨了工艺节点、中子束流能谱对SEU截面的影响。当工艺节点从40 nm减小到28 nm时,U型SEU截面减少了73%。热中子对SRAM模块的SEU截面有较大影响,滤除中子束流中的热中子成分后,SRAM的SEU截面下降了28.8%。基于GEANT4仿真软件对实验结果进行了分析,解释了实验组SEU截面较低的原因。最后,通过计算纽约海平面的软错误率发现,SEU最敏感模块为FPGA内部的BRAM,能量大于1 MeV高能中子引起的软错误率为766.8 FIT/Mbit,未在第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)、FPGA内部的可配置逻辑块(CLB)和只读存储器(ROM)中发现SEU;SEFI最敏感模块为DSP。实验数据对SiP的抗中子辐照设计有重要意义。 展开更多
关键词 单粒子效应 中子辐照 系统级封装 单粒子翻转截面 热中子 软错误率
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功率器件可靠性试验样本数量确定理论及影响 被引量:3
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作者 王作艺 王延浩 +3 位作者 邓二平 牛皓 杨少华 黄永章 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期722-728,共7页
在功率器件的可靠性试验、评估和验证中,样本数量的大小决定着试验结果的准确性。然而,在不同的标准中,对于相同试验,样本数量的选择却不尽相同,给实际应用带来了困难。通过研究各类标准中的试验内容,将样本数量的选择分为探究型试验和... 在功率器件的可靠性试验、评估和验证中,样本数量的大小决定着试验结果的准确性。然而,在不同的标准中,对于相同试验,样本数量的选择却不尽相同,给实际应用带来了困难。通过研究各类标准中的试验内容,将样本数量的选择分为探究型试验和验收型试验两类,分析、解释了选择不同样本数量的理由。对样本数量计算公式进行了分析,并将公式中的变量与标准规定指标联系起来。结果表明,批允许不合格率(LTPD)和置信度会影响样本数量。因此,在满足标准规定指标的前提下,可以根据实际需求适当调整试验样本数量,为器件可靠性试验评估提供有效的手段。 展开更多
关键词 可靠性试验 样本数量 功率器件 批允许不合格率(LTPD) 置信度
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基于高功率微波脉冲注入的氮化镓低噪声放大器效应研究
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作者 刘敏 蔡宗棋 +4 位作者 卞立安 唐厚鹭 吕安如 陈义强 路国光 《中国舰船研究》 北大核心 2025年第4期32-42,共11页
[目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不... [目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲试验,获取器件的阈值功率。同时,为了进一步确定GaNLNA的损伤部位以及损伤机理,对芯片进行开封,并利用显微镜、双束聚焦离子束(FIB)等分析设备对芯片表面及内部进行微观形貌表征。[结果]试验结果表明,当GaNLNA遭受脉冲宽度30ns,上升沿18ns,下降沿18ns,周期为2ms的高功率微波脉冲注入冲击后,其增益从约23.67dB恶化到-8.91dB,噪声系数从1.59dB恶化到18.13dB,输出波形严重压缩。分析表明GaNLNA的核心有源器件高电子迁移率晶体管(HEMT)容易被高功率微波损伤,受损主要源于高功率微波攻击导致栅极形成微电流通道,随后引发漏极过电流,最终永久损坏器件。[结论]研究GaNLNA及其核心有源器件HEMT在高功率微波作用下的损伤效应,为深入了解高功率微波脉冲对GaNLNA的影响以及提升GaNLNA鲁棒性提供了重要的参考价值。 展开更多
关键词 低噪声放大器 氮化镓 高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁防护 损伤效应
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材料释气对MEMS真空封装腔内压强影响的研究
5
作者 朱春龙 阮彬 +2 位作者 黄钦文 郭辉辉 李金桐 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第7期32-36,共5页
真空封装技术对MEMS的制备至关重要。由于其内部腔体较小,使得该腔内压强的测量成为了业界公认的难题。因此,本文根据扩散理论建立了简化的真空腔封装结构的材料释气模型,并且提出了通过测量MEMS的品质因子间接表征出腔内的气压变化的... 真空封装技术对MEMS的制备至关重要。由于其内部腔体较小,使得该腔内压强的测量成为了业界公认的难题。因此,本文根据扩散理论建立了简化的真空腔封装结构的材料释气模型,并且提出了通过测量MEMS的品质因子间接表征出腔内的气压变化的方法。从以下3个方面验证了提出方法的有效性和准确性。首先,建立MEMS真空腔内材料释气的理论推导;然后,分别采用硅和铜作为MEMS的封装材料,在不同初始封装气压和温度下,获取仅氢气的扩散解吸对腔体内部压强的仿真值;最后,搭建了真空封装MEMS陀螺仪真空度加速退化实验平台,并将实验值并与仿真值进行对比。对比结果表明,本文提出的MEMS内部腔内的气压退化表征方法具有较强的工程应用价值。 展开更多
关键词 MEMS真空封装 材料释气 扩散解吸 加速退化
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MEMS惯性器件的主要失效模式和失效机理研究 被引量:17
6
作者 陈俊光 谷专元 +3 位作者 何春华 黄钦文 来萍 恩云飞 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第3期1-5,13,共6页
针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,通过大量的历史资料调研和失效信息收集等方法,针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,对冲击、振动、湿度、温变、辐照和静电放电(ESD)等不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型失效模式及失效机... 针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,通过大量的历史资料调研和失效信息收集等方法,针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,对冲击、振动、湿度、温变、辐照和静电放电(ESD)等不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型失效模式及失效机理进行了深入分析和总结,研究结果有利于指导未来MEMS惯性器件的失效分析和可靠性设计。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS)惯性器件 可靠性 失效模式 失效机理
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盲元作为红外焦平面可靠性分析手段的探讨 被引量:10
7
作者 郝立超 黄爱波 +6 位作者 赖灿雄 陈星 陈辉 郝明明 路国光 黄云 恩云飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期25-30,共6页
红外焦平面器件广泛应用于国防安全、空间探测、环境监测、工业控制等各个领域,但是由于量少价高的特点,可靠性成为其技术发展的主要瓶颈之一。盲元是红外焦平面的失效像元,是对器件工作特性的反映,因此,可以用作可靠性评价和失效分析... 红外焦平面器件广泛应用于国防安全、空间探测、环境监测、工业控制等各个领域,但是由于量少价高的特点,可靠性成为其技术发展的主要瓶颈之一。盲元是红外焦平面的失效像元,是对器件工作特性的反映,因此,可以用作可靠性评价和失效分析手段的重要参数。以出厂时间为界,将盲元分为初始盲元和使用盲元,并分析了其类型、性质、数量、位置及分布等方面的特征。根据红外焦平面器件结构特点,从探测器、互联铟柱和读出电路三个方面分析了盲元形成原因,全面探讨了盲元分析在研究器件损伤应力、失效位置、损伤机理上的应用,以及准确评价器件性能和提高盲元剔除精度的可行性,为器件结构的优化和工艺的改进提供了支撑。 展开更多
关键词 盲元 红外焦平面 可靠性 失效分析 性能评价
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核磁共振扩散序谱的研究及应用进展 被引量:3
8
作者 张鹏 陈媛 罗维 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1050-1057,共8页
核磁共振(NMR)是确定分子结构最常用的分析方法之一,扩散序谱(DOSY)拓展了核磁共振波谱分析复杂混合物的能力。DOSY可以通过测量混合物的自扩散系数,"虚拟分离"多组分系统中的各化学实体。而自扩散系数反映了分子的有效大小... 核磁共振(NMR)是确定分子结构最常用的分析方法之一,扩散序谱(DOSY)拓展了核磁共振波谱分析复杂混合物的能力。DOSY可以通过测量混合物的自扩散系数,"虚拟分离"多组分系统中的各化学实体。而自扩散系数反映了分子的有效大小和形状,因此DOSY也能提供分子尺寸、分子量、分子间相互作用及聚集状态的具体信息。该文综述了DOSY实验的基本原理、脉冲序列发展及相关研究领域的应用进展。首先简述了脉冲场梯度、脉冲序列的发展及应用特点,然后详细介绍了DOSY在鉴别混合物组分、测量分子尺寸、分子量分布、表征分子间作用力等方面的研究进展。通过实例展示了DOSY在化学、药学、食品、生物等领域的广泛应用。 展开更多
关键词 扩散序谱 扩散系数 脉冲场梯度 脉冲序列
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薄膜材料弯曲测试方法的验证研究
9
作者 黄鑫龙 李根梓 +8 位作者 周龙飞 杨绍松 夏燕 董显山 来萍 夏长奉 宋辰阳 张晋熙 韩金哲 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期524-528,共5页
在国家标准《微机电系统(MEMS)技术薄膜材料的弯曲试验方法》制定阶段,为验证该标准中测试方法的准确性和实用性,设计并制备了4种尺寸的悬臂梁结构,并利用纳米力学测试系统记录其弯曲形变过程,获取了待测结构的形变-应力曲线。通过该标... 在国家标准《微机电系统(MEMS)技术薄膜材料的弯曲试验方法》制定阶段,为验证该标准中测试方法的准确性和实用性,设计并制备了4种尺寸的悬臂梁结构,并利用纳米力学测试系统记录其弯曲形变过程,获取了待测结构的形变-应力曲线。通过该标准可实现薄膜材料弯曲力学性能的有效表征。对弯曲试验的测量数据进行分析,实验结果表明,基于该测试方法10次的重复性达到0.32%,同类型的测试结构具有较强的规律性,靠近悬臂梁根部的测试点表现出更高的机械刚度,与理论预测完全一致。因此,该标准中所采用的弯曲测试方法可重复性好,可用于薄膜材料的弯曲力学性能测试。 展开更多
关键词 薄膜材料 微机电系统 悬臂梁 力学测试 弯曲试验 国家标准
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临近空间中子辐射环境分析及其引起的单粒子效应预计研究 被引量:6
10
作者 张战刚 雷志锋 +3 位作者 师谦 岳龙 黄云 恩云飞 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期502-507,共6页
使用Space Radiation 7.0工具分析临近空间中子辐射环境,研究其与海拔高度、太阳活动和经纬度的关系及内在原因.在此基础上,提出了一种基于蒙特卡罗方法的大气中子实时错误率预计方法,并以航空电子系统关键集成电路FPGA为例,预计其单粒... 使用Space Radiation 7.0工具分析临近空间中子辐射环境,研究其与海拔高度、太阳活动和经纬度的关系及内在原因.在此基础上,提出了一种基于蒙特卡罗方法的大气中子实时错误率预计方法,并以航空电子系统关键集成电路FPGA为例,预计其单粒子翻转敏感模块包括配置存储器、块存储器和用户触发器,单粒子功能中断敏感模块包括上电复位电路、SelectMAP接口等的实时飞行错误率.结果表明,配置存储器中发生的单粒子翻转达到总单粒子翻转率的77%,而上电复位电路和SelectMAP接口中发生的单粒子功能中断各占总单粒子功能中断率的36%.根据RTCA DO-254对飞行系统失效等级的划分,该FPGA器件不可用于航空电子系统关键位置. 展开更多
关键词 临近空间 中子 单粒子效应 场可编程门电路
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融合CNN-LSTM的硬件木马旁路检测方法
11
作者 周康 侯波 +3 位作者 王力纬 雷登云 罗永震 黄中铠 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3312-3320,共9页
随着集成电路设计与制造全球化,通过供应链植入硬件木马的潜在威胁日益显著。传统旁路检测方法依赖人工特征提取,易受噪声干扰且泛化能力不足,导致检测耗时且准确率不高。为此,该文提出一种基于一维卷积神经网络(CNN)及其与长短期记忆网... 随着集成电路设计与制造全球化,通过供应链植入硬件木马的潜在威胁日益显著。传统旁路检测方法依赖人工特征提取,易受噪声干扰且泛化能力不足,导致检测耗时且准确率不高。为此,该文提出一种基于一维卷积神经网络(CNN)及其与长短期记忆网络(LSTM)的组合架构(1D-CNN-LSTM)的硬件木马旁路检测方法,分别从局部空间特征与时序依赖关系两方面捕获硬件木马动态功耗信号特征,构建算法模型进行硬件木马检测。另外为了提高检测效率和算法鲁棒性,该文结合硬件木马特征对瞬态功耗原始数据进行预处理,并引入高斯噪声进行样本增强。以流片后的ASIC芯片为对象,开展硬件木马检测实验,结果显示经数据预处理后,1D-CNN-LSTM模型的训练效率提升近10倍,算法在4分类任务中的整体检测精度达到99.6%。该文所提出的方法可有效降低计算资源消耗、消除噪声干扰并实现高精度检测。 展开更多
关键词 硬件木马 旁路检测 深度学习
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加速度计标定中静态半径误差项的消除技术 被引量:5
12
作者 黄钦文 杨少华 +1 位作者 董显山 王蕴辉 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期122-126,共5页
基于离心机对线加速度计进行标定时,首先需确定加速度计有效质量中心到离心机旋转中心的距离,即静态半径。目前相关的确定方法较为繁琐,实际中难以操作。提出一种直接消除双离心机静态半径误差的测试分析方法,该方法基于加速度计在双离... 基于离心机对线加速度计进行标定时,首先需确定加速度计有效质量中心到离心机旋转中心的距离,即静态半径。目前相关的确定方法较为繁琐,实际中难以操作。提出一种直接消除双离心机静态半径误差的测试分析方法,该方法基于加速度计在双离心机上测试标定时在正向输入和反向输入条件下其安装位置误差的对称性,将安装位置误差项引入加速度计的静态模型方程中。通过对模型方程的处理,消除了结果数据中的安装误差项,获得了不含安装误差项的加速度计标度因数计算方法,并且基于所获得的标度因数,可以计算获得安装位置误差值。对比测试验证结果表明,同个加速度计在正常安装((35)R/R_1约0.37%)和人为增大安装位置误差((35)R/R_1约5.22%)的情况下,经过消除安装位置误差项的处理,所获得的标度因数仅相差约0.036%,证明了该方法的有效性。该方法有效消除了安装位置误差对标度因数的影响,提高了标定精度,同时简化了加速度计的标定步骤。 展开更多
关键词 双离心机 加速度计 静态半径 安装位置误差 标度因数
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基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究 被引量:3
13
作者 张战刚 雷志锋 +10 位作者 黄云 恩云飞 张毅 童腾 李晓辉 师谦 彭超 何玉娟 肖庆中 李键坷 路国光 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期725-733,共9页
开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单... 开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转(MCU)在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转(SBU)和MCU失效率(FIT)。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。 展开更多
关键词 大气中子 单粒子效应 高海拔 软错误率
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高温时效下Sn/SnPb混装焊点的微观组织研究 被引量:5
14
作者 周斌 李勋平 +3 位作者 恩云飞 卢桃 何小琦 姚若河 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期8-14,共7页
针对Sn/Sn Pb混合组装焊点在工艺兼容性和长期可靠性方面存在的问题,设计了带菊花链结构的板级电路,采用回流焊接工艺对无铅方形扁平封装(QFP)器件和Sn Pb焊料实现混合组装,对组装样品进行1500 h的高温老化实验。通过对高温老化前后混... 针对Sn/Sn Pb混合组装焊点在工艺兼容性和长期可靠性方面存在的问题,设计了带菊花链结构的板级电路,采用回流焊接工艺对无铅方形扁平封装(QFP)器件和Sn Pb焊料实现混合组装,对组装样品进行1500 h的高温老化实验。通过对高温老化前后混装焊点显微组织的分析和电、力学性能的研究,探讨混装焊点两侧焊接界面金属间化合物(IMC)的生长规律及其对焊点电、力学性能的影响.结果表明:Cu6Sn5和Cu3Sn金属间化合物厚度均与老化时间的平方根呈线性关系,混装焊点界面的Cu6Sn5分解反应是Cu3Sn化合物的主要生长机制;老化过程中富铅相在焊接界面的聚集,切断了焊点内Sn原子的扩散通路,形成阻碍IMC层进一步生长的抑制区;焊点基体β-Sn的尺寸粗化、Pb的富聚以及具有本质脆性的IMC层状生长降低了焊点的抗拉强度,层状IMC的厚度在一定程度上反映了焊点的力学性能. 展开更多
关键词 混合组装 焊点 高温老化 金属间化合物 可靠性
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非单调IG过程运算放大器剩余寿命预测
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作者 殷如心 锁斌 杨少华 《探测与控制学报》 北大核心 2025年第2期127-134,共8页
针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题,提出一种结合倒挂数据处理和IG过程(逆高斯过程)的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正,然后建立每个样本的IG过程退化轨迹,利用加速模型实现... 针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题,提出一种结合倒挂数据处理和IG过程(逆高斯过程)的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正,然后建立每个样本的IG过程退化轨迹,利用加速模型实现正常应力下IG过程的参数估计后,利用非参核密度拟合参数的密度函数并用bootstrap求出其均值,进而得到运算放大器不同性能参数的IG过程模型。最后,利用多参数性能退化竞争失效求出运算放大器在不同时刻的剩余寿命。通过运算放大器加速退化数据的评估,验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 运算放大器 倒挂数据 逆高斯过程 剩余寿命 核密度估计
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非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型 被引量:1
16
作者 恩云飞 刘远 +2 位作者 何玉娟 师谦 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期135-140,共6页
基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄... 基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型.实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好. 展开更多
关键词 非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流
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A novel W-band substrate integrated microstrip to ultra-thin cavity filter transition
17
作者 CAO Yi TANG Xiao-Hong +1 位作者 LIU Yong CAI Zong-Qi 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第4期540-545,共6页
A novel substrate integrated microstrip to ultra-thin cavity filter transition operating in the W-band is proposed in this letter.The structure is a new method of connecting microstrip circuits and waveguide filters,a... A novel substrate integrated microstrip to ultra-thin cavity filter transition operating in the W-band is proposed in this letter.The structure is a new method of connecting microstrip circuits and waveguide filters,and this new structure enables a planar integrated transition from microstrip lines to ultra-thin cavity filters,thereby reducing the size of the transition structure and achieving miniaturization.The structure includes a conventional tapered microstrip transition structure,which guides the electromagnetic field from the microstrip line to the reduced-height dielectric-filled waveguide,and an air-filled matching cavity which is placed between the dielectric-filled waveguide and the ultra-thin cavity filter.The heights of the microstrip line,the dielectric-filled waveguide and the ultra-thin cavity filter are the same,enabling seamless integration within a planar radio-frequency(RF)circuit.To facilitate testing,mature finline transition structures are integrated at both ends of the microstrip line during fabrications.The simulation results of the fabricated microstrip to ultra-thin cavity filter transition with the finline transition structure,with a passband of 91.5-96.5 GHz,has an insertion loss of less than 1.9 dB and a return loss lower than-20 dB.And the whole structure has also been measured which achieves an insertion loss less than 2.6 dB and a return loss lower than-15 dB within the filter's passband,including the additional insertion loss introduced by the finline transitions.Finally,a W-band compact up-conversion module is designed,and the test results show that after using the proposed structure,the module achieves 95 dBc suppression of the 84 GHz local oscillator.It is also demonstrated that the structure proposed in this letter achieves miniaturization of the system integration without compromising the filter performance. 展开更多
关键词 TRANSITION ultra-thin cavity filter planar W-BAND MINIATURIZATION
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应用于近场测量的超宽带有源磁场探头设计
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作者 陈志坚 王雨晨 +4 位作者 黄鹏程 邵伟恒 叶长青 方文啸 黄云 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期131-140,共10页
针对目前有源探头的探测频率主要集中在低频段,难以满足高频段探测需求的问题,提出了一种小型、高带宽、非接触式的有源磁场探头。该有源磁场探头采用多层印刷电路版(PCB)制作,于无源探头的基础上,加入了有源放大器模块及其配套的电源... 针对目前有源探头的探测频率主要集中在低频段,难以满足高频段探测需求的问题,提出了一种小型、高带宽、非接触式的有源磁场探头。该有源磁场探头采用多层印刷电路版(PCB)制作,于无源探头的基础上,加入了有源放大器模块及其配套的电源管理芯片,对超宽带类型探头的传输增益进行提升;并从频率响应、空间分辨率、校准因子、差分电场抑制能力4个方面对探头进行了测试分析。结果表明:文中设计的探头的传输增益达到-20 dB,空间分辨率达到900μm,有良好的差分电场抑制能力,该探头可用于超宽带下的PCB板与较复杂集成电路等场景的测量工作。 展开更多
关键词 有源磁场探头 超宽带 传输增益 频率响应 空间分辨率 校准系数 差分电场抑制能力
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32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件(英文) 被引量:2
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作者 郝立超 黄爱波 +5 位作者 解晓辉 李辉 赖灿雄 陈洪雷 魏彦锋 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第5期59-64,共6页
甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒... 甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联,制成截止波长达到14滋m的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60滋m×60滋m,工作温度在50 K温度下。测试结果显示:读出电路性能良好,焦平面黑体响应率达到1.35×107V/W,峰值探测率为2.57×10^(10)cmH z^(1/2)/W,响应率非均匀性约为45%,盲元率小于12%。 展开更多
关键词 碲镉汞 甚长波 红外焦平面 读出电路 背景抑制
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基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析 被引量:4
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作者 何玉娟 刘远 章晓文 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪... 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。 展开更多
关键词 热载流子注入(HCI)效应 低频噪声 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷 氧化层陷阱电荷
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