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半导体硅材料最新发展现状被引量：16: 1; 作者蒋荣华肖顺珍《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期3-6,共4页; 概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求，叙述了近年来国际半导体多晶硅和单晶硅材料的发展状况与趋势。; 关键词半导体硅多晶硅单晶硅半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体硅材料与信息化社会的发展被引量：1: 2; 作者周福生刘宜家《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期14-18,共5页; 重点阐述了半导体硅材料与信息化社会发展的关系；２１世纪新兴工业的特色与未来；国内外半导体硅材料的发展状况及我国在这一领域的科技进步与差距以及对今后的展望。; 关键词半导体硅材料单晶硅进展; 在线阅读下载PDF 职称材料

重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究: 3; 作者余思明周福生 +1 位作者徐冬良张烈华《中南矿冶学院学报》 CSCD 1989年第4期452-457,共6页; 本文用化学腐蚀和透射电镜及其能谱分析研究了重掺Sb硅单晶中的氧沉淀。化学腐蚀结果表明,Sb的掺入有促进形核的作用,但其最大成核速率仍在750℃左右。随着退火时间的延长,沉淀密度首先增加,而后又下降。透射电镜观察到氧沉淀呈平行四... 展开更多; 关键词锑硅单晶氧沉淀半导体缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型高阻硅单晶材料的寿命初探: 4; 作者张由群刘兴德邓宪章《成都理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期547-550,共4页; 高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料。寿命是P型高阻硅单晶材料的重要参数。作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验,其中每组2个样品,共为6个样品。在实验的基础上,分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素。研究... 展开更多; 关键词寿命缺陷纯度 P型高阻硅单品; 在线阅读下载PDF 职称材料

改良西门子法多晶硅产品质量分析被引量：4: 5; 作者曹礼强赵北君刘林《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1492-1497,共6页; 以工业硅为原料采用改良西门子法生产出质量优良的多晶硅,分别采用ICP-MS、低温傅立叶变换红外光谱、硅多晶气氛区熔基P检验法和真空区熔基B检验法等,对三氯氢硅中的杂质和多晶硅产物中的P、B、C、O含量及其P、B电阻率进行了检测,报道... 展开更多; 关键词改良西门子法三氯氢硅多晶硅产品质量分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

关于粘土耐火度公式的修正被引量：5: 6; 作者刘兴德孙传敏张由群《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期298-300,共3页; 由于粘土中各种氧化物杂质对其耐火度影响程度的不同 ,因此在粘土耐火度公式中 ,统用RO来表示各种氧化物杂质的总量 ,并乘以相同的因子系数 ,这样势必会造成用此粘土耐火度公式计算的耐火度与真实值之间存在着较大的偏差。本文针对粘土... 展开更多; 关键词粘土耐火度公式修正; 在线阅读下载PDF 职称材料

国外高纯磷: 7; 作者宗树森《材料导报》 EI CAS CSCD 1989年第5期3-8,共6页; 高纯磷大部分用作 GaP 的原料。最近,用于光通讯的 InP 受到人们注目。有人认为,GaAs 和 GaP 就象两个轮子推动着半导体化合物的发展,也有人说,GaP 是继 GaAs; 关键词高纯磷 GAP 制备; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体硅材料最新发展现状被引量：16: 1; 作者蒋荣华肖顺珍; 机构峨眉半导体材料研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期3-6,共4页; 文摘概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求，叙述了近年来国际半导体多晶硅和单晶硅材料的发展状况与趋势。; 关键词半导体硅多晶硅单晶硅半导体材料; Keywords semiconductor Si polycrystal Si monocrystal Si; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体硅材料与信息化社会的发展被引量：1: 2; 作者周福生刘宜家; 机构峨眉半导体材料厂研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期14-18,共5页; 文摘重点阐述了半导体硅材料与信息化社会发展的关系；２１世纪新兴工业的特色与未来；国内外半导体硅材料的发展状况及我国在这一领域的科技进步与差距以及对今后的展望。; 关键词半导体硅材料单晶硅进展; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究: 3; 作者余思明周福生徐冬良张烈华; 机构中南工业大学峨眉半导体材料研究所江汉石油学院; 出处《中南矿冶学院学报》 CSCD 1989年第4期452-457,共6页; 文摘本文用化学腐蚀和透射电镜及其能谱分析研究了重掺Sb硅单晶中的氧沉淀。化学腐蚀结果表明,Sb的掺入有促进形核的作用,但其最大成核速率仍在750℃左右。随着退火时间的延长,沉淀密度首先增加,而后又下降。透射电镜观察到氧沉淀呈平行四边形平板状,并发现有氧沉淀群及与沉淀相连的位错缠结,但未发现层错。对氧沉淀大小的测量结果表明,它的生长满足t^(3′4)规律。能谱分析指出,Sb元素不参与氧沉淀。为解释Sb的掺入促进形核,本文提出了空位和间隙硅原子影响氧沉淀形成的模型。按此模型,单位体积晶坯的自由能变化应为ΔG_v=-ΔH_v(O)(T_e(O)-T)/T_e(O)-ΔH_v(Si)(T-T_e(Si))/T_e(Si)假设Sb的掺入增加空位浓度,减小间隙硅原子浓度。为此,间隙硅原子的饱和温度将降低。由上式,ΔG_v将随Sb浓度的增加而为更大的负值。因此,氧沉淀形核速率将随掺Sb浓度的增加而加速。; 关键词锑硅单晶氧沉淀半导体缺陷; Keywords defects degenerate semicondutors; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型高阻硅单晶材料的寿命初探: 4; 作者张由群刘兴德邓宪章; 机构成都理工大学信息工程学院成都理工大学地球科学学院四川省峨眉半导体材料研究所硅单晶研究室; 出处《成都理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期547-550,共4页; 文摘高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料。寿命是P型高阻硅单晶材料的重要参数。作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验,其中每组2个样品,共为6个样品。在实验的基础上,分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素。研究结果表明,P型高阻硅单晶材料的寿命不仅取决于晶体的完整性和材料的纯度,而且还与原材料和成晶工艺有密切关系,同时作者提出了提高P型高阻硅单晶的寿命的几点建议。; 关键词寿命缺陷纯度 P型高阻硅单品; Keywords lifetime disfigurement purity P-type high-resistance silicon single-crystal; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改良西门子法多晶硅产品质量分析被引量：4: 5; 作者曹礼强赵北君刘林; 机构四川大学材料科学系峨眉半导体材料研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1492-1497,共6页; 文摘以工业硅为原料采用改良西门子法生产出质量优良的多晶硅,分别采用ICP-MS、低温傅立叶变换红外光谱、硅多晶气氛区熔基P检验法和真空区熔基B检验法等,对三氯氢硅中的杂质和多晶硅产物中的P、B、C、O含量及其P、B电阻率进行了检测,报道了改良西门子法获得的优质多晶硅产品质量检测数据;对影响多晶硅产物质量的各种因素,包括原料混合气进料量变化,还原炉内生长温度,生长过程中AEG电气的电压、电流变化,以及中间产品精制三氯氢硅、氢气的质量等进行了分析讨论。研究结果对于稳定生长高质量多晶硅具有重要参考价值。; 关键词改良西门子法三氯氢硅多晶硅产品质量分析; Keywords modified Siemens process trichlorosilane polycrystalline silicon quality analysis; 分类号 TN304.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名关于粘土耐火度公式的修正被引量：5: 6; 作者刘兴德孙传敏张由群; 机构成都理工学院地质系峨眉半导体材料研究所; 出处《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期298-300,共3页; 文摘由于粘土中各种氧化物杂质对其耐火度影响程度的不同 ,因此在粘土耐火度公式中 ,统用RO来表示各种氧化物杂质的总量 ,并乘以相同的因子系数 ,这样势必会造成用此粘土耐火度公式计算的耐火度与真实值之间存在着较大的偏差。本文针对粘土耐火度公式所存在的问题 ,提出了此公式的修正公式 ,通过实验验正与误差分析 ,表明该修正公式更具准确性和实用性。同时 ,作者对修正公式的适用范围也进行了讨论。; 关键词粘土耐火度公式修正; Keywords clay refractoriness modification; 分类号 P578.94 [天文地球—矿物学] TQ175.4 [化学工程—硅酸盐工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国外高纯磷: 7; 作者宗树森; 机构峨眉半导体材料研究所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 1989年第5期3-8,共6页; 文摘高纯磷大部分用作 GaP 的原料。最近,用于光通讯的 InP 受到人们注目。有人认为,GaAs 和 GaP 就象两个轮子推动着半导体化合物的发展,也有人说,GaP 是继 GaAs; 关键词高纯磷 GAP 制备; 分类号 TN304.170 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半导体硅材料最新发展现状	蒋荣华肖顺珍	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	16	在线阅读下载PDF 职称材料
2	半导体硅材料与信息化社会的发展	周福生刘宜家	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究	余思明周福生徐冬良张烈华	《中南矿冶学院学报》 CSCD	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	P型高阻硅单晶材料的寿命初探	张由群刘兴德邓宪章	《成都理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	改良西门子法多晶硅产品质量分析	曹礼强赵北君刘林	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	关于粘土耐火度公式的修正	刘兴德孙传敏张由群	《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心	2000	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	国外高纯磷	宗树森	《材料导报》 EI CAS CSCD	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料