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题名离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱
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作者
冯建东
林振金
杨锡震
刘玉梁
王世润
田德恒
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机构
北京师范大学物理系
山西省教育学院物理系
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出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1988年第2期47-50,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目
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文摘
为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N^+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.
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关键词
光致发光
离子注入
X射线衍射
快速退火
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Keywords
photoluminescence, ion implantation, X-ray diffraction, rapid thermal annealing.
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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