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紫外光通信用日盲型LED研究进展被引量：5: 1; 作者郭春辉孙雪娇 +7 位作者郭凯张晓娜王兵魏同波王申苏晋荣闫建昌刘乃鑫《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1849-1861,共13页; 紫外光通信在激光雷达、战术通信、航空航天内部安全通讯和片上集成通信等领域有着重要应用前景。传统的紫外光通信LED光源的调制带宽窄、输出光功率低和制造工艺复杂等缺点限制了它在长距离、高速率通信和片上集成通信领域的广泛应用... 展开更多; 关键词紫外光通信微尺寸发光二极管调制速率片内集成光通信光提取效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性被引量：2: 2; 作者王雪刘乃鑫 +7 位作者王兵郭亚楠张晓娜郭凯李勇强张童闫建昌李晋闽《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期898-903,共6页; 在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。... 展开更多; 关键词 UV-LED ALGAN NiAu 欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响: 3; 作者张睿洁郭亚楠 +4 位作者吴涵刘志彬闫建昌李晋闽王军喜《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期894-904,共11页; SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析M... 展开更多; 关键词 ALGAN SIC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比生长温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

用KI/KIO_(3)化学曝光剂测量UV-LED紫外线输出量过程中反射量的确定被引量：2: 4; 作者张连峰周钰 +4 位作者常保延熊东闫建昌申聪敏王春勇《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第7期1040-1045,共6页; 用KI/KIO_(3)测量紫外线输出量时,由于液体表面反射,会有部分入射光的光子未进入液体,导致测量误差。根据菲涅耳方程,反射量与入射角密切相关,紫外线发光二极管发出的每束光的辐射角和进入溶液的入射角都是不同的。为了定量多种辐射角... 展开更多; 关键词计量学反射损耗化学曝光剂紫外线发光二极管菲涅耳方程旋涡; 在线阅读下载PDF 职称材料

用KI/KIO_(3)化学曝光剂直接测量UV-LED紫外线输出量的方法被引量：2: 5; 作者张连峰周钰 +4 位作者常保延熊东闫建昌申聪敏王春勇《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期865-870,共6页; 紫外线发光二极管(UV-LED)是新一代紫外线光源,紫外线输出量是最关键的特性参数。为了测量UV-LED的紫外线输出量,提出了用化学曝光剂捕捉UV-LED发射出的紫外线所有光子的测量方法。单位时间内捕捉到的所有光子的能量总和就是紫外线输出... 展开更多; 关键词计量学紫外线输出量紫外线发光二极管 KI/KIO_(3)化学曝光剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响: 6; 作者孟锡俊王晓东 +2 位作者闫建昌曾一平李晋闽《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期139-143,157,共6页; 着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而... 展开更多; 关键词紫外(UV)LED 电子泄漏电子阻挡层(EBL) 反向漏电老化; 在线阅读下载PDF 职称材料

UV-LED表面消毒辐射场的数学模拟体系的建立及试验验证: 7; 作者童张法姚森 +4 位作者江怡清张连峰申聪敏刘乃鑫闫建昌《安全与环境学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期4042-4051,共10页; 为了实现紫外发光二极管(Ultraviolet Light-Emitting Diodes,UV-LED)表面消毒器设计的优化、高效、智能化目的,研究建立了UV-LED表面消毒辐射场的数学模型,并进行了试验验证。根据该数学模型,编写了VBA(Visual Basic for Applications... 展开更多; 关键词环境工程学紫外发光二极管(UV-LED) 表面消毒辐射场数学模拟试验验证; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名紫外光通信用日盲型LED研究进展被引量：5: 1; 作者郭春辉孙雪娇郭凯张晓娜王兵魏同波王申苏晋荣闫建昌刘乃鑫; 机构山西大学物理电子工程学院中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心山西中科潞安紫外光电科技有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1849-1861,共13页; 基金 2021年度山西省重点研发项目(202102030201007) 国家重点研发计划(2022YFB3604804)。; 文摘紫外光通信在激光雷达、战术通信、航空航天内部安全通讯和片上集成通信等领域有着重要应用前景。传统的紫外光通信LED光源的调制带宽窄、输出光功率低和制造工艺复杂等缺点限制了它在长距离、高速率通信和片上集成通信领域的广泛应用。实验表明,增加单个器件发光面积可提升光输出功率,但增加的器件电容对带宽提升是不利的,因此紫外光通信LED未来的重要研究方向是提升并优化带宽的同时增加器件的光功率密度。UVC Micro-LED器件有着光提取效率高、时间常数小、载流子寿命短、调制速率快及工作电流密度高等出色性能,因此在通讯领域受到科研界和工业界的广泛青睐。本文总结了紫外LED、特别是UVC MicroLED的相关研究进展,并重点介绍了它们在光通信及其片上集成互联方面的应用。研究发现,对UVC MicroLED及其阵列制备与性能提升加强研究,是未来提升自由空间和片上互联紫外通信系统性能的最佳解决方案之一。; 关键词紫外光通信微尺寸发光二极管调制速率片内集成光通信光提取效率; Keywords ultraviolet optical wireless communication Micro-LEDs modulated rate on-chip integrated optical communication light extraction efficiency; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性被引量：2: 2; 作者王雪刘乃鑫王兵郭亚楠张晓娜郭凯李勇强张童闫建昌李晋闽; 机构山西中科潞安紫外光电科技有限公司中国科学院半导体研究所半导体照明技术研究开发中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期898-903,共6页; 基金山西省重点研发计划(202102030201007) 山西省关键核心技术和共性技术研发攻关(20201102013)。; 文摘在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。进一步优化Ni/Au/Ni/Au体系金属厚度,当Ni/Au/Ni/Au各层厚度由20/20/20/20 nm减薄至2/2/5/5 nm,并在600℃空气氛围退火3 min,其与p-AlGaN材料的接触电阻率从3.23×10^(-1)Ω·cm^(2)降到2.58×10^(-4)Ω·cm^(2)。采用上述优化的Ni/Au/Ni/Au体系制备的深紫外LED器件,器件光电特性得到了改善。在150 mA驱动下工作电压低至5.8 V;通过提升电极透过率,光输出功率提升18.9%。; 关键词 UV-LED ALGAN NiAu 欧姆接触; Keywords UV-LED AlGaN,NiAu Ohmic contact; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响: 3; 作者张睿洁郭亚楠吴涵刘志彬闫建昌李晋闽王军喜; 机构中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心中国科学院大学材料科学与光电技术学院山西中科潞安紫外光电科技有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期894-904,共11页; 基金国家重点研发计划(2022YFB3605104) 国家自然科学基金(62274163,62022080,62135013,62234001,62250071) +1 种基金中国科学院青年创新促进会(2022000028,2023123)。; 文摘 SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析MQWs的表面形貌和发光性能后发现,随着NH_(3)流量增加和生长温度升高,MQWs表面粗糙度降低,内量子效率提升。经优化,MQWs的内量子效率达到74.1%,室温下的激射阈值光功率密度和线宽分别为1.03 MW/cm~2和1.82 nm,发光波长为248.8 nm。这主要归因于高的NH3流量和生长温度抑制了有源区中的碳杂质并入,载流子辐射复合效率和材料增益增加;同时生长速率降低,改善了MQWs结构的表面形貌,降低了界面散射损耗。采用干法刻蚀和湿法腐蚀的复合工艺制备了光滑陡直的谐振腔,激光器的腔面损耗降低,阈值光功率密度和线宽进一步降低至889 kW/cm~2和1.39 nm。; 关键词 ALGAN SIC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比生长温度; Keywords aluminum gallium nitride silicon carbide optically pumped laser Ⅴ/Ⅲratio growth temperature; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用KI/KIO_(3)化学曝光剂测量UV-LED紫外线输出量过程中反射量的确定被引量：2: 4; 作者张连峰周钰常保延熊东闫建昌申聪敏王春勇; 机构深圳清华大学研究院生态与环境保护实验室辽宁工业大学化学与环境工程学院无锡华兆泓光电科技有限公司深圳市晶宏照明有限公司中国科学院半导体研究所山西中科潞安紫外光电科技有限公司; 出处《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第7期1040-1045,共6页; 基金深圳市科技计划项目(JCYJ20180306170551939,JCYJ20200109150612249) 无锡华兆泓光电科技有限公司研发基金(HZHYF2020-3) 深圳市晶宏照明有限公司研发基金(JH2021Y1)。; 文摘用KI/KIO_(3)测量紫外线输出量时,由于液体表面反射,会有部分入射光的光子未进入液体,导致测量误差。根据菲涅耳方程,反射量与入射角密切相关,紫外线发光二极管发出的每束光的辐射角和进入溶液的入射角都是不同的。为了定量多种辐射角、入射角引起的复杂反射的总体反射量,拍摄了各种情况下的化学曝光剂漩涡表面的轮廓,进行了数学分析,建立了准确计算反射损失的数学方法。通过计算得到的反射系数可以补偿反射损失以得到准确的测量结果,也可根据计算数据,控制操作条件以减小反射量。根据拍摄到的液体旋转形成的旋涡,反射系数可被稳定地控制在约0.025。反射系数的稳定意味着消除了反射可能引起的测量误差。; 关键词计量学反射损耗化学曝光剂紫外线发光二极管菲涅耳方程旋涡; Keywords metrology reflection loss chemical actinometer UV-LED Fresnel equation vortex; 分类号 TB96 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用KI/KIO_(3)化学曝光剂直接测量UV-LED紫外线输出量的方法被引量：2: 5; 作者张连峰周钰常保延熊东闫建昌申聪敏王春勇; 机构深圳清华大学研究院生态与环境保护实验室辽宁工业大学化学与环境工程学院无锡华兆泓光电科技有限公司深圳市晶宏照明有限公司中国科学院半导体研究所山西中科潞安紫外光电科技有限公司; 出处《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期865-870,共6页; 基金深圳市科技计划项目(JCYJ20180306170551939,JCYJ20200109150612249) 无锡华兆泓光电科技有限公司研发基金(HZHYF2020-3) 深圳市晶宏照明有限公司研发基金(JH2021Y1)。; 文摘紫外线发光二极管(UV-LED)是新一代紫外线光源,紫外线输出量是最关键的特性参数。为了测量UV-LED的紫外线输出量,提出了用化学曝光剂捕捉UV-LED发射出的紫外线所有光子的测量方法。单位时间内捕捉到的所有光子的能量总和就是紫外线输出量。由于KI/KIO_(3)化学曝光剂是液体,通过旋转可形成漩涡,将UV-LED置于漩涡中,既不接触液体,又能捕捉所有从UV-LED发出的光子,从而准确测量UV-LED的紫外线输出量。测量过程中,UV-LED的热量被引到一个水箱,保持UV-LED的结温稳定。结果表明,通过仔细的操作,KI/KIO_(3)化学曝光剂的测量是可控的,实验数据显示,测量数据的离散系数在0.02~0.079范围内。; 关键词计量学紫外线输出量紫外线发光二极管 KI/KIO_(3)化学曝光剂; Keywords metrology UV output UV-LED KI/KIO_(3)chemical actinometer; 分类号 TB96 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响: 6; 作者孟锡俊王晓东闫建昌曾一平李晋闽; 机构山西中科潞安紫外光电科技有限公司北京中科优唯科技有限公司中国科学院半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期139-143,157,共6页; 基金国家重点研发计划项目(2017YFB0404202)。; 文摘着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题。选取365~415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0~3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30%~40%,对应禁带宽度为4.0~4.3 eV。使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升。; 关键词紫外(UV)LED 电子泄漏电子阻挡层(EBL) 反向漏电老化; Keywords ultraviolet(UV)LED electron leakage electron blocking layer(EBL) reverse leakage aging; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名UV-LED表面消毒辐射场的数学模拟体系的建立及试验验证: 7; 作者童张法姚森江怡清张连峰申聪敏刘乃鑫闫建昌; 机构广西大学化学化工学院深圳清华大学研究院生态与环境保护实验室南昌航空大学环境与化学工程学院山西中科潞安紫外光电科技有限公司中国科学院半导体研究所; 出处《安全与环境学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期4042-4051,共10页; 基金深圳市科技计划项目(JCYJ20180306170551939,JCYJ20200109150612249)。; 文摘为了实现紫外发光二极管(Ultraviolet Light-Emitting Diodes,UV-LED)表面消毒器设计的优化、高效、智能化目的,研究建立了UV-LED表面消毒辐射场的数学模型,并进行了试验验证。根据该数学模型,编写了VBA(Visual Basic for Applications)程序,对辐射场进行了模拟和分析。结果显示,辐射模型的计算值与实测值接近,试验验证了辐射模型的可行性。试验进行了应用举例,当照射距离与灯间距的比值为0.4时,选择最大发光角90°的UV-LED可使辐射场最优化;当照射距离与灯间距的比值为0.8和1.6时,对应的最优选择分别是45°和30°的UV-LED。数学模型和相关计算方法为优化设计紫外线表面消毒设施提供了模拟、优化的有效工具。; 关键词环境工程学紫外发光二极管(UV-LED) 表面消毒辐射场数学模拟试验验证; Keywords environmental engineering Ultraviolet Light-Emitting Diodes(UV-LED) surface disinfection radiation field mathematical simulation experimental validation; 分类号 X33 [环境科学与工程—环境工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	紫外光通信用日盲型LED研究进展	郭春辉孙雪娇郭凯张晓娜王兵魏同波王申苏晋荣闫建昌刘乃鑫	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性	王雪刘乃鑫王兵郭亚楠张晓娜郭凯李勇强张童闫建昌李晋闽	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响	张睿洁郭亚楠吴涵刘志彬闫建昌李晋闽王军喜	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用KI/KIO_(3)化学曝光剂测量UV-LED紫外线输出量过程中反射量的确定	张连峰周钰常保延熊东闫建昌申聪敏王春勇	《计量学报》 CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用KI/KIO_(3)化学曝光剂直接测量UV-LED紫外线输出量的方法	张连峰周钰常保延熊东闫建昌申聪敏王春勇	《计量学报》 CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响	孟锡俊王晓东闫建昌曾一平李晋闽	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	UV-LED表面消毒辐射场的数学模拟体系的建立及试验验证	童张法姚森江怡清张连峰申聪敏刘乃鑫闫建昌	《安全与环境学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料