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全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展: 1; 作者单衍苏李兴牧 +2 位作者王霞吴德华曹丙强《人工晶体学报》北大核心 2025年第7期1208-1220,共13页; 全无机卤化物钙钛矿作为一种具有可调节带隙的半导体材料,其热稳定性和光稳定性优于有机-无机杂化钙钛矿,近年来已在太阳能电池、紫外-可见光探测器、发光二极管等领域引发广泛关注,有望成为推动高性能光电器件产业化的关键材料。外延... 展开更多; 关键词全无机卤化物钙钛矿半导体薄膜质量外延生长光电器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响(英文): 2; 作者张恒曲爽 +2 位作者王成新胡小波徐现刚《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3799-3803,共5页; 使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量。结果表明随着反应... 展开更多; 关键词氮化镓表面形貌二维电子气迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究被引量：3: 3; 作者徐明升胡小波徐现刚《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1346-1350,共5页; 研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 ... 展开更多; 关键词 SIC衬底 GAN薄膜 AlGaN成核层应力晶体质量; 在线阅读下载PDF 职称材料

局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用: 4; 作者左致远夏伟 +1 位作者王钢徐现刚《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期812-816,共5页; 近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在G... 展开更多; 关键词局域耦合 GaInP太阳电池等离激元光吸收光电转换效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析被引量：3: 5; 作者于国建徐明升 +1 位作者胡小波徐现刚《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1017-1022,共6页; 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数... 展开更多; 关键词高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文): 6; 作者张恒曲爽 +2 位作者王成新胡小波徐现刚《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3811-3815,共5页; 使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和... 展开更多; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积法翘曲度; 在线阅读下载PDF 职称材料

深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征被引量：2: 7; 作者邓建阳贺龙飞 +5 位作者武智波李睿徐明升王成新徐现刚冀子武《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1974-1980,共7页; 利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上生长了深紫外Al_(0.38)Ga_(0.62)N/Al_(0.55)Ga_(0.45)N多量子阱结构,并对其荧光(PL)谱进行了测量。其PL谱的激发密度依赖性测量结果表明,该量子阱的辐射过程包含了局域载流子... 展开更多; 关键词深紫外LED AlGaN多量子阱光致发光载流子局域效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展: 1; 作者单衍苏李兴牧王霞吴德华曹丙强; 机构济南大学材料科学与工程学院济南大学物理科学与技术学院山东浪潮华光光电子股份有限公司; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第7期1208-1220,共13页; 基金国家重点研究发展计划(2022YFC3700801) 山东省重点研发计划(2024CXGC010302) 济南市教育局(JNSX-2023015)。; 文摘全无机卤化物钙钛矿作为一种具有可调节带隙的半导体材料,其热稳定性和光稳定性优于有机-无机杂化钙钛矿,近年来已在太阳能电池、紫外-可见光探测器、发光二极管等领域引发广泛关注,有望成为推动高性能光电器件产业化的关键材料。外延生长技术通过构建晶格匹配的异质界面可生长高质量的晶体薄膜,结合应变工程可对薄膜材料光电性能精准调控,已成为半导体器件制造领域的核心技术路径。随着全无机卤化物钙钛矿材料向商业光电子器件领域的拓展,精准调控薄膜结晶质量、降低缺陷态密度及优化界面特性成为该领域的关键技术瓶颈问题。本综述阐述了卤化物钙钛矿的材料结构及外延生长的基本原理,按照制备方法和衬底晶格匹配程度,分类讨论了全无机卤化物钙钛矿薄膜的外延生长工作。最后,展望了钙钛矿外延的未来方向,希望通过原位生长监测、精确的界面结构表征和规模化制造,进一步提高全无机卤化物钙钛矿的器件性能和应用。; 关键词全无机卤化物钙钛矿半导体薄膜质量外延生长光电器件; Keywords all-inorganic halide perovskite semiconductor thin-film quality epitaxial growth optoelectronic device; 分类号 O484 [理学—固体物理] TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响(英文): 2; 作者张恒曲爽王成新胡小波徐现刚; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东浪潮华光光电子股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3799-3803,共5页; 基金 Natural Science Foundation of China under Grant(11134006) Shandong University Natural Science Special(2014QY005) 863 Program(2015AA033302); 文摘使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量。结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差。在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌。同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量。在反应室压力100torr、氢气组分59%时得到AlGaN HEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s。; 关键词氮化镓表面形貌二维电子气迁移率; Keywords GaN surface morphology two-dimensional electron gas mobility; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究被引量：3: 3; 作者徐明升胡小波徐现刚; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东浪潮华光光电子股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1346-1350,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904) 国家自然科学基金(11134006 +2 种基金 51321091 51323002) 山东大学基本科研业务费资助项目(2014QY005); 文摘研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1。成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高。; 关键词 SIC衬底 GAN薄膜 AlGaN成核层应力晶体质量; Keywords SiC substrate GaN film AlGaN nucleation layer stress crystal quality; 分类号 O474 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用: 4; 作者左致远夏伟王钢徐现刚; 机构中山大学物理科学与工程技术学院浪潮集团山东浪潮华光光电子股份有限公司山东大学晶体材料国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期812-816,共5页; 基金国家安全重大基础研究资助项目(6131550102) 山东省博士后创新项目专项基金资助项目(201303002) 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金资助项目(BS2013DX007); 文摘近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在GaInP太阳电池表面成功制备了粒径与占空比可控的Au/半导体纳米异质结构,并对其退火前后的形貌进行了系统分析,后续对纳米异质结构的光学吸收现象及局域耦合效应的内在机制进行了探讨。最终,通过反射光谱的表征,在Au溅射时间为20 s和30 s样品中分别得到了2.2%和5.5%的光吸收增强。该研究提出的局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用,为改善GaInP太阳电池的表面吸收效率提供了一种新的思路。; 关键词局域耦合 GaInP太阳电池等离激元光吸收光电转换效率; Keywords localized coupling GalnP solar cell plasmonics light absorption photoelectric convert efficiency; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析被引量：3: 5; 作者于国建徐明升胡小波徐现刚; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东浪潮华光光电子股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1017-1022,共6页; 基金国家自然科学基金(11134006 51321091) +1 种基金国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401); 文摘通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级。; 关键词高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层; Keywords high resolution X-ray diffraction SiC substrate GaN epitaxial layer; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文): 6; 作者张恒曲爽王成新胡小波徐现刚; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东浪潮华光光电子股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3811-3815,共5页; 基金 Natural Science Foundation of China under Grant(11134006) Shandong University Natural Science Special(2014QY005) 863 Program(2015AA033302); 文摘使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低。与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高。; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积法翘曲度; Keywords GaN MOCVD warp; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征被引量：2: 7; 作者邓建阳贺龙飞武智波李睿徐明升王成新徐现刚冀子武; 机构山东大学微电子学院广东省科学院半导体研究所山东浪潮华光光电子股份有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1974-1980,共7页; 基金广州市基础研究计划(202201010679) 国家自然科学基金(52272157)。; 文摘利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上生长了深紫外Al_(0.38)Ga_(0.62)N/Al_(0.55)Ga_(0.45)N多量子阱结构,并对其荧光(PL)谱进行了测量。其PL谱的激发密度依赖性测量结果表明,该量子阱的辐射过程包含了局域载流子的散射、极化场的屏蔽和局域态的填充效应;其PL谱的温度依赖性测量结果则表明,该量子阱的辐射过程包含了局域载流子的弛豫、局域载流子的热激发和自由载流子的常规热化效应。这个现象(即多种辐射复合过程的存在)在低温和弱激发测试条件下尤为显著,并且表现出该量子阱结构具有显著的局域深度非均一性和载流子的局域效果,是浅局域载流子的散射效应和深局域态的载流子填充效应共同作用所致。在较低的温度范围内,随着温度升高,该量子阱的辐射过程是由浅局域载流子的弛豫效应和深局域载流子的热激发效应共同作用的结果。这些行为被归因于阱宽起伏所诱发的局域深度的非均一性和载流子的局域效果。; 关键词深紫外LED AlGaN多量子阱光致发光载流子局域效应; Keywords deep-ultraviolet LED AlGaN multiple quantum well photoluminescence carrier localization effect; 分类号 O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展	单衍苏李兴牧王霞吴德华曹丙强	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响(英文)	张恒曲爽王成新胡小波徐现刚	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究	徐明升胡小波徐现刚	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用	左致远夏伟王钢徐现刚	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析	于国建徐明升胡小波徐现刚	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文)	张恒曲爽王成新胡小波徐现刚	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征	邓建阳贺龙飞武智波李睿徐明升王成新徐现刚冀子武	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料