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题名镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响
被引量：20
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作者
范素华
胡广达
张丰庆
岳雪涛
任艳霞
徐静
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机构
武汉理工大学材料科学与工程学院
济南大学材料科学与工程学院
山东建筑大学材料科学与工程系学院
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期76-79,共4页
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基金
山东教育厅重点资助项目(03A02).
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文摘
为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系。实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用。但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同。镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm。
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关键词
介电陶瓷
钛酸钡
La^3+掺杂
Ce^3+掺杂
溶胶-凝胶法
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Keywords
dielectric ceramics
BT
La-doped
Ce- doped
sol-gel technique
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分类号
TQ174.756
[化学工程—陶瓷工业]
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