一种新型动物食品鲜度测量传感器件In/TiO_2·Nb_2O_5的研究 被引量：2

1

作者 裴素华 薛成山 +2 位作者 周忠平 孟繁英 吴家琨 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第3期171-175,共5页

用 Ｎｂ２Ｏ５对ＴｉＯ２半导化和金属 Ｉｎ的增感而研制成的 Ｉｎ／ＴｉＯ２· Ｎｂ２Ｏ５复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件，具有灵敏度高，工作温度低和响应动态范围宽等特点，该项研究为非破坏性、快速、准确地检测生物鲜度... 用 Ｎｂ２Ｏ５对ＴｉＯ２半导化和金属 Ｉｎ的增感而研制成的 Ｉｎ／ＴｉＯ２· Ｎｂ２Ｏ５复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件，具有灵敏度高，工作温度低和响应动态范围宽等特点，该项研究为非破坏性、快速、准确地检测生物鲜度创造了一条新途径。 展开更多

关键词 气体敏感特性 动物食品 鲜度测量

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氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究 被引量：1

2

作者 肖洪地 马洪磊 +5 位作者 薛成山 马瑾 宗福建 张希键 计峰 胡文容 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期221-223,共3页

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状... 在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状. 展开更多

关键词 Ga2O3粉末 GaN粉末 氮化温度

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P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究

3

作者 裴素华 修显武 +2 位作者 孙海波 周忠平 张晓华 《科学技术与工程》 2003年第1期71-74,共4页

采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界... 采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。 展开更多

关键词 P型杂质 GA SiO2-Si内界面 分凝效应 钙 掺杂 半导体器件

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多孔硅甲苯悬浮体系电泳沉积的研究

4

作者 张华 李怀祥 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期27-29,37,共4页

用电阻率为 80～ 10 0Ω· cm的 n型硅基底制备了多孔硅 (PS) ,将其用超声波振荡的方法分散到甲苯中制成稳定的悬浮体系。发现该体系中的多孔硅微粒可以在电场下作定向的电泳迁移 ,在正极上形成良好的沉积层。实验发现甲苯悬浮体系... 用电阻率为 80～ 10 0Ω· cm的 n型硅基底制备了多孔硅 (PS) ,将其用超声波振荡的方法分散到甲苯中制成稳定的悬浮体系。发现该体系中的多孔硅微粒可以在电场下作定向的电泳迁移 ,在正极上形成良好的沉积层。实验发现甲苯悬浮体系的荧光强度与浓度成良好的线性的关系 ,并测定了电泳沉积过程中甲苯分散体系的荧光强度与电泳沉积时间和外加电场强度的关系。用扫描电镜 (SEM)对不同条件下得到的多孔硅沉积层及原生多孔硅作了形貌观察比较。用 X光电子能谱 (XPS)和红外透射光谱对原生多孔硅和多孔硅沉积层进行了成分分析。研究表明 ,多孔硅的电泳沉积可以用于微粒的可控组装方法。 展开更多

关键词 多孔硅 甲苯悬浮体系 电泳沉积 荧光 半导体材料 发光性能

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GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文) 被引量：4

5

作者 陈金华 薛成山 +3 位作者 庄惠照 李红 秦丽霞 杨兆柱 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第2期355-358,共4页

使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm... 使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm,长度约10μm.光致发光谱在368.6nm处有一强的紫外发光峰,说明纳米棒具有良好的发光特性.讨论了GaN纳米棒的生长机制. 展开更多

关键词 GAN 纳米棒 单晶 发光

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电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析 被引量：3

6

作者 吴玉新 薛成山 +3 位作者 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1420-1422,共3页

采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。

关键词 氮化镓薄膜 SI衬底 电泳沉积 六方纤锌矿结构

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利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文) 被引量：2

7

作者 郭永福 薛成山 +4 位作者 石锋 庄惠照 刘文军 孙海波 曹玉萍 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期507-510,共4页

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRT... 基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论. 展开更多

关键词 纳米线 GAN 溅射 光学特性 钯催化 单晶

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化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒 被引量：3

8

作者 王英 薛成山 +3 位作者 庄惠照 王邹平 张冬冬 黄英龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期152-153,158,共3页

采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明... 采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的直径在50～200nm之间，纳米棒的直径在200～800nm之间。 展开更多

关键词 GAN纳米结构 NiCl2 CVD

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氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响 被引量：2

9

作者 庄惠照 胡丽君 +1 位作者 薛成山 薛守斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期331-333,共3页

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(S... 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。 展开更多

关键词 Ga2O3/Al膜 GAN纳米棒 氨化 磁控溅射

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ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征 被引量：2

10

作者 孙海波 石锋 +2 位作者 曹玉萍 薛成山 修显武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期520-522,526,共4页

在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多... 在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右。初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理。 展开更多

关键词 氧化锌 单晶堆垒 纳米棒

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脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文) 被引量：1

11

作者 何建廷 庄惠照 +5 位作者 薛成山 田德恒 吴玉新 刘亦安 胡丽君 薛守斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期978-980,985,共4页

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现... 用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构。利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜。 展开更多

关键词 PLD ZNO 薄膜 六方纤锌矿结构

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磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒 被引量：1

12

作者 陈金华 薛成山 +3 位作者 庄惠照 秦丽霞 李红 杨兆柱 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期557-558,562,共3页

使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形... 使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分。研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。最后讨论了GaN纳米棒的生长机理。 展开更多

关键词 纳米棒 GAN 溅射 单晶

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氨化温度对氨化Si基Ga_2O_3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响 被引量：1

13

作者 王邹平 薛成山 +4 位作者 庄惠照 王英 张冬冬 黄英龙 郭永福 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期595-597,601,共4页

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子... 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理。研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃。 展开更多

关键词 Ga2O3/Cr膜 GAN纳米线 氨化温度 磁控溅射

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氨化Si基Ga_2O_3/Ti制备GaN纳米线 被引量：1

14

作者 孙莉莉 薛成山 +6 位作者 艾玉杰 孙传伟 庄惠照 张晓凯 王福学 陈金华 李红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期259-260,264,共3页

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Ti薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（xRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法... 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Ti薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（xRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米棒的尺寸在50～150nm之间。 展开更多

关键词 磁控溅射 氨化 GAN薄膜 TI

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Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线 被引量：1

15

作者 黄英龙 薛成山 +5 位作者 庄惠照 张冬冬 王英 王邹平 郭永福 刘文军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期233-235,共3页

通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线，用金属镁粉末作为掺杂源，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（... 通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线，用金属镁粉末作为掺杂源，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）和能量弥散X射线谱（EDX）的分析结果表明，采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，纳米线的直径大约在60～100nm之间，纳米线的长约十几个微米。EDX分析表明纳米线掺杂了镁。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于镁的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移。最后，简单讨论了GaN纳米线的生长机制。 展开更多

关键词 磁控溅射 GAN纳米线 Mg 氨化

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氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线 被引量：1

16

作者 秦丽霞 薛成山 +3 位作者 庄惠照 陈金华 李红 杨兆柱 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期851-852,856,共3页

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用... 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的尺寸在50-200nm之间。 展开更多

关键词 磁控溅射 GAN纳米线 CO

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金属氧化物的钝化机理分析 被引量：3

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作者 刘秀喜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期26-29,共4页

在半导体表面上，利用化学气相淀积法生长一层金属氧化物膜，或涂布掺有金属氧化物的糊状物（需经固化），均显示负电荷效应，具有良好的钝化保护性能。本文就其金属氧化物的负电荷效应及钝化机理进行了分析讨论。

关键词 金属氧化物 负电荷效应 钝化机理 半导体器件

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氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线

18

作者 薛成山 郭永福 +4 位作者 石锋 庄惠照 刘文军 曹玉萍 孙海波 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期976-979,共4页

利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得... 利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移。最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制。 展开更多

关键词 纳米线 GAN 磁控溅射 单晶 钯催化

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氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管

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作者 庄惠照 高海永 +3 位作者 薛成山 王书运 何建廷 董志华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期121-123,共3页

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构. 展开更多

关键词 GaN纳米管 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氮化

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溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用

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作者 艾玉杰 薛成山 +5 位作者 孙莉莉 孙传伟 庄惠照 王福学 杨昭柱 秦丽霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期193-194,共2页

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得... 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米棒的形貌，纳米棒的直径在200-600nm之间。我们对镁层的作用进行了简单探讨。 展开更多

关键词 GAN 磁控溅射 纳米棒

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