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ZnO压敏电阻器非欧姆特性的分析
被引量：
2
1
作者
张连俊
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1999年第1期64-66,共3页
本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析． ＺｎＯ压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区，利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性，
关键词
压敏电阻
晶界空间电荷区
非欧姆特性
电阻器
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职称材料
题名
ZnO压敏电阻器非欧姆特性的分析
被引量：
2
1
作者
张连俊
机构
山东工程学院计算机工程系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1999年第1期64-66,共3页
文摘
本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析． ＺｎＯ压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区，利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性，
关键词
压敏电阻
晶界空间电荷区
非欧姆特性
电阻器
Keywords
varistor grain boundary electrical region nonlinear resistivity.
分类号
TM540.1 [电气工程—电器]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO压敏电阻器非欧姆特性的分析
张连俊
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1999
2
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